「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

In one embodiment, a base film 222 may be formed between the first trenches, and on the side wall of the first trench (the first trench protects the side wall of the first trench during the second etching process).例文帳に追加

一形態では、下地膜２２２が、第１のトレンチ部分の間、第１のトレンチ部分の側壁上に形成されてもよい（この第１のトレンチ部分は、第２のエッチングプロセスの間、第１のトレンチ部分の側壁を保護する）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress a crack in a semiconductor layer from reaching a semiconductor element region when a wafer having the semiconductor layer on a principal surface side is cut by etching from a rear surface side.例文帳に追加

半導体層を主面側に有するウェハを裏面側からエッチングにより切断する際に、半導体層のクラックが半導体素子領域に達することを抑止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A wafer W on which needle-like projections T are generated on a surface side bevel part and a complex compound P adheres to a rear face side bevel part by being exposed in an etching process is placed on a rotary stage in a vacuum chamber.例文帳に追加

エッチング工程にて曝されて表面側ベベル部に針状突起群Ｔが生成され、また裏面側のベベル部に複合化合物Ｐが付着したウエハＷを真空室内の回転ステージに載置する。 - 特許庁

To suppress etching of a side surface of a gate insulating film when a hard mask is removed in formation of a gate electrode, and to eliminate disposition of an upper end of a side wall above the upper surface of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極を形成するときのハードマスクを除去するときにゲート絶縁膜の側面がエッチングされることを抑制し、かつ、サイドウォールの上端がゲート電極の上面より上に位置することを抑制する。 - 特許庁

A base film may be formed between the first trenches, and on the side wall of the first trench (this first trench protects the side wall of the first trench during the second etching process) in one embodiment.例文帳に追加

一形態では、下地膜が、第１のトレンチ部分の間、第１のトレンチ部分の側壁上に形成されてもよい（この第１のトレンチ部分は、第２のエッチングプロセスの間、第１のトレンチ部分の側壁を保護する）。 - 特許庁

Since etching quantity of the upper side 7 of the semiconductor substrate 1 used as the back end increases more than a head when being conveyed, the sheet resistance of the upper side 7 of the semiconductor substrate 1 increases, and thus the irregularities reduces in the plane of the sheet resistance.例文帳に追加

搬送するときに後端となる半導体基板１の上辺７は先端よりもエッチング量が多くなるので、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が増加し、面内ばらつきが低減される。 - 特許庁

Since the side wall 5 formed on the side face of a magnetic pole 4 by etching back the plated base layer 2 does not have an influence on writing because of the smallness of the saturation magnetic flux density, a track width is regulated by the width of the magnetic pole 4, thus preventing the track width from being increased by the side wall 5.例文帳に追加

めっきベース層２のエッチバックにより磁極部４側面に形成されたサイドウォール５は、飽和磁束密度が小さいため書込には影響しないので、トラック幅は磁極部４の幅で規定され、サイドウォール５によるトラック幅の拡幅が起こらない。 - 特許庁

Concretely, the Ni plating layers having a thickness of 2.5 to 5 μm are formed on both sides, and the etching is carried out only to the mounting side of semiconductor elements, thereby the Ni plating layer of the mounting surface side is formed 0.5 to 2 μm thinner than the Ni plating layer of the rear surface side.例文帳に追加

具体的には、表裏面に２.５〜５μｍの厚さを有するＮｉめっき層を形成し、半導体素子の搭載面側のみをエッチング処理することによって、該搭載面側のＮｉめっき層の厚さを裏面側のＮｉめっき層より０.５〜２μｍ薄くする。 - 特許庁

To achieve an Fin structure having excellent shape in executing a post-process such as gate processing by maintaining a side etching quantity of a pad oxide film to the minimum without causing retraction of side surfaces of a hard mask or damage of the side surfaces in manufacture of a Bulk Fin structure.例文帳に追加

Ｂｕｌｋ Ｆｉｎ構造の製造に於いて、ハードマスクの側面の後退・破損を発生させること無く、パッド酸化膜のサイドエッチ量を最小限度にとどめて、ゲート加工等の後工程を行うに際して良好な形状を有するＦｉｎ構造を実現する。 - 特許庁

To provide an etching post-treatment liquid and an etching method, wherein in etching using an iron chloride (III) aqueous solution to which oxalic acid has been added, the crystals of a water-insoluble copper salt formed on the surface of copper at the side face of a pattern are swiftly removed without deteriorating a work environment and without requiring special devices.例文帳に追加

本発明は、シュウ酸を添加した塩化鉄（III）水溶液を用いたエッチングにおいて、作業環境を悪化させたり、特別な装置を必要としたりすることなく、パターン側面の銅の表面に形成された水不溶性銅塩の結晶を迅速に除去するエッチング後処理液およびエッチング方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

To provide an etching method whereby, in selectively etching a polysilicon film on a lower layer film having steps to form a specified pattern, a part of the polysilicon film existing at a step region of the lower layer film can be perfectly removed and a pattern can be formed accurately with suppressing the side etching occurring at the sidewall of the pattern on the polysilicon film.例文帳に追加

段差を有する下層膜上に形成されたポリシリコン膜を選択的にエッチングして所定パターンを形成する際に、下層膜の段差部領域に存在するポリシリコン膜の一部を完全に除去でき、かつポリシリコン膜のパターンの側壁に発生するサイドエッチングを抑制しつつ精度良くパターンを形成可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A method for etching the insulating film 3, arranged in a laminated state between conductor films 1 and 2, comprises a step of partly etching the film 3 to a position on the way of a thickness direction, a step of executing a masking 5 on a side face 3a of the partly etched film 3, and a step of etching the residual film 3.例文帳に追加

導体膜１，２間に積層状態に配される絶縁膜３をエッチングする方法であって、絶縁膜３を厚さ方向の途中位置まで部分的にエッチングするステップと、部分的にエッチングされた絶縁膜３の側面３ａにマスキング５を施すステップと、残りの絶縁膜３をエッチングするステップとを含む絶縁膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.例文帳に追加

半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁

The nozzle unit is disposed in plural numbers in an perpendicularly upper side of the substrate, each being equipped with a specific housing part, a slit for passing the etching liquid, and a guide part so as to allow the etching liquid supplied from the nozzle to etch the substrate surface while spilling and flowing, and with a buffer barrier wall to prevent an excessive flow of the etching liquid.例文帳に追加

ここで、前記ノズル部は、基板の垂直上部側に複数設置され、また、ノズル部から供給されるエッチング液があふれて流れながら基板の表面に沿ってエッチングがなされるように特有の収容部、エッチング液通過スリット及びガイド部を備え、エッチング液の過度な流出を防ぐための緩衝隔壁を備える。 - 特許庁

In this case, etching of the semiconductor thin film 2 in other region than near the ultraviolet light shielding film 3 goes on averagely, whether or not being irradiated with ultraviolet light, however, etching of the semiconductor thin film 2 near the ultraviolet light shielding film 3 goes on more rapidly which is a cause for relatively large side etching.例文帳に追加

この場合、紫外光の照射の有無に関係なく、紫外光遮蔽膜３の近傍以外の領域における半導体薄膜２のエッチングが平均的に進行するが、紫外光遮蔽膜３の近傍における半導体薄膜２のエッチングがそれよりも速く進行し、比較的大きなサイドエッチングが生じる原因となる。 - 特許庁

In a color selection electrode 100 made of the steel plate, from which tensile stress areas 22a, 22b are eliminated by etching in this way, a difference between the tensile stress area on the surface side (fluorescent screen side) and that on the back face side (electron gun side) is eliminated, so that a balance of residual stress is not lost.例文帳に追加

このように引張応力領域２２ａ，２２ｂをエッチングにより取り除いた後の鋼板を用いて作製した色選別電極１００は表面側（蛍光面側）の引張応力領域と裏面側（電子銃側）の引張応力領域の差がなくなり、残留応力のバランスがくずれることがない。 - 特許庁

To enhance precision when the resistance is arranged to a predetermined value in a chip resistor obtained by etching cut grooves 5a and 5b extending in the width direction from one side face 2a and cut grooves 6a and 6b extending in the width direction from the other side face 2b side by side in a resistor 2 made of a metal material.例文帳に追加

抵抗体２を金属材料製にし，この抵抗体２に，その一方の側面２ａから幅方向に延びる切り込み溝５ａ，５ｂ，及び，他方の側面２ｂから幅方向に延びる切り込み溝６ａ，６ｂを並べて刻設して成るチップ抵抗器において，その抵抗値を，所定値に揃えることの精度を向上する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head capable of accurately etching the bottom part of an upper layer core for constituting the thin film magnetic head and preventing the over-etching of the peak part of the upper layer core and re-deposition to the side face of the upper layer core.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドを構成する上層コアの裾部分を精度良くエッチングすることができ、かつ、上層コアの頂部のオーバーエッチングや上層コアの側面への再デポジションを防止することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

And the method for manufacturing the semiconductor device has a process for etching at least from one main surface side of the semiconductor substrate, and the end point of etching is set to the point when the movable part provided on the semiconductor substrate is displaced.例文帳に追加

又、発明に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも半導体基板の一方の主面側からエッチングを行う工程を有し、前記エッチングの終点を前記半導体基板上に設けられた可動部位が変位した時点とすることを特徴とする。 - 特許庁

Also, by forming a groove for forming wiring matched to wiring width on a dielectric film in advance, side etching in wet etching is inhibited, thus preventing the wiring width from being thinned and forming the wiring for signal having desired wiring width.例文帳に追加

また、本発明は、誘電体膜に予め必要な配線幅に合わせた配線形成溝を形成することにより、ウエットエッチングにおけるサイドエッチングを抑制し、配線幅が細くなることを防いで、所望の配線幅を持つ信号用配線を形成する。 - 特許庁

To provide a method for etching a multilayer electrically conductive film capable of uniformly etching the whole body of a multilayer electrically conductive film coposed of a silver series thin film and a transparent oxide thin film essentially consisting of indium oxide, suppressing residues and side etches and improving the pattern precision thereof.例文帳に追加

銀系薄膜３と酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜２とで構成される多層導電膜５の全体を均等にエッチングでき、残渣とサイドエツチが抑制され、そのパターン精度を向上させる多層導電膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, dry etching for treating the Ni layer 8 as an etching stopper is done at high speed, thereby forming a via hole 1s on the insulating substrate 1 that goes from its back surface side to the Ni layer 8 while depositing a compound film 19 at its sidewall by cooling and the like.例文帳に追加

その後、Ｎｉ層８をエッチングストッパとするドライエッチングを高速で行うことにより、絶縁性基板１に、その裏面側からＮｉ層８まで到達するビアホール１ｓを、冷却等によりその側壁に化合物膜１９を堆積させながら形成する。 - 特許庁

A face provided with a mask 6 for forming the ink supply orifice 8 in a substrate 1 has an area covered with the mask for anisotropic etching, the area of which consists of a part provided with OSF layers 11 and a part 15 not provided with the OSF layers, considering an amount of a side etching.例文帳に追加

基板１のインク供給口８を形成するためにマスク６が設けられる面について、異方性エッチング時にマスクで覆われる部分が、サイドエッチングの量を考慮して、ＯＳＦ層１１が設けられる部分と、設けられない部分１５とで構成されている。 - 特許庁

Then an etching gas is sprayed to the supporting auxiliary member 20 mounted with the unprocessed substrate W from the lower surface side with the sticking matters 310, to remove the sticking matters.例文帳に追加

次いで、未処理の基板Ｗを載置した支持補助部材２０に対し、付着物３１０のある下面側からエッチングガスを吹き付けて付着物を除去する。 - 特許庁

To provide a forming method of a pattern capable of forming a high precision fine pattern by reducing the side etch, when wet etching is used, and to provide a droplet discharging head.例文帳に追加

ウエットエッチングを用いた際のサイドエッチを低減することにより精度の高い微細なパターンを形成できる、パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッドを提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then forming a second silicon oxide film 154B, etching back, and processing so that the film 154B retains in a sidewall state on the side of the electrode 152.例文帳に追加

次に、第２シリコン酸化膜１５４Ｂを成膜し、エッチバックし、第１転送電極１５２の側部にサイドウォール状に第２シリコン酸化膜１５４Ｂが残るように加工する。 - 特許庁

To improve the reliability of wirings by preventing grain boundary etching in the surface of damascene wiring and thus eliminating deterioration such as side slits or pits, when forming damascene wiring.例文帳に追加

ダマシン配線の形成の際、ダマシン配線表面における粒界エッチングを防止し、サイドスリットやピット等の損傷をなくし、配線の信頼性を向上させる。 - 特許庁

Next, a groove 8 extending in the widthwise direction of the long-length substrate 1 is formed on the main surface side of the long-length substrate 1 by etching the exposed part on the long-length substrate 1.例文帳に追加

次に、長尺基板１の露出した部分をエッチングすることにより、長尺基板１の主面側に長尺基板１の幅方向に延びる溝部８を形成する。 - 特許庁

A recess is formed in a central region of the second doped layer 8, the side-etching prevention layer 7 and the first doped layer 6, so as to expose the layer 5 of n-Al0.22Ga0.78As there.例文帳に追加

第２ドープ層８、サイドエッチング防止層７および第１ドープ層６の中央部の領域にｎ−Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓ層５が露出するように凹部が形成される。 - 特許庁

Each substrate 60 is connected while passing through a downstream-side etching part 4, and then dissolved and has its resist removed with resist removing liquid while passing through a resist removal part 5.例文帳に追加

各基板６０は下流側のエッチング部４を通過する間は連結状態を維持し、レジスト除去部５を通過する間にレジスト除去液で溶解・除去される。 - 特許庁

Further a plurality of recessed parts 12 separated from each other at approximately equal intervals in the circumferential direction and radially extended are formed on a face at a bump foil 2 side of a top foil 3 by etching.例文帳に追加

また、トップフォイル３のバンプフォイル２側の面に、周方向に略等間隔に離間されると共に、径方向に延びる凹部１２を、エッチングによって複数形成する。 - 特許庁

A first doped layer 6 of n-GaAs, a side-etching prevention layer 7 of Al0.22Ga0.78As, and a second doped layer 8 of n-GaAs, are sequentially grown on a layer 5 of n-Al0.22Ga0.78As.例文帳に追加

ｎ−Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓ層５上にｎ−ＧａＡｓ第１ドープ層６、Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓサイドエッチング防止層７およびｎ−ＧａＡｓ第２ドープ層８が順に積層される。 - 特許庁

A stage member 21 which projects in the opposite side of a magnetic thin film layer (the processed layer) 18 is formed along the peripheral edge of a first mask layer 20 which corresponds to the contour of an etching pattern.例文帳に追加

エッチングパターンの輪郭に相当する第１のマスク層２０の周縁部に沿って、磁性薄膜層（被加工層）１８の反対側に突出する段部２１を形成する。 - 特許庁

Accordingly, the practical resist removing velocity can be attained in the mass-production system without any problems of variation in quality and side etching of insulation film, and insufficient exposure in the lithography process.例文帳に追加

本発明によれば、絶縁膜の変質やサイドエッチ、リソグラフィー工程における露光不良の問題がなく、量産で実用的なレジスト除去速度が得られる。 - 特許庁

Deposit 18 is eliminated as a secondary product which is generated following the etching of the film 14 and is stuck on a side surface of the resist 16.例文帳に追加

強誘電体材料膜１４のエッチングに伴って生じた二次生成物からなる堆積物１８であって、レジスト１６の側面に付着した堆積物１８を除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical integrated element using a simple and convenient manufacturing process, in which the effect due to oxidization and side etching of an Al-system semiconductor material is small, and combination efficiency is high.例文帳に追加

Ａｌ系半導体材料の酸化とサイドエッチの影響が小さく、結合効率が高い半導体光集積素子を、簡便な作製プロセスで提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a test pattern of a semiconductor device that allows recognizing an overetch or an underetch occurring at a side wall after an etching process.例文帳に追加

エッチング工程後に側壁で発生するオーバーエッチングまたはエッチング不足を確認することが可能な半導体素子のテストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In a second step, side walls 90 defining a large number of recesses 89 of the semiconductor substrate 3 are removed by etching in lateral direction parallel to the surface of the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 - 特許庁

Then, a protection film 31 is formed to cover at least the side face of the mask pattern 38, and the patterning of the functional films 28 and 29 is carried out by wet etching by using the mask pattern 38.例文帳に追加

そして、マスクパターン３８の少なくとも側面を覆う保護膜３１を形成し、マスクパターン３８を用いて、機能膜２８，２９をウエットエッチングによりパターニングする。 - 特許庁

To enhance the quality and the reliability of a magnetic tunnel effect type magnetic head by suppressing the re-deposition of a matter generated by etching onto the side surface part of a magnetic tunnel junction element.例文帳に追加

磁気トンネル接合素子の側面部分に被エッチング物が再付着するのを抑制することにより、品質及び信頼性の大幅な向上を可能とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a protection part preventing side etching in a producing method of a multi-layer pattern including two or more layers etched with the same etchant.例文帳に追加

同一のエッチャントでエッチングされる２層以上の層を含む多層膜パターンの製造方法において、サイドエッチングを防ぐための保護部を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing contamination-free semiconductor wafer which does not allow generation of local etching flaw in the rear surface side thereof and has improved yield of external appearance.例文帳に追加

半導体ウェーハの裏面側に局所的なエッチング痕の発生がなくて、汚れがなく、外観歩留が向上する半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

One side face of this film 15 is retreated 5-20% of the resist film width through CDE(chemical dry etching) using a mixed gas contg.例文帳に追加

その後、Ｃｌ_2とＡｒとＣＦ_4を含むガスを用いたＣＤＥにより、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１５の一方の側面が前記レジスト膜の幅の５％乃至２０％後退される。 - 特許庁

At the time of this etching, a lead electrode 38 to be connected to a heating element 36, and a dummy electrode 46 arranged at the downstream side of a recording direction of the heating element are formed.例文帳に追加

このエッチングの際に、発熱素子３６に接続されるリード電極３８と、前記発熱素子の記録方向の下流側に配置されダミー電極４６とを形成する。 - 特許庁

The control gates CG are formed so that a polysilicon layer 14 may be left in large amounts on an ONO film 13 in the side sections of memory gates MG through an anisotropic etching process.例文帳に追加

異方性エッチング工程を経てメモリゲートＭＧ側部のＯＮＯ膜１３上にポリシリコン層１４が多く残存するようにしてコントロールゲートＣＧを形成する。 - 特許庁