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variable wordの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 110件
A variable length encoding unit 16 dissolves the frame code value InfVal-F into a unit frame code value Val-F which is a basic unit of the encoding, converts the unit frame code value Val-F into a frame code word Code-F by using only a single code table 16a, and creates a frame stream by combining the converted frame code words Code-F.例文帳に追加
可変長符号化部16は、フレーム符号値InfVal_Fを符号化の基本単位である単位フレーム符号値Val_Fに分解し、単一の符号表16aのみを使用して単位フレーム符号値Val_Fをフレーム符号語Code_Fに変換し、変換したフレーム符号語Code_Fを組み合わせてフレームストリームを構成する。 - 特許庁
The control-HMI processing part 41 retrives, in the designation of a condition having instruction words as the retrieval range, a command whose instruction word is matched to the condition, and retrives, in the designation of a condition having variables as the retrieval range, a command whose variable is matched to the condition.例文帳に追加
当該コントロール−HMI処理部41は、命令語を検索範囲とする条件が指定された場合、命令語が当該条件にマッチする命令を検索し、変数を検索範囲とする条件が指定された場合、変数が当該条件にマッチする命令を検索する。 - 特許庁
The conductor 10 or the conductor 16 is made a bit line 32, and the first electrode section 12 is made a word line 33 to apply voltage or an electric current to the variable resistance layer 14 containing a metal oxide as a main component, thus achieving the resistance change of the memory bit part 1.例文帳に追加
導電体10あるいは導電体16をビット線32とし、第1電極部12をワード線33とし、金属酸化物を主成分とした抵抗変化層14に電圧あるいは電流を印加することにより、メモリビット部1の抵抗変化を実現できる。 - 特許庁
During execution of forming operation in which the resistance state of a variable resistance element VR is set to a transition-enabled state with respect to a selection memory cell MC_11, the isolation latches 63, 83 brings the bit lines BL_0 and the word lines WL_2 to which a defective memory cell CPF is connected into a floating state.例文帳に追加
アイソレーションラッチ63、83は、選択メモリセルMC_11に対して可変抵抗素子VRの抵抗状態を遷移可能にするフォーミング動作を実行する際に、欠陥メモリセルCPFが接続されたビット線BL_0及びワード線WL_2をフローティング状態にする。 - 特許庁
The recording medium for recording a program with respect to a variable length code of this invention records coded data, that can be decoded in the forward/backward direction and includes a code word with a configuration by which delimiters of code words can be discriminated depending on a prescribed weight, and data to which a stuffing code decodable in the backward direction by each synchronous period is inserted.例文帳に追加
可変長符号に関するプログラムの記録媒体は、順方向・逆方向から復号可能で所定の重みにより符号語の区切りがわかる構成の符号語を含む符号化データ、このデータに同期区間毎に逆方向に復号可能なスタッフィング符号を挿入したデータを記録する。 - 特許庁
The recording medium of this invention related to data relating to a variable length code records coded data that are decodable in both the forward and the reverse directions and includes a code word of a configuration where delimiters of code words can be recognized, depending on a given weight and records data to which a stuffing code decodable in the reverse direction by each synchronous interval.例文帳に追加
可変長符号に関するデータの記録媒体は、順方向・逆方向ともに復号可能で所与の重みによって符号語の区切りがわかる構成の符号語を含む符号化データ、このデータに同期区間毎に逆方向に復号可能なスタッフィング符号を挿入したデータを記録する。 - 特許庁
A variable conversion two-language version corpus 105 is generated by substituting variables for portions of words preregistered in a word dictionary 103 in an original language sentence and a target language sentence in a two-language corpus 101, and a translation model 107 and a language model 108 are learned by using the generated two-language version corpus 101.例文帳に追加
対訳コーパス101中における原言語文および目標言語文において,単語辞書にあらかじめ登録されている単語の箇所を変数として置き換えた変数化対訳コーパス105を生成し,生成した対訳コーパスを用いて翻訳モデル107および言語モデル108を学習する。 - 特許庁
The magnetic memory includes a magnetization fixed layer 12A, having a fixed magnetization direction and a magnetization free layer 12C, having a variable magnetization direction and is also equipped with a plurality of magnetoresistive elements 12 for recording information by resistance values changing, depending on the magnetization direction of the magnetization free layer 12C; and word lines WL electrically connected to respective one end of the plurality of magnetoresistive elements 12.例文帳に追加
磁気メモリは、磁化の方向が固定された磁化固定層12Aと、磁化の向きが変化する磁化自由層12Cとを含み、かつ磁化自由層12Cの磁化の方向に基づいて変化する抵抗値により情報を記録する複数の磁気抵抗素子12と、複数の磁気抵抗素子12の一端に電気的に接続されたワード線WLとを具備する。 - 特許庁
A semiconductor memory device has a control circuit in which reading operation for determining the resistance state of a variable resistive element VR is executed by applying a prescribed voltage to the selected memory cell MC arranged at the crossing part of a selected bit line BL and a selected word line WL and by detecting a current Icell flowing in the selected bit line BL.例文帳に追加
半導体記憶装置は、選択されたビット線BL及び選択されたワード線WLの交差部に配置された選択メモリセルMCに所定の電圧を印加して、選択されたビット線BLに流れる電流Icellを検知することにより、可変抵抗素子VRの抵抗状態を判定する読み出し動作を実行する制御回路を備える。 - 特許庁
A variable analog-to-digital converting apparatus 1 for the image sensor comprises at least one first N-bit nonlinear coarse converter 21 which receives a pixel voltage signal (Vpix), so that the apparatus feeds a binary word of N+M bits continuously relating to a voltage of a pixel, and at least one second M-bit linear fine converter 22 which is connected to the first converter 21.例文帳に追加
画像センサ用の可変アナログ・デジタル変換装置1は、装置がピクセルの電圧連続的に関係するN+Mビットのバイナリ・ワードを供給するために、ピクセル電圧信号(Vpix)を受け取る少なくとも1つの第1のNビット非線形粗変換器21と、第1の変換器21に接続された少なくとも1つの第2のMビット線形密Mビット変換器22とを備える。 - 特許庁
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