「silicon thin layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The active material layer 2 either contains silicon system particles or consists of a silicon system thin film.例文帳に追加

活物質層２は、シリコン系の粒子を含むか、又はシリコン系の薄膜からなる。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has a silicon substrate 11, a thin silicon germanium layer 12 formed on the silicon substrate 11, and a silicon layer 13 formed on the silicon germanium layer 12.例文帳に追加

半導体基板１０は、シリコン基板１１と、このシリコン基板１１上に形成された薄いシリコンゲルマニウム層１２と、このシリコンゲルマニウム層１２上に形成されたシリコン層１３とを有する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR INVOLVING CRYSTALLINE SILICON ACTIVE LAYER例文帳に追加

結晶質シリコン活性層を含む薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

The thin film transistor is formed on the crystallized first silicon layer.例文帳に追加

結晶化された第１のシリコン層に薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

A MOSFET is manufactured as an SOI(silicon on insulator) having the intermediate layer of oxide and a comparatively thin active layer overlapped on the layer of a substrate.例文帳に追加

MOSFETを、酸化物の中間層及び基板の層上に重なる比較的薄い活性層を有するSOI（silicon on insulator）素子として製造する。 - 特許庁

To solve the problem with a thin-film semiconductor device, which has silicon, containing crystalline silicon and amorphous silicon, in an active layer, wherein the active layer is easily peeled off from a gate insulating layer, resulting in preventing the thin-film semiconductor device from achieving superior characteristics.例文帳に追加

結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコンを活性層に有する薄膜半導体装置は、活性層がゲート絶縁層から剥がれやすく、良好な特性が得られない。 - 特許庁

Each anti-diffusion layer is formed by a metallic thin film such as Ti, Ni, Cr, W, Al or the like, a silicon oxide film, a silicon nitride film or a glass thin film.例文帳に追加

拡散防止層は、Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｗ，Ａｌ等の金属薄膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はガラス薄膜で形成する。 - 特許庁

A metal thin film layer 24 is formed on the silicon substrate 23, and a thin film multilayer substrate 21 is formed on the layer 24.例文帳に追加

シリコン基板２３上にメタル薄膜層２４を形成し、その上に薄膜多層基板２１を形成する。 - 特許庁

The first photodetector PD1 is covered with a silicon thin film 15 formed of an amorphous silicon layer.例文帳に追加

第１の受光素子ＰＤ１は、アモルファスシリコン層からなるシリコン薄膜１５に覆われている。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING SILICON-BASED THIN FILM, METHOD FOR DEPOSITING SILICON-BASED SEMICONDUCTOR LAYER AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT例文帳に追加

シリコン系薄膜の形成方法、シリコン系半導体層の形成方法及び光起電力素子 - 特許庁

A pillar is placed on the thin silicon layer near the first mirror.例文帳に追加

第１のミラーの近くの薄いシリコン層上に、支柱が配置される。 - 特許庁

METHOD TO VAPOR-DEPOSIT CRYSTALLINE SILICON THIN FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION LAYER例文帳に追加

結晶質シリコン系薄膜光電変換層を気相堆積する方法 - 特許庁

A protective film of an integrated circuit contains materials deposited by PECVD process in the following order: a thin film of silicon dioxide, a layer of silicon nitride, silicon nitride oxide, or silicon carbide and a very thin topmost layer of silicon oxide.例文帳に追加

集積回路の保護被膜は、ＰＥＣＶＤ処理により堆積された以下の順序の材料を含む：二酸化シリコンの薄膜、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、又は炭化シリコンの層、及び酸化シリコンの大変薄い最上層。 - 特許庁

A three-layer structure wherein a porous silicon layer is used as a high-resistance layer and is made to work as a gettering layer is comprised of a silicon thin-film, porous silicon and a silicon substrate, and it is used as a false SOI substrate.例文帳に追加

多孔質シリコン層を、高抵抗層とみなし、更にはゲッタリング層として機能させたシリコン薄膜／多孔質シリコン／シリコン基板からなる３層構造体を、擬似的なＳＯＩ基板として利用する。 - 特許庁

A thin film layer made of a single crystal silicon or a silicon germanium is formed on a substrate 31 made of silicon with a porous layer 32 made of a porous silicon between them.例文帳に追加

シリコンからなる基板３１上に多孔質シリコンからなる多孔質層３２を介して例えば単結晶シリコンまたはシリコンゲルマニウムからなる薄膜層を形成する。 - 特許庁

The multi-layer silicon carbide stack has a seed layer of thin silicon carbide layer (for example, a seed layer of silicon carbide having a thickness of less than about 100 Å) having a thicker silicon carbide layer formed thereon ( for example, a silicon carbide layer having at least a thickness of 300 Å).例文帳に追加

多層炭化ケイ素スタックは、その上に形成されたより厚い炭化ケイ素層（例えば、少なくとも３００オングストロームの厚さの炭化ケイ素層）を有する薄い炭化ケイ素シード層（例えば、約１００オングストローム未満の厚さの炭化ケイ素シード層）を有する。 - 特許庁

To provide an electro-optic device, which has a thin film transistor, having a crystalline silicon active layer and a thin film transistor which has an amorphous silicon active layer.例文帳に追加

結晶性シリコンの活性層を有する薄膜トランジスタとアモルファスシリコンの活性層を有する薄膜トランジスタを有する電気光学装置を提供する。 - 特許庁

LASER RECRYSTALLIZATION METHOD FOR ACTIVE LAYER OF LOW-TEMPERATURE POLYCRYSTALLINE SILICON THIN-FILM-TRANSISTOR例文帳に追加

低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ能動層のレーザー再結晶方法 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE SILICON LAYER MANUFACTURING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR FORMED USING THE POLYCRYSTALLINE SILICON LAYER, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE CONTAINING THE THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

多結晶シリコン層の製造方法、これを利用して形成された薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを含む有機電界発光表示装置 - 特許庁

Removal of the amorphous silicon from the second silicon layer 5 improves the conversion efficiency of the thin film solar cell.例文帳に追加

第２シリコン層５からのアモルファスシリコンの排除は，薄膜太陽電池の変換効率を向上する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 6 consists of a laminate of a support substrate 16 made of silicon, a buffer layer 18, and a thin-film silicon layer 20 made of monocrystalline silicon.例文帳に追加

半導体基板６はシリコンによる支持基板１６、バッファー層１８、単結晶シリコンによる薄膜シリコン層２０を積層して構成されている。 - 特許庁

A hydrogen concentration in a microcrystalline silicon semiconductor film layer of the microcrystalline silicon thin-film transistor is larger than an oxygen concentration in the layer.例文帳に追加

微結晶シリコン薄膜トランジスタにおける微結晶シリコン半導体膜層における水素濃度を酸素濃度より大きくする。 - 特許庁

Thereafter, a thin copper film is formed on the silicon nitride layer by sputtering.例文帳に追加

しかる後この窒化珪素変質層の上に銅薄膜をスッパタリング成膜する。 - 特許庁

The thin silicon layer of a second SOI wafer is attached to the pillar so that a gap exists between the thin silicon layers keeping two intervals.例文帳に追加

第２のＳＯＩウェハの薄いシリコン層は、２つの間隔を置かれた薄いシリコン層間にギャップがあるように、支柱に取り付けられる。 - 特許庁

The semiconductor silicon carbide substrate is preferably a semiconductor silicon carbide substrate in which surface silicon of an SOI substrate is made thin, the extremely thin silicon layer is denatured into a silicon carbide layer through carbonization, and a silicon carbide epitaxial film is deposited thereon by a CVD (chemical vapor-deposition) method.例文帳に追加

炭化珪素基板としては、ＳＯＩ基板の表面シリコンを薄層化し、その極薄シリコン層を炭化処理により炭化珪素層に変性し、その上にＣＶＤ（化学気相成長）法により炭化珪素エピタキシャル膜を形成させたものが好ましい。 - 特許庁

An essentially intrinsic microcrystal silicon thin-film layer 5 and a P-type microcrystal silicon carbide layer 6 are formed on the N-type single-crystal silicon layer 4 and the microcrystal silicon thin-film layer 5, respectively by the plasma CVD method, and a transparent conductive film 7 is formed on the uppermost surface.例文帳に追加

前記Ｎ型単結晶シリコン層(4) の上に実質的に真性の微結晶シリコン薄膜層(5) と、同微結晶シリコン薄膜層(5) の上にＰ型微結晶シリコンカーバイド層(6) とをプラズマＣＶＤ法により成膜し、最表面に透明導電膜(7) を形成する。 - 特許庁

A metal oxide layer and a silicon oxide layer are sequentially film-formed on a surface of the thin first hard coat layer at low temperatures.例文帳に追加

低温下で、その薄い第１のハードコート層の表面に、金属酸化物層と酸化珪素層を順次に成膜する。 - 特許庁

A thin layer (fixed layer) 1 is formed on a silicon substrate 3 and through-holes 4 are formed on the fixed layer by etching.例文帳に追加

シリコン基板３上に薄膜層である固定層１を形成し、固定層にエッチングによりスルーホール４を形成する。 - 特許庁

A pit 52 is formed in a substrate comprising a silicon wafer 51 on a surface of which a silicon oxide thin layer 53 is formed.例文帳に追加

シリコンウェーハ５１の表面に酸化シリコン薄層５３の形成された基板に、窪み５２が形成されている。 - 特許庁

In a reverse stagger type thin film transistor, a silicon nitride layer as a gate insulating layer and a silicon oxide layer formed as an oxide of the silicon nitride layer are laminated, and a microcrystalline semiconductor layer crystal grown directly from the upper surface of an interface of the gate insulating layer with the silicon oxide layer is formed.例文帳に追加

逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層として窒化シリコン層と当該窒化シリコン層が酸化された酸化シリコン層を積層して形成し、該ゲート絶縁層の酸化シリコン層との界面直上から結晶成長した微結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

The thin optoelectronic transducer unit 3 includes a p-type silicon layer 3p formed on the transparent conductive oxide layer 2, an i-type thin optoelectronic transducer layer 3i consisting substantially of the p-type silicon layer 3p, and an n-type silicon layer 3n made of the thin optoelectronic transducer layer 3i.例文帳に追加

光電変換ユニット（３）は、透明導電性酸化物層（２）の上に形成されたｐ型シリコン層（３ｐ）と、ｐ型シリコン層（３ｐ）の上に形成された実質的に多結晶シリコンからなるｉ型光電変換層（３ｉ）と、光電変換層（３ｉ）の上に形成されたｎ型シリコン層（３ｎ）とを含む。 - 特許庁

To manufacture a thin-film transistor which has, for example, a polycrystalline silicon layer with high film quality as an active layer.例文帳に追加

例えば、高い膜質を有する多結晶シリコン層を活性層とする薄膜トランジスタを製造する。 - 特許庁

In a first embodiment, the solid material containing silicon formed on the substrate is a thin film layer, e.g. such as a silicon nitride layer.例文帳に追加

第１実施形態として、基板上に形成したシリコン含有固体物質は例えば、シリコンナイトライド層のような薄膜層である。 - 特許庁

Thus, the occurrence of microcrystallization, defects or interface state, which may otherwise occur at an interface between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30, is reduced because a thin layer of the silicon-oxide thin film 20 is provided between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30.例文帳に追加

従って、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との間に薄層の酸化シリコン薄膜２０が設けられているため、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との界面において生じ得る微結晶化や欠陥あるいは界面準位の発生が低減される。 - 特許庁

A metal compound thin film layer laminate comprises the metal compound thin film layer of a silicon oxide or the like provided on the metal thin film layer without organic material release layer, by forming the noble metal thin film layer of the gold or the like as a releasability given layer on a base material film.例文帳に追加

基材フイルムに金等の貴金属薄膜層を剥離性付与層として形成し、該金属薄膜層の上にケイ素酸化物などの金属化合物薄膜層を設けた有機物離型層を全く有しないところの金属化合物薄膜層積層体。 - 特許庁

First, a thin continuous layer of undoped amorphous silicon is attached by LPCVD.例文帳に追加

第１に、アンドープ・アモルファスシリコンの薄い連続層が、ＬＰＣＶＤによって付着される。 - 特許庁

The solar battery is provided with a thin non-single crystal silicon semiconductor film 14 containing the I-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｉ型半導体層を含む非単結晶シリコンの半導体薄膜１４を設ける。 - 特許庁

A bottom face of the silicon substrate 20 is polished until the thin film layer 23 of the groove 22 is reached.例文帳に追加

シリコン基板２０の底面を溝２２の薄膜層２３に達するまで研磨する。 - 特許庁

A semiconductor layer of the thin film transistor is formed on the silicon oxide film containing halogen.例文帳に追加

薄膜トランジスタの半導体層はハロゲンを含む酸化珪素膜上に形成される。 - 特許庁

A thin layer of polysilicon or amorphous silicon (for example, 15) is formed in a contact bore.例文帳に追加

ポリシリコン又はアモルファスシリコンの薄い層（たとえば１５）が、接触開孔内に形成される。 - 特許庁

A thin (for example, up to 15 Å) silicon dioxide layer is formed on a substrate 102.例文帳に追加

薄い（例えば、〜１５オングストローム）二酸化シリコン層が基板（１０２）上に形成される。 - 特許庁

A thin film layer 22 including an ink jetting element 24 is formed on the upper face of a silicon substrate 20.例文帳に追加

インク射出要素(24)を含む薄膜層(22)が、シリコン基板(20)の上面に形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon wafer capable of making more uniform a film thickness distribution of a silicon thin film (e.g. an epitaxial layer) of a silicon wafer (e.g. a silicon epitaxial wafer).例文帳に追加

シリコンウェーハ（例えばシリコンエピタキシャルウェーハ）のシリコン薄膜（例えばエピタキシャル層）の膜厚分布をより均一化することを可能とするシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI substrate associating a silicon-based region with a GaAs-based material region, in a thin layer of the SOI substrate including a silicon support object supporting a dielectric layer and a silicon thin layer.例文帳に追加

本発明は、誘電体層及びシリコン薄層を支持するシリコン支持体を備えるＳＯＩ基板の薄層において、シリコンベース領域及びＧａＡｓベース材料領域を関連付けるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A buried insulating layer 3 and a silicon substrate 1 are laminated to the semiconductor layer 2 having the SiC thin film layer 20.例文帳に追加

そしてＳｉＣ薄膜層２０を有する半導体層２に埋込絶縁層３とシリコン基板１とが貼り合わせられる。 - 特許庁