「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an etching agent capable of etching a Cu film by an easy chemical etching method being a dipping method by rest process in the case that a Cu film of low resistance is used as a wiring material, small in the secular change of the etching grade and capable of preventing the occurrence of a pattern thinning phenomenon caused by the dispersion of the side etching amount of the Cu film.例文帳に追加

低抵抗のＣｕ膜を配線材料として用いる場合に、静止による浸漬法という簡易なケミカルエッチング法でＣｕ膜をエッチングでき、しかもエッチングレートの経時変化が少なく、Ｃｕ膜のサイドエッチング量のバラツキに起因するパターン細り現象が生じるのを防止できるエッチング剤の提供。 - 特許庁

To provide a plasma etching method, and the like, capable of performing favorable plasma etching treatment compared with a conventional manner, by which progress of side etching is inhibited and of suppressing generation of bowing, and further in-plane uniformity of etching shape is improved.例文帳に追加

サイドエッチングの進行を抑制してボーイングの発生を抑制することができるとともに、エッチング形状の面内均一性の向上を図ることができ、従来に比べて良好なプラズマエッチング処理を行うことのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a metal etching product with a high aspect ratio and a fine pitch which can obtain a remarkably high etching factor as design at high precision since etching can be performed to a depth direction while preventing side etching by the sidewall of an opening part, and to provide its production method.例文帳に追加

開孔部側壁によってサイドエッチングを防ぎつつ、深度方向にエッチングすることができるので、精度良く設計通りに飛躍的な高エッチングファクターが得られ、高アスペクト比かつファインピッチな金属エッチング製品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An anisotropic etching groove portion 10 in the drilled hole 9 is formed in a crystalline anisotropic etching process, then an isotropic etching process is selectively applied to the ion injection portion from the bottom side, and thereby, an isotropic selection etching groove portion 11 is formed.例文帳に追加

そして、穿設孔９の異方性エッチング溝部１０を結晶異方性のエッチング加工によって形成した後に、その底部側からイオン注入部位に等方性のエッチング加工を選択的に施すことにより、等方性選択エッチング溝部１１を形成する。 - 特許庁

Then, an oxide film is formed on all the surface through a CVD method, and a side wall 9 is formed on the side wall of the gate electrode 8 by etching back the oxide film.例文帳に追加

次に全面にＣＶＤ法で酸化膜を堆積し、エッチバックによってゲート電極８の側壁にサイドウォール９を形成する。 - 特許庁

In the chip-type solid electrolytic capacitor, a side surface of an anode side plating terminal plate is formed by etching.例文帳に追加

陽極側面めっき端子板の側面がエッチングにより形成されていることを特徴とするチップ形固体電解コンデンサを提供する。 - 特許庁

Further, overetching with proper depths is practiced after the dry-etching to remove side wall adhering films 55 remaining on the side walls of a circuit pattern completely.例文帳に追加

また、ドライエッチング後に適切な量のオーバーエッチングを行ってパターンの側面に残った側壁付着膜５５を完全に除去する。 - 特許庁

Next, anisotropic etching is applied on only the nitride film 124 whereby side walls 126 are formed on both-side surfaces of the gate electrode 116.例文帳に追加

次に、窒化膜１２４のみに異方性エッチングを行うことにより、ゲート電極１１６の両側面にサイドウォール１２６を形成する。 - 特許庁

Side etching of the gate insulation film of the channel region through region selective etching of the silicon oxide film by dry etching of poor selectivity, or leaving of the gate insulation film on the source and drain regions will be involved in the process.例文帳に追加

選択性の悪いドライエッチングで酸化シリコン膜の領域選択エッチングをしてチャネル領域のゲート絶縁膜をサイドエッチングしたり、ソース、ドレイン領域上のゲート絶縁膜を残したりすることがない。 - 特許庁

An etching stopper film 12 having an etching speed slower than the etching speed of an inter-layer insulating film 8 is buried in the inter-layer insulating film 8, so that the side face of a silicon active layer 3 constituting an MOSFET element can be surrounded.例文帳に追加

層間絶縁膜８のエッチング速度よりも遅いエッチング速度を有するエッチングストッパー膜１２をＭＯＳＦＥＴ素子を構成するシリコン活性層３の側面を囲むように層間絶縁膜内８に埋め込む。 - 特許庁

The first etching step includes a combination of etching in an atmosphere containing a hydrocarbon-based etchant and ashing in an oxygen-containing atmosphere, in which a protection layer is deposited on the side face of an active layer formed by the etching step.例文帳に追加

第１のエッチングでは、炭化水素系エッチャントを含む雰囲気におけるエッチングと酸素を含む雰囲気におけるアッシングとの組み合わせで、該エッチングで形成された活性層側面に保護層を堆積させる。 - 特許庁

The step includes forming an additional mask on the etching mask stack; and at least partially forming the side wall layer on the additional mask; etching a second set of characteristics in the etching mask stack.例文帳に追加

該ステップは、追加のマスクをエッチングマスクスタックの上に形成することと、側壁層を追加のマスクの上に形成することと、第２組の特徴を少なくとも部分的にエッチングマスクスタック内へとエッチングすることと、を含む。 - 特許庁

To stably carry out a uniform a wet-etching for a silver or silver alloy thin film layer by suppressing the occurrence of etch residual dross in a silver or silver alloy and suppressing the occurrence of side etching caused by over etching.例文帳に追加

銀又は銀合金薄膜層のウエットエッチングに当たり、銀又は銀合金のエッチング残渣の発生を抑制すると共に、オーバーエッチングによるサイドエチングの発生を抑制し、均一なエッチングを安定して行う。 - 特許庁

The p-side electrode directly covers the top face and side face of the ridge, and the etching stop layer by the side of the ridge, allowing ohmic contact to be formed by only the contact layer and causing current constriction.例文帳に追加

ｐ側電極はリッジ上面、リッジ側面、及びリッジ脇のエッチングストップ層上に直接被覆され、コンタクト層のみでオーミック接合が成され、電流狭窄を行う。 - 特許庁

Then, the method further includes a step of forming a sidewall 10 on a side face of the ferroelectric capacitor C by etching back this alumina.例文帳に追加

次に、このアルミナをエッチバックして強誘電体キャパシタＣの側面にサイドウォール１０を形成する。 - 特許庁

To hardly cause side etching to a semiconductor thin film made of a zinc oxide which is to be pattern formed.例文帳に追加

パターン形成される酸化亜鉛からなる半導体薄膜にサイドエッチングが生じにくいようにする。 - 特許庁

Then a counter substrate 5 is stuck on the device substrate 1 on the side where the etching preventive patterns 4 are formed.例文帳に追加

次に、デバイス基板１におけるエッチング防止パターン４の形成面側に対向基板５を貼り合わせる。 - 特許庁

The pinned layer 13 and the tunnel barrier layer 12 have a side wall 14 formed by etching.例文帳に追加

ピンド層１３およびトンネルバリア層１２は、エッチングによって形成された側壁部１４を有している。 - 特許庁

The entrance part 21 is formed by applying anisotropic wet etching from the side of the first layer 1 opposite to the second layer.例文帳に追加

第１層１の反第２層側から異方性ウェットエッチングを施して、入口部２１を形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory which can prevent an etching residue on side walls of an element isolation insulating film when a floating gate electrode is formed.例文帳に追加

浮遊ゲート電極形成時に素子分離絶縁膜の側壁に残渣が発生しないようにする。 - 特許庁

Consequently, at the same time of suppressing an etching quantity in the depthwise direction of a cavity 15, a side etch quantity can be increased.例文帳に追加

従って、窪み１５の深さ方向のエッチング量を抑えると同時に、サイドエッチ量を大きくできる。 - 特許庁

Next, a support substrate 106 is bonded to the surface element-formed side face of the wafer, and trenches 107 are formed by etching.例文帳に追加

ついで、表面素子側に支持基板１０６を接合し、エッチングによりトレンチ１０７を形成する。 - 特許庁

Spacers 118 are formed on the etching protection layer 116 on both side surfaces of each gate electrode 109.例文帳に追加

各ゲート電極１０９の両側面上のエッチング保護層１１６上にスペーサー１１８を形成する。 - 特許庁

The inclined side face 12a reduces etching residue to prevent short-circuit between the horizontal transfer electrodes.例文帳に追加

傾斜した側面１２ａによりエッチング残渣が低減し、水平転送電極間の短絡が防止される。 - 特許庁

The second layer insulation film 22 is etched by etching back from an opposite side to the substrate 1.例文帳に追加

そして基板１とは反対側からエッチバックを行うことにより、第２層絶縁膜２２をエッチングする。 - 特許庁

The acicula having the irregularity on the side faces is made by etching the acicula.例文帳に追加

また、側面に凹凸を有する針状結晶は針状結晶をエッチングすることにより作製する。 - 特許庁

Performing anisotropic etching forms a silicon-based film 22 only in a side wall of a step 21 of the alignment mark.例文帳に追加

異方性エッチングすることにより、アライメントマークの段差２１の側壁にのみ珪素系膜２２を形成する。 - 特許庁

After a sheet 16 is stuck to the whole surface of a semiconductor Si wafer 11 on the pattern forming side, chemical etching is performed to the no-pattern forming side (rear surface side) of the Si wafer 11 to the bottom face of a step 15 formed by performing reactive ion etching.例文帳に追加

半導体Ｓｉウエハ１１のパターン形成側全面に、シート１６を貼り付けた後、半導体Ｓｉウエハ１１の非パターン形成側（裏面側）に対して、リアクティブイオンエッチングを行って形成した段差１５の底面までケミカルエッチングを行う。 - 特許庁

An anisotropic etching and an isotropic etching are alternately repeated to a silicon substrate 112 from the side where a patterned oxide film 114 is formed, and then, a side wall surface 119 extending in a tapered state from a hollow part 144 to a groove bottom side, is formed.例文帳に追加

パターンニングされた酸化膜１１４が形成された側からシリコン基板１１２に異方性エッチングと等方性エッチングとを交互に繰り返すことにより、窪み１４４よりも溝底側にテーパ状に広がる側壁面１１９を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a MEMS device for reducing an amount of side etching in a part where etching is essentially undesirable when releasing a movable electrode to miniaturize this device.例文帳に追加

可動電極をリリースするときの本来エッチングを望まない部分のサイドエッチング量を軽減し、小型化を図ることが可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for a silver alloy film where, in a silver alloy film having an adhesive layer, a side etching width is reduced, and desired fine patterning is made possible.例文帳に追加

密着層を有する銀合金膜において、サイドエッチング幅を低減せしめ、所望の微細なパターニング加工を可能とする銀合金膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Besides, the active layer side face is protected by the protection layer formed in the first etching step and therefore, damage to the active layer 24 during the second etching step is reduced.例文帳に追加

活性層側面はその上に第１のエッチングで形成された保護層で保護されるので、第２のエッチング中における活性層２４へのダメージは低減される。 - 特許庁

An etching stopper 2 having light-transmission and insulation property is formed on one side surface 31 of a main substrate 5 and an EL element 6 is formed on the etching stopper 2.例文帳に追加

主基板５の一方面３１上に透光性および絶縁性を有するエッチングストッパ２を形成し、このエッチングストッパ２の上にＥＬ素子６を形成する。 - 特許庁

Next, a second etching-resistant resin layer 24 is formed on the second resist layer 22, and the opening 11 is formed by performing etching from the one surface 20A side of the metal substrate 20.例文帳に追加

次に第２のレジスト層２２上に、第２の耐エッチング樹脂層２４を設け、金属基板２０の一面２０Ａ側からエッチングを施して、開孔１１を形成する。 - 特許庁

An auxiliary film is formed on a side wall of the pattern and etched to form a second etching mask pattern 121a between first etching mask patterns in an automatic alignment manner.例文帳に追加

このパターンの側壁に補助膜を形成し、これをエッチングすることにより、第１のエッチングマスクパターン間に第２のエッチングマスクパターン１２１ａを自動整列方式で形成する。 - 特許庁

A source/drain diffusion layer 15 is formed on a surface side of the semiconductor substrate 1, and the second sidewall 13a is selectively removed by wet etching using an alkaline etching solution.例文帳に追加

半導体基板１の表面側にソース／ドレイン拡散層１５を形成し、アルカリエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、第２サイドウォール１３ａを選択的に除去する。 - 特許庁

At that time, SF_6 gas is added for etching in addition to Cl_2 and O_2 used for etching gas to make isotropic etching possible, and thereby an amount of etching residues 9 left on the side surface of an FLR 5 can be reduced.例文帳に追加

半導体基板３上のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をドライエッチングにより加工し、ゲート電極８Ｇを形成する際、エッチングガスに使用するＣｌ_２及びＯ_２ガスに加え、ＳＦ_６ガスを添加してエッチングすることにより、等方性エッチングを可能にし、ＦＬＲ５の側面のエッチング残り９の量を低減させる。 - 特許庁

A filter composed of an etching resistant mask and a protective film to protect the etching resistant mask provided on the reverse side of a silicon substrate is formed at the same time as the etching when the ink supply section is formed in a silicon substrate by anisotropic etching to prevent refuse or foreign matter from intruding into ink discharge openings.例文帳に追加

インク吐出口へのゴミや異物の進入を防止するため、シリコン基板にインク供給部を異方性エッチングによって形成する際に、シリコン基板の裏面に設けた耐エッチングマスクと耐エッチングマスクを保護する保護膜で構成されるフィルターを、該エッチングと同時に形成することを特徴とする。 - 特許庁

Even if a plurality of etching treatment processes are not carried out, the side etching can be prevented by effecting the coating treatment process between the first etching treatment process and the second etching treatment process, so that a plurality of processed layers can be formed in a desired shape by a smaller number of man-hours.例文帳に追加

第１エッチング処理工程と第２エッチング処理工程との間に、被覆処理工程を設けることによって、エッチング処理工程を複数回行わなくても、サイドエッチを防止することができ、少ない工数で、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる。 - 特許庁

An etching treatment is performed to a thick copper foil in the one side or the vertical side of the assembled coil substrate 1A, and a guide 6 is formed.例文帳に追加

巻芯４のコイル巻部２及びガイド部６をレジスト処理により絶縁層７を形成し、ダイシングにより単体化したコイルボビンを形成する。 - 特許庁

The film 105 is subjected to anisotropic dry etching, and a side wall insulating film 106 is formed on a side surface of the gate electrode 103.例文帳に追加

その後、側壁用絶縁膜１０５の異方性ドライエッチングを行い、ゲート電極１０３の側面上に側壁絶縁膜１０６を形成する。 - 特許庁

Since a step is mitigated by the side spacer in the side part of the electrode layer 14a, the etching residue is eliminated between the electrode layers 28A and 28B.例文帳に追加

電極層１４ａの側部ではサイドスペーサにより段差が緩和されるため、電極層２８Ａ，２８Ｂの間にエッチング残りがなくなる。 - 特許庁

A mask pattern is formed having a pair of slits corresponding to the side faces, and after wet etching is performed to form the side faces formed of the (111) faces, a part other than the plate-like structure is eliminated by dry etching.例文帳に追加

側面に対応して一対のスリットを有するマスクパターンを形成し、ウエットエッチングを行って（１１１）面からなる側面を形成した後、板状構造体以外の部分をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

Thereby, the amount of side etchings is decreased and thereafter, a silicon film is deposited and generation of the residues of the silicon film on a side etching part 5 is eliminated by an anisotropic etching at the formation of a low-breakdown voltage gate electrode 8.例文帳に追加

これによってサイドエッチ量が減少し、その後シリコン膜を堆積して低電圧部のゲート電極８を形成するときの異方性エッチングでサイドエッチ部５にシリコン膜の残留物が生じることがなくなる。 - 特許庁

An etching opening 3 with the same size as that of the surface electrode is formed to one side of a mask plate 1, and an etching opening 3a with a size increased by the thickness of the mask plate 1 is formed to the other side.例文帳に追加

表面電極と同一寸法のエッチング開口部３をマスク板１の片面に形成し、もう一方の面にはマスク板１の厚さ相当分だけ大きくした寸法のエッチング開口部３ａを形成する。 - 特許庁