「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

A manufacturing method of a nitride-based semiconductor laser device includes steps of etching the back surface (nitrogen face) of an n-type GaN substrate 1 having a wurtzite structure by RIE method and forming an n-side electrode 8 on the etched back surface (nitrogen face) of the n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing quartz vibrator preventing out-of-plane vibration that arises at vibration leg even at the absence of angular velocity because of residues of a side surface of the vibration leg of a quartz vibrator for vibration gyro in wet etching process.例文帳に追加

ウエットエッチング加工で製作する振動ジャイロ用水晶振動子の振動脚の側面残渣は、角速度が発生していないときも振動脚に面外振動を生じる原因となるが、そのような面外振動を生じない水晶振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetoresistive effect device, a coating layer removed in a subsequent process is previously formed on the protection layer 26, and an oxidized layer formed by naturally oxidizing a part of the upper side of the coating layer and the coating layer are removed before the electrode layers 6 are formed by etching.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置の製造方法では、予め、保護層２６の上に、後の工程で除去される被覆層を形成しておき、電極層６を形成する前に、被覆層の上面側の一部が自然酸化されて形成された酸化層および被覆層をエッチングによって除去する。 - 特許庁

In the vapor deposition film, plasma treatment by a reactive ion etching (RIE) method is applied to one side of a coextrusion stretched film base material made of at least a polyester resin and a polyamide resin, and a vapor deposition film layer of an inorganic compound is formed on the plasma-treated surface.例文帳に追加

少なくともポリエステル樹脂とポリアミド樹脂からなる共押出し延伸フィルム基材の片面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によるプラズマ処理を施し、該プラズマ処理面上に無機化合物の蒸着膜層を設けたことを特徴とする蒸着フィルムである。 - 特許庁

In the inkjet head, each plate constituting a channel substrate is formed by etching a substrate comprising single crystal silicon, a part of a diaphragm opposes a part of a restrictor, and the diaphragm is recessed as compared with a diaphragm plate both on the side being bonded to a chamber plate and the side being bonded to a piezoelectric element.例文帳に追加

インクジェット式記録ヘッドにおいて、前記流路基板を構成する前記各プレートは全て単結晶シリコンを有する基板をエッチング加工して形成され、前記振動板の一部と前記リストリクタの一部とが対面してなり、且つ、前記振動板は、チャンバープレートに接合される側及び圧電素子と接合される両面がダイアフラムプレートに比べて凹形状に構成する。 - 特許庁

A conductor foil stuck on one surface of an insulating substrate having the device hole is pattern-processed by wet etching using an etchant to which an inhibitor is added to make the top width wider than the bottom width, and a bottom side is caused to stick into an electrode pad of the semiconductor chip, thereby achieving secure bonding to the electrode pad on an insulating substrate side in the device hole.例文帳に追加

デバイスホールを有する絶縁性基板の片面に張り合わされた導体箔を、インヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングによってパターン加工することで、ボトム幅よりもトップ幅の方が広くなり、電極パッドに突き刺さるよう作用させ、デバイスホール内の絶縁性基板側で半導体チップの電極パッドに対して確実な接合を得ることができる。 - 特許庁

Electrodes 2a-2f and 3a-3f and a wiring metal layer for connection with a photoelectric converting element are formed on both sides of the insulating substrate 1, and on the side face of a slit-like opening formed previously in the insulating substrate, and a dividing part 9 is formed by removing part of the metal layer formed on the side face of the opening selectively by machining or chemical etching.例文帳に追加

予めスリット状の開口部を形成して絶縁基板１の表裏両面及び前記開口部の側面に光電変換素子へ接続するための電極２ａ〜２ｆ、３ａ〜３ｆ及び配線用の金属層を形成するとともに、前記開口部側面に形成された金属層の一部を機械加工または化学エッチングにより選択的に除去して分断部９を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of an optical semiconductor element comprises the steps of forming a substantially stripe-shaped protruded structure by selectively dry etching an InGaAlP layer formed on a substrate up to the middle of its thickness, forming a protective film on the upper surface and both side surfaces of the protruded structure, and forming the ridge including the protruded structure by etching the InGaAlP layer around the protruded structure with a solution containing fluorinated acid.例文帳に追加

基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ層をその厚みの途中まで選択的にドライエッチングして略ストライプ状の凸状体を形成する工程と、前記凸状体の上面と両側面とに保護膜を形成する工程と、前記凸状体の周囲の前記ＩｎＧａＡｌＰ層をフッ酸を含有する溶液でエッチングすることにより、前記凸状体を含むリッジを形成する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method, a low defect region having a defect density of 10^6 cm^-2 or less and a trench region with a recess formed in the surface of a nitride semiconductor substrate and the etching angle θ between the side face of the recess and its bottom side extension line ranges as 75° ≤ θ≤ 140° in a sectional view of the recess.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子及びその製造方法は、窒化物半導体基板の表面に、欠陥密度が１０^6ｃｍ^-2以下の低欠陥領域と、凹部が形成された掘り込み領域とが設けられ、前記凹部の断面形状において、前記凹部の側面部と前記凹部の底面部延長線との間の角度であるエッチング角度θが、７５度≦θ≦１４０度であることを特徴とする。 - 特許庁

In the production process of a solar cell element comprising a step for forming micro protrusions/recesses on one major surface side of a semiconductor substrate having one conductivity type by dry etching and a step for providing a reverse conductivity type semiconductor region on one major surface side of a semiconductor substrate, the amount being dry etched is limited to 0.015 mg per 1 cm^2 of substrate area.例文帳に追加

一導電型を有する半導体基板の一主面側にドライエッチングで微細な凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記半導体基板の一主面側に逆導電型半導体領域を設ける逆導電型半導体形成工程とを具備した太陽電池素子の製造方法において、前記ドライエッチングによりエッチングされる量が、基板面積１ｃｍ^２当たり０．０１５ｍｇを超えないようにした。 - 特許庁

Subsequently an interlayer insulating film and a spacer insulating film 117 formed on the entire surface are patterned, and self-alignment contact holes, making the semiconductor substrate 101 between the gate electrodes 107a expose, are formed, and spacers 117a are formed in the side wall of the gate electrodes 107a and the etching protecting film pattern 109a.例文帳に追加

その後全面に形成された層間絶縁膜及びスペーサ絶縁膜１１７をパターニングし、ゲート電極１０７ａの間の半導体基板１０１を露出させる自己整列コンタクトホールを形成し、ゲート電極１０７ａ及びエッチング阻止膜パターン１０９ａの側壁にスペーサ１１７ｓを形成する。 - 特許庁

The laminated film is obtained by subjecting at least one side of a substrate made of polyethylene terephthalate (PET) to preparatory treatment by reactive ion etching (RIE), laminating a primer layer on the treated surface of the substrate, laminating an inorganic compound layer on the primer layer, and laminating a gas-barrier coat layer on the inorganic compound layer.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基材の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）による前処理を施し、この前処理を施した基材面上にプライマー層を積層し、このプライマー層上に無機化合物層を積層し、この無機化合物層にガスバリア被覆層を積層する。 - 特許庁

Even if an etched groove 71 is formed at a storage electrode at the completion stage of over-etching due to unconformity between a bar pattern 70 of the storage electrode and an embedded contact hole 53, the etched groove 71 is filled with a conductive spacer 73 on the side wall of the bar pattern 70 before a dielectrics film 80 is laminated on the storage electrode.例文帳に追加

ストレージ電極のバーパターン７０と埋没コンタクトホール５３との不整合のため、オーバエッチング終了段階でストレージ電極に食刻溝７１が形成されても、この食刻溝７１を、バーパターン７０側壁の導電性スペーサ７３で充填した後、ストレージ電極上に誘電体膜８０を積層する。 - 特許庁

The photomask blank is for dry-etching processing and has, in order from the light-transmissive substrate side, a layer comprising a material having metal, silicon, oxygen, and/or nitrogen as main components and a layer comprising a material mainly containing chromium and nitrogen and substantially having a diffraction peak of CrN(200) in X-ray diffraction.例文帳に追加

該フォトマスクブランクは、ドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、透光性基板側から、金属、シリコン、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料からなる層と、主にクロムと窒素とを含む材料からなり、かつ、Ｘ線回折による回折ピークが実質的にＣｒＮ(２００)からなる層とを有する。 - 特許庁

For example, an R part which is a first reinforcing part 303 is formed on a corner part of a space formed by selectively removing an unnecessary part of the metal material, and a thick part is formed as a second reinforcing part 304 by selectively making a side wall part 302 of the cover 300 thick by etching.例文帳に追加

例えば、金属材料の不要部分を選択的に除去して形成された空間のコーナ部に第１の補強部３０３であるアール部を形成したり、エッチングにより蓋３００の側壁部３０２を選択的に肉厚にすることで、その肉厚の部分を第２の補強部３０４として形成したりすることができる。 - 特許庁

This is an etching method for selectively removing a stacked film made on a semiconductor wafer, and herein a semiconductor wafer 1 is turned upside down horizontally, and is held with a cup 2 for wafer protection being a wafer holder, and the wafer holder is spin-rotated, while being supplied with etchant 3 from the rear side of the semiconductor wafer 1.例文帳に追加

半導体ウェハ上に形成した堆積膜を選択的に除去するエッチング方法であって、その裏面を上にし水平にして半導体ウェハ１をウェハ保持体であるウェハ保護用カップ２に保持し上記ウェハ保持体をスピン回転させ上記半導体ウェハ１の裏面側よりエッチング液３を供給する。 - 特許庁

The method includes manufacturing a laminated body in which a lower semiconductor DBR, a resonator structure including an active layer, an upper semiconductor DBR including a selectively oxidized layer etc., are laminated on a substrate; and etching the laminated body from an upper surface to form a mesa structure having at least the selectively oxidized layer exposed at a side surface.例文帳に追加

基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層された積層体を作成し、該積層体を上面からエッチングし、少なくとも被選択酸化層が側面に露出しているメサを形成する。 - 特許庁

The first mask layer 14 and the magnetic recording layer 13 are etched with reactive ion etching under heating by using a mixed gas composed of gaseous chlorine, gaseous argon, and gaseous oxygen in a vacuum, and using the second mask layer 15a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask.例文帳に追加

真空中で塩素ガスとアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第２のマスク層１５ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって第１のマスク層１４及び記録用磁性層１３をエッチングする。 - 特許庁

To solve the problem in which when a plurality of semiconductor devices are manufactured utilizing a laminate structure including a p-type group III nitride semiconductor layer, subjected to etching and other process and divided into individual semiconductor devices, a leak current flows along a surface of the p-type group III nitride semiconductor layer exposed on a side surface of the individual semiconductor devices.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層を含む積層構造を利用して複数個の半導体装置を製造し、エッチング等して個々の半導体装置に分割すると、個々の半導体装置の側面に露出するｐ型のIII族窒化物半導体層の表面に沿ってリ−ク電流が流れてしまう。 - 特許庁

In the manufacturing method of semiconductor package provided with a plurality of independent terminal electrodes, terminal electrodes are formed by etching on a supporting tape (1) and the supporting tape (1) is peeled after the terminal electrodes are fixed under the condition that an external substrate connecting surface side of the terminal electrodes is embedded by 50 to 60 μm to a supporting tape (2).例文帳に追加

複数の互いに独立した端子電極を備える半導体パッケージの製造方法において、支持テープ（１）上に端子電極をエッチングによって形成し、支持テープ（２）に端子電極の外部基板接続面側を５０〜６０μｍ埋め込んだ状態で端子電極を固定した後に支持テープ（１）を剥離する。 - 特許庁

The diffusion region 102 has: a bent part; a groove 105 formed by etching the substrate 101 along the diffusion region 102 at the outer side of the bent part of the diffusion region 102; and a buffer layer 1 (111) having a refractive index equal to or greater than that of the substrate 101 and provided at the upper part of the diffusion region 102.例文帳に追加

この拡散領域１０２は、曲がり部を有し、拡散領域１０２の曲がり部の外側に、拡散領域１０２に沿って基板１０１を掘り下げて形成した溝１０５と、拡散領域１０２の上部に設けられ、基板１０１の屈折率以上の屈折率を有するバッファ層１（１１１）と、を備えてなる。 - 特許庁

In this way, since the etching process is performed in a condition where the cover rinse part CL is provided to the substrate-end surface side of the hardly soluble layer UL and the exposed base layer DL is protected, only the hardly soluble layer UL formed at the surface edge part TR of the substrate W is selectively etch-removed.例文帳に追加

このように難溶性層ＵＬの基板端面側にカバーリンス部ＣＬを設けて露出した下地層ＤＬを保護した状態でエッチング処理を行っているため、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬのみを選択的にエッチング除去することができる。 - 特許庁

To provide a (meth)acrylic polymer high in transparency to radiation, excellent in basic properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, pattern form, etc. especially excellent in the solubility to a resist solvent, and suitable for a radiation-sensitive resin compound which reduces the roughness on a pattern side wall after developing.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減する感放射線性樹脂組成物に適した（メタ）アクリル系重合体を提供する。 - 特許庁

To suppress troubles of allowing insulative reaction byproducts to adhere on the surface of an underlying Cu interconnections exposed on the bottoms of interconnection grooves, and allowing a silicon carbide film and an organic insulating film exposed on the sidewalls of interconnection grooves to be side-etched, in forming interconnection grooves on the underlying Cu interconnections by dry-etching an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜をドライエッチングして下層のＣｕ配線の上部に配線溝を形成する際、配線溝の底部に露出した下層のＣｕ配線の表面に絶縁性の反応物が付着したり、配線溝の側壁に露出した炭化シリコン膜や有機絶縁膜がサイドエッチングされるという不具合を抑制する。 - 特許庁

A size of the semiconductor chip is limited to 0.5 mm or less to bring improvement for bending and a concentrated over-load, the etching separation provides the semiconductor chip free from crack breakage, and short circuiting in an edge portion is prevented by the oxide film of the side wall when contacting with the antenna, allowing a simple process adoption.例文帳に追加

半導体チップのサイズを０．５ｍｍ以下に限定することにより、曲げ、集中過重に対して改善でき、又エッチング分離によって亀裂破壊のない半導体チップとなり、又側壁の酸化膜によってアンテナとの接着時にエッジ部分のショートが防止でき簡便な工程が採用できる。 - 特許庁

An HTO film 4a is formed isotropically along an internal surface of the element separating groove 3, and an HTO film 4a formed at a center portion of a bottom surface 3a of the element separating groove 3 is removed in an RIE method by anisotropic etching to leave the HTO film 4a along a side wall surface 3b of the element separating groove 3.例文帳に追加

素子分離溝３の内面に沿ってＨＴＯ膜４ａを等方的に形成し、素子分離溝３の底面３ａの中央部に成膜されたＨＴＯ膜４ａをＲＩＥ法により異方性エッチングして除去し、ＨＴＯ膜４ａを素子分離溝３の側壁面３ｂに沿って残留させる。 - 特許庁

Since etching removal is carried out while the periphery region of the surface is covered entirely with the rinsing liquid, adhesion of the chemical to a side of the non-treatment region NTR2 and rinse defects can be prevented and the interface of the treatment region TR and the non-treatment region NTR2 is favorably formed in the periphery region of the surface.例文帳に追加

このように表面周縁領域全体をリンス液で覆いながらエッチング除去を行っているので、非処理領域ＮＴＲ２側への薬液付着やリンス不良を防止することができ、表面周縁領域に処理領域とＴＲ非処理領域ＮＴＲ２の界面を良好に形成することができる。 - 特許庁

This dry etching apparatus comprises a vacuum container 2 with a treatment chamber 1 formed inside thereof, a substrate holding means 5 to hold a substrate S to be treated inside the treatment chamber 1, a substrate pushing-up means 8 which pushes up the substrate S held by the substrate holding means 5 from a back side thereof and separates the substrate from the substrate holding means 5.例文帳に追加

処理室１が内部に形成された真空容器２と、処理室１内部において被処理基板Ｓを保持する基板保持手段５と、基板保持手段５によって保持された被処理基板Ｓをその裏面側から押し上げて基板保持手段５から分離させる基板押上手段８と、を備える。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device comprises: forming the insulating film on a first conductor film; and forming a recess in an upper part of the insulating film exposed in an opening of a mask film and sticking reaction products on a lower part of a side wall part of the mask film through anisotropic etching using the mask film having the opening for exposing the insulating film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、第１の導電体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜を露出する開口部を有するマスク膜を用いた異方性エッチングにより、開口部に露出した絶縁膜の上部に凹部を形成すると共に、マスク膜の側壁部下部に反応生成物を付着させる。 - 特許庁

When a wiring trench 113 or a wiring trench and a connection hole are formed in an insulating film, in a forming process of a multilayer wiring having a metal wiring of copper or copper alloy, an edge cut region formed in a photoresist 105 for etching an upper layer insulating film 104 is shifted to the outer side of the insulating film 104.例文帳に追加

銅又は銅合金の金属配線を有する多層配線の形成工程において、絶縁膜に配線溝１１３もしくは配線溝及び接続孔をエッチング形成する際に、上層の絶縁膜１０４のエッチング用のフォトレジスト１０５に形成されたエッジカット領域を絶縁膜１０４の外側にずらす。 - 特許庁

Upper nozzles and lower nozzles for discharging the cleaning liquid and a side nozzle for discharging the cleaning liquid vertically with respect to the advancing direction of a substrate for the liquid crystal display are arranged in a cleaning part of a sheet-fed treating unit for peeling off the resist or carrying out etching treatment or the like by using the liquid chemical at the step to manufacture the substrate.例文帳に追加

液晶ディスプレイ基板の製造工程の、薬液を用いたレジスト剥離処理またはエッチング処理等を行う枚葉処理装置の洗浄処理部において、洗浄液を吐出する上部ノズル、下部ノズル及び基板の進行方向に対して垂直に吐出する側面ノズルを設ける。 - 特許庁

InGaAs is selectively etched by wet etching using phosphoric acid and hydrogen peroxide in aqueous solution to pattern an n-InGaAs layer 102 to form a source contact layer (a first semiconductor layer) 112, and a side part of a channel layer 114 is etched to form a channel layer 114a whose width is narrowed.例文帳に追加

リン酸および過酸化水素水を用いたウェットエッチングにより選択的にＩｎＧａＡｓをエッチングすることで、ｎ−ＩｎＧａＡｓ層１０２をパターニングしてソースコンタクト層（第１半導体層）１１２を形成するとともに、チャネル層１１４の側部をエッチングして幅が狭くされたチャネル層１１４ａを形成する。 - 特許庁

Grooves 2a are formed in device isolation regions in a substrate 1 by dry etching using silicon nitride films 14 and side wall spacers 16 as masks.例文帳に追加

窒化シリコン膜１４とサイドウォールスペーサ１６とをマスクにしたドライエッチングによって、素子分離領域の基板１に溝２ａを形成した後、窒化シリコン膜１４の側壁のサイドウォールスペーサ１６を除去し、次いで、基板１を熱酸化することによって、活性領域の周辺部の基板１の表面をラウンド加工し、凸状の丸みが付いた断面形状とする。 - 特許庁

The upper surface 10 side of the substrate 1 is polished at the same time when etching it by a mechanical polishing method, so that the part of the sheet metal layer 4 and the metal plating layer 5 which is formed on the upper surface 10 of the substrate 1 is polished and removed, resulting in forming through-hole electrodes 3 and 3 in the through-holes 2 and 2 of the substrate 1.例文帳に追加

その後、基板１の上面１０側を化学的機械的ポリッシング法によってエッチングと同時に研磨を行い、シートメタル層４及び金属めっき層５のうち基板１の上面１０に形成された部分を研磨除去し、スルーホール電極３，３を基板１のスルーホール２，２に形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of the laminated metallic plate is featured that after ion-etching of at least one side of joining surfaces of the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5, the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5 are pressure joined and successively, a heating diffusion treatment is applied, in a vacuum vessel.例文帳に追加

真空槽内で、第一の金属帯４の被接合表面と第二の金属帯５の被接合表面の少なくとも一方の面側をイオンエッチングした後、前記第一の金属帯４と第二の金属帯５とを圧接し、ついで加熱拡散処理を行うことを特徴とする積層金属板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for forming a junction hole of a semiconductor device which can form a junction hole with minuteness and high aspect ratio with a mixture gas including at least a fluorocarbon gas for an etching gas to etch an interlayer dielectric film covering an electrically conducting layer, controlling generation of side spread in the junction hole.例文帳に追加

少なくとも導電層を被覆する層間絶縁膜をエッチングするエッチングガスにフルオロカーボンガスを含む混合ガスを用いて、接続孔内部で横方向広がり部の発生を抑制しながら、微細で且つ孔アスペクト比の接続孔を形成できる半導体装置の接続孔形成方法を提供する。 - 特許庁

The second thin film portion may be formed by depositing a sacrifice area to the perpendicular wall of a first limit layer, depositing a second limit layer to the side surface where the sacrifice area is not deposited, removing thereafter the sacrifice area, forming a sublithographic aperture for etching the mold aperture in the mold layer, and then filling the mold aperture.例文帳に追加

第２の薄膜部分は、第１限界層の垂直壁に犠牲領域を付着し、犠牲領域の堆積のない側面に第２限界層を付着し、その後犠牲領域を取り除き、モールド層内のモールド開口部エッチング用のサブリソグラフィック開口部を形成し、モールド開口部を充填することにより形成する。 - 特許庁

Since an etching preventing film 118 is formed in both side walls of a second conductive film, it is possible to prevent the increase of resistance and falling down of the storage node 116 generated as a storage contact plug 114 inside a contact hole, and the storage node 116 are etched due to overetching for the formation of the storage node 116.例文帳に追加

第２導電膜の両側壁にエッチング防止膜１１８が形成されるので、ストレージノード１１６の形成のためのオーバーエッチングでコンタクトホール内のストレージコンタクトプラグ１１４及びストレージノード１１６がエッチングされ発生する抵抗の増加及びストレージノード１１６の倒れを防止することができる。 - 特許庁

To provide a copper foil for a printed wiring board, which is free of locally eroded recesses on a glossy face side thereof during soft etching processing and is not discolored even by high-temperature treatment at 300°C for 30 minutes and has an excellent solubility in acid solution, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

圧延銅箔の光沢面側において、ソフトエッチング処理の際、局部的に侵食された凹みが生じることがなく、また３００℃、３０分の高温処理でも変色を起こさず更に酸溶液に対する溶解性が良好なプリント配線板用銅箔およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case, after multiple electrode parts, each of which has a predetermined thickness, are provided on the edge parts of the connection side surface 2a, surface layer parts of the electrode parts in regions which exclude regions where the heights of the mounting terminals 4 are increased, from among the multiple electrode parts, are removed by etching to reduce the heights of the electrode parts in the regions.例文帳に追加

この場合、接続側面２ａの縁部上に所定の厚さの電極部を複数設けた後、当該複数の電極部のうち実装端子４の高さを高くする領域以外の領域の電極部の表層部分をエッチングによって除去して当該領域の電極部の高さを低くする。 - 特許庁

By repeating the deposit process and the etch-back process, the thickness of the second mask 16 (18) is adjusted to have a desired thickness, and by repeating the thickness adjustment of the second mask and the in-opening etching process, the inner side face of the opening (the recessed section 19) is substantially inclined.例文帳に追加

堆積工程とエッチバック工程とを繰り返すことにより、第２マスク１６（１８）の厚さを所望の厚さに調整し、この第２マスクの厚さの調整と、開口部内エッチング工程とを繰り返すことにより、開口部（凹部１９）の内側面を実質的に傾斜させる、傾斜形状の加工方法。 - 特許庁

A wafer 1 provided, on the lower non-processing surface side thereof, with a protective film 21 is mounted on a base plate 25 and a tubular frame 26 having a packing 29 for sealing the outer circumferential fringe part on the upper surface of the wafer 1 is set and suction-fastened by means of a cylinder 28 thus forming a processing chamber 30 in an etching pot 22.例文帳に追加

ベース板２５上に下面側の非処理面に保護膜２１を設けたウエハ１を載置し、ウエハ１の上面外周縁部をシールするパッキン２９を有した筒状枠体２６をセットし、シリンダ２８により吸引締結することにより、エッチングポット２２の内部に処理室３０を構成する。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a line 105b having an upper surface and a side face covered with the silicon oxide film; then forming a sacrifice interlayer film 132a made of an organic application film for covering the line and not containing silicon on an entire surface; and etching the sacrifice interlayer film and a lower layer insulation film sequentially to form a contact hole 108, thereby forming the contact plug.例文帳に追加

上面及び側面が酸化シリコン膜で覆われた配線１０５ｂを形成した後、配線を覆って全面にシリコンを含有しない有機塗布膜からなる犠牲層間膜１３２ａを形成し、犠牲層間膜および下層絶縁膜を順次にエッチングしてコンタクトホール１０８を形成し、コンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

To provide a producing method for semiconductor device, with which the deposition of polymerized films on the surface of a wafer is suppressed in the case of etching an insulating film with a resist pattern as a mask and satisfactory alloy reaction can be provided between a metal depositing film and the surface of the wafer while unnecessitating the mask formation of a side in a following lift-off process.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとする絶縁膜のエッチングの際に基板表面への重合膜の堆積を抑制し、その後のリフトオフ工程におけるサイドのマスク形成を不要としながら金属蒸着膜と基板表面との間の良好なアロイ反応を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve a problem of deterioration of transistor characteristics that a in a method for manufacturing a semiconductor device which carries out a self-aligning contact technique, if an offset insulation film, a side wall insulation film, an etching stopper film and the like are formed with a silicon nitride film, there occurs piercing into a substrate made of boron with hydrogen generated when a film is formed.例文帳に追加

自己整合コンタクト技術を行う半導体装置の製造方法において、オフセット絶縁膜、サイドウォール絶縁膜、エッチングストッパ層等を窒化シリコン膜で形成すると、成膜時に発生した水素によって、ホウ素の基板への突き抜けが生じ、それによって、トランジスタ特性を劣化させていた問題の解決を図る。 - 特許庁