CDEとは 意味・読み方・使い方

Many kinds of gas species are classified into e.g. five groups A-D and typical effluence coefficients Cda-Cde are predetermined for the groups.例文帳に追加

多種のガス種を、たとえばＡ〜Ｄの５分類に区分し、各分類毎に代表的な流出係数Ｃｄａ〜Ｃｄｅを予め決めておく。 - 特許庁

In addition the formation of the notches is performed by oxidation or dry etching, such as the CDE, etc., using a mask.例文帳に追加

また、このような切り欠き形状の形成をマスクを用いた酸化処理もしくはＣＤＥなどのドライエッチングにより行う。 - 特許庁

When a direction in which the area to be measured (triangle CDE) is instructed by a cursor key [^] with a current position of the cursor Cm as a criterion, a graphic portion of the triangle CDE that is a closest closed area is detected and the cursor Cm is moved.例文帳に追加

そして、現在のカーソルＣｍの位置を基準に、測定対象の領域（三角形ＣＤＥ）が存在する方向をカーソルキー［↑］により指示すると、直近の閉じた領域である同三角形ＣＤＥの図形部分が検知されカーソルＣｍが移動される。 - 特許庁

A method for efficiently producing 2'-amino-5'-hydroxypropiophenone (e) corresponding to the AB-ring part of the camptothecin (CPT) skeleton and a tricyclic ketone (h) corresponding to the CDE ring part is provided.例文帳に追加

下記、カンプトテシン（ＣＰＴ）骨格のＡＢ環部分に相当する２’−アミノ−５’−ヒドロキシプロピオフェノン(e)およびＣＤＥ環部分に相当する三環性ケトン(h)を効率よく製造する方法。 - 特許庁

Next, by using chemical dry etching (CDE) method or the like, the polycrystal silicon film pattern 108 is isotropic etched from both sides direction and thus the gate electrode layer 115 is formed.例文帳に追加

次に、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）法等を用い、多結晶シリコン膜パターン１０８を両側面の方向から等方性エッチングし、ゲート電極層１１５を形成する。 - 特許庁

In a system wherein master station devices Ma, Mb, Mc, Md, Me are connected via optical cables Cab, Cbc, Ccd, Cde, each of the master station devices Ma, Mb, Mc, Md, Me comprises a connection information table 132.例文帳に追加

親局装置Ｍａ，Ｍｂ，Ｍｃ，Ｍｄ，Ｍｅを光ケーブルＣａｂ，Ｃｂｃ，Ｃｃｄ，Ｃｄｅを介して接続したシステムにおいて、各親局装置Ｍａ，Ｍｂ，Ｍｃ，Ｍｄ，Ｍｅに接続情報テーブル１３２をそれぞれ設けている。 - 特許庁

Therefore, the signal CDE is made an activation level after 1.5 clock cycle from an input of the active command and operation of a column system can be started.例文帳に追加

したがって、アクティブコマンドの入力から１．５クロックサイクル後に信号ＣＤＥを活性化レベルにして列系の動作を開始させることができ、無駄な待機時間を短くすることができる。 - 特許庁

One side face of this film 15 is retreated 5-20% of the resist film width through CDE(chemical dry etching) using a mixed gas contg.例文帳に追加

その後、Ｃｌ_2とＡｒとＣＦ_4を含むガスを用いたＣＤＥにより、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１５の一方の側面が前記レジスト膜の幅の５％乃至２０％後退される。 - 特許庁