「variable word」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a communication control part 13 down-loads the PC machine word 19 to the PC 20 side, and when any held variable whose memory allocating position (address) is changed is present, reads the held variable data from a data memory 22, and writes the data in a new memory allocating position.例文帳に追加

そして、通信制御部１３は、ＰＣマシン語１９をＰＣ２０側にダウンロードすると共に、メモリ割付位置（アドレス）が変わった保持変数がある場合には、データメモリ２２から保持変数のデータを読み出して、新たなメモリ割付位置に書込む。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with: memory cell arrays MA including a plurality of mutually parallel word lines WL; a plurality of mutually parallel bit lines BL formed so as to cross the word lines WL; and memory cells MC which are arranged at intersections with the word lines WL and the bit lines BL and each of which has a variable register VR and a diode Di connected thereto serially.例文帳に追加

半導体記憶装置は、互いに平行な複数のワード線ＷＬと、ワード線ＷＬと交差するように形成された互いに平行な複数のビット線ＢＬと、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの各交差部に配置され、可変抵抗素子ＶＲとダイオードＤｉとが直列接続されたメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイＭＡとを備える。 - 特許庁

The RF reception part 22 of the receiver obtains the digital signals from received signals and a UW detection part 23 detects the synchronization/asynchronization of signals by detecting the unique word included in the digital signals, also compares the detected unique word with the unique word set in the UW variable setting part 29 and detects matching/non-matching.例文帳に追加

受信機のＲＦ受信部２２は、受信信号からデジタル信号を得、ＵＷ検出部２３は、該デジタル信号に含まれるユニーク・ワードを検出することにより信号の同期／非同期を検出するとともに、検出されたユニーク・ワードとＵＷ可変設定部２９に設定されたユニーク・ワードとを比較して一致／不一致を検出する。 - 特許庁

The pillar has a selector laminated film containing silicon over the whole film and a variable resistance film arranged on the word line side or the bit line side when viewed from the selector laminated film.例文帳に追加

前記ピラーは、全体にわたってシリコンを含有するセレクタ積層膜と、前記セレクタ積層膜から見て前記ワード線側又は前記ビット線側に配置された可変抵抗膜と、を有する。 - 特許庁

To provide a voice guidance system where a specific sound piece and guidance can be confirmed by deciding a guidance reproduced separately from a testing call and selecting designation of a variable word.例文帳に追加

試験呼とは別に再生するガイダンスを決定し、また、可変語の指定も選択可能なため、特定の音片やガイダンスを確認することが可能な音声ガイダンスシステムを提供する。 - 特許庁

At the operating time to set the resistance value of the resistance variable element to be low, all the word lines corresponding to source lines to be supplied with the set voltage are activated and a corresponding selection transistor is turned on.例文帳に追加

抵抗変化素子の抵抗値を低くするセット動作時に、セット電圧が供給されるソース線に対応する全てのワード線が活性化され、対応する選択トランジスタがオンする。 - 特許庁

This TC generating hardware 226 has a word counter and an audio task 213 sets a count of the TC generating hardware 226 to a variable to obtain a next TC.例文帳に追加

このＴＣ生成用ハードウエア２２６がワードカウンタを保持しており、Ａｕｄｉｏタスク２１３は、ＴＣ生成用ハードウエア２２６のカウンタ値を次のＴＣの値を求めるための変数にセットする。 - 特許庁

This storage device is provided with word lines WL1-WLm, plate lines PL1-PLm/2, bit lines BL1-BLn, memory cells M11-Mmn, a sense amplifier 11, and bit line capacity variable sections 120-1 to 120-n.例文帳に追加

この発明は、ワード線ＷＬ_1 〜ＷＬ_m 、プレート線ＰＬ_1 〜ＰＬ__m/2 、ビット線ＢＬ_1 〜ＢＬ_n 、メモリセルＭ_11〜Ｍ_mn、センスアンプ１１１およびビット線容量可変部１２０−１〜１２０−ｎとを備える。 - 特許庁

Word splitting and pathname expansion are not performed on the words between the [[ and ]]; tilde expansion, parameter and variable expansion, arithmetic expansion, command substitution, process substitution, and quote removal are performed. 例文帳に追加

単語分割とパス名展開は [[ と ]]の間の単語に対しては行われません。 チルダ展開、パラメータと変数の展開、算術式展開、コマンド置換、プロセス置換、クォート除去は実行されます。 - JM

Execute the (one-line) statement in the context of the current stack frame.The exclamation point can be omitted unless the first word of the statement resembles a debugger command.To set a global variable, you can prefix the assignmentcommand with a "global" command on the same line, e.g.:例文帳に追加

現在のスタックフレームのコンテキストにおいて(一行の)statementを実行します。 文の最初の語がデバッガコマンドと共通でない場合は、感嘆符を省略することができます。 - Python

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines, and a control circuit for driving selectively the bit line Bl and the word line WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとが直列接続されたメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線の交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬを選択駆動する制御回路とを備える。 - 特許庁

After registering character strings specific to document data to the auxiliary dictionary 5, a word division section 6 divides the original document data, retrieves the static word dictionary 4 and the auxiliary dictionary 5 to read data of corresponding to character strings, and a variable length coding section 7 applies compression processing to the data.例文帳に追加

このようにして補助辞書５に文書データ特有の文字列を登録した後、単語分割部６によって元の文書データを分割し、静的単語辞書４と補助辞書５を検索して対応する文字列のデータを読み出し、可変長符号化部７によって圧縮処理する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: word lines WL; bit lines BL; memory cells MC each including a variable resistance element R and each arranged at each crossing part of the word lines WL and bit lines BL; and column/row control circuits 20, 30 for controlling voltages applied to the memory cells MC.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ワード線ＷＬと、ビット線ＢＬと、ワード線ＷＬとビット線ＢＬの各交差部に配置され可変抵抗素子Ｒを含むメモリセルＭＣと、メモリセルＭＣに印加する電圧を制御するカラム／ロウ制御回路２０、３０とを備える。 - 特許庁

A switching circuit 102 decides the kind of the code word, according to a pattern of the first predetermined number of bits in the located variable-length code word, extracts data of a sufficient code length from a predetermined bit position, based on the decision result, and outputs the result to a Huffman table 104.例文帳に追加

スイッチ回路１０２は、頭出しされた可変長符号語における先頭の所定ビット数のパターンに応じて、符号語の種類を判別し、その判別結果に基づいて、所定ビット位置から十分な符号長のデータを抽出し、その結果をハフマンテーブル１０４に出力する。 - 特許庁

A recompression program 23 to be image edition software 20 to be executed in a personal computer 17 substitutes another code word having shorter length and an approximated value for part of code words in a code word string consisting of variable length code words included in a compressed image compressed by DV standards based on variable length encoding and supplied from a DV camera deck 11 or a hard disk drive 12.例文帳に追加

ＤＶカメラデッキ１１やハードディスクドライブ１２から供給される可変長符号化によるＤＶ規格の圧縮画像に対し、パーソナルコンピュータ１７で実行される画像編集ソフトウェア２０である再圧縮処理プログラム２３は、上記可変長符号語の符号語列中の一部の符号語を、長さがより短くかつ値が近似した他の符号語に置換する。 - 特許庁

A decoding section 12 cuts variable-length codes out of the code series supplied from a shift register 20 by a maximum word length from the position that a counter 21 indicates, and an index corresponding to the variable-length codes is supplied from an index ROM 22 to a spectrum coefficient ROM 24 by using its output value.例文帳に追加

復号部１２において、シフトレジスタ２０からは、供給された符号列のうち、カウンタ２１が示す位置から最大語長分の可変長符号が切り出され、この出力値を用いて、可変長符号に対応したインデックスがインデックスＲＯＭ２２からスペクトル係数ＲＯＭ２４に供給される。 - 特許庁

When the section 212 does not detect possibility of including the synchronous word, the image information revision section 213 outputs the quantized DCT coefficient to the variable length encoding section 208 and also to the dequantization section 209.例文帳に追加

同期語の包含の可能性が検出されない場合には、量子化されたＤＣＴ係数が可変長符号化部２０８に出力されると共に、逆量子化部２０９に出力される。 - 特許庁

One electrode of the variable capacitance capacitor C is connected to a storage node SN, and the other electrode is connected to a control line ( read-out word line RWL) to which high level voltage is applied at the time of data output.例文帳に追加

可変容量キャパシタＣは、ストレージノードＳＮに一方電極が接続され、データ出力時にハイレベル電圧が印加される制御線（読み出しワード線ＲＷＬ）に他方電極が接続されている。 - 特許庁

In memory cell arrays MA0-3, memory cells MC in which rectifiers Di and variable resistive elements VR are connected in series are arranged on intersection points of a plurality of bit lines BL and word lines WL.例文帳に追加

メモリセルアレイＭＡ０−３は、整流素子Ｄｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣを複数のビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの交差部に配置してなる。 - 特許庁

The CGI program 13 identifies and analyzes a specific referrer variable (for example, a retrieval word) contained in the referrer information on the request data, when an information service server 5A receives the request data from a user terminal 1.例文帳に追加

CGIプログラム１３は、情報提供サーバ５Aがユーザ端末１からリクエストデータを受けたときに、そのリクエストデータのリファラ情報に含まれている特定のリファラ変数（例えば検索語）を識別し解析する。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes: a memory cell array MA in which the memory cells MC configured of a series connection of diodes Di and variable resistors VR are arranged at crossing parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines WL; and a control circuit for alternatively driving the bit line BL and the word line WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬを選択駆動する制御回路とを備える。 - 特許庁

Then, the first binary word is transformed into a second binary word approximately showing a value of an exponential function in which the first value is a variable by using the preceding bit group BGV as exponential information (S) of the exponential function and also by using the subordinate bit group BGL as mantissa information [{1+(M/2L)}] of the exponential function.例文帳に追加

次に、上位ビット・グループＢＧ_Uを指数関数の指数情報（Ｓ）として使用し、かつ下位ビット・グループＢＧ_Lを指数関数の仮数情報（｛１＋（Ｍ／２^L）｝）として使用することにより、第１二進ワードを、第１の値を変数とする指数関数値を近似的に表す第２の二進ワードに変換する。 - 特許庁

A capacity value of the variable capacitance capacitor C is varied in accordance with a voltage level of the storage node SN at the time of data holding, and voltage of the storage node is boosted by applying high level voltage from the read-out word line RWL.例文帳に追加

可変容量キャパシタＣは、データ保持時のストレージノードＳＮの電圧レベルに応じて容量値が変化し、読み出しワード線ＲＷＬへのハイレベル電圧の印加によりストレージノードの電圧を昇圧する。 - 特許庁

As to an input sentence also, an input sentence variable conversion part 111 substitutes variables for words registered in the word dictionary 103, and then a statistical translation part 113 translates the input sentence by using the leaned models.例文帳に追加

入力文についても，入力文内変数化部１１１で単語辞書１０３に登録されている単語を変数に置き換えた後，上述の学習したモデルを用いて統計翻訳部１１３で翻訳を行う。 - 特許庁

A flag processor instruction which uses the variable word length memory enables a low-cost efficient process and a flag memory, a status test flag, and a latched condition state can directly be referred to.例文帳に追加

可変ワード長メモリを利用するフラグプロセッサ命令セットにより、低コストで効率的な論理処理が可能となり、フラグメモリ、ステータステストフラグ、およびラッチされた条件状態に対する直接の参照を行うことができる。 - 特許庁

To provide a program development support device capable of raising search nature of a variable to be used as an operand of an instruction word to raise development efficiency of a control program in creation, editing of a program for a programmable controller.例文帳に追加

プログラマブルコントローラ用のプログラム作成・編集の際に、命令語のオペランドとして使用する変数の検索性を高め制御プログラムの開発効率を高めることができるプログラム開発支援装置を提供すること - 特許庁

The translation output part 446 displays a word candidate to take a place in a variable part corresponding to an input character on the display part 462 when the input part 410 receives a character input associated with the specifying symbol.例文帳に追加

また、訳文出力部４４６は、入力部４１０が指定記号に対応する文字入力を受け付けると、入力された文字に対応する可変部に入替え可能な単語候補を、表示部４６２に表示する。 - 特許庁

The variable length word is loaded to the bit stream buffer until data are loaded to all bits, the data are read from the bit stream buffer, when the data are loaded to clear the bit stream buffer for the preparation of receiving new data.例文帳に追加

可変長リードは、全てのビットにデータがロードされるまでビットストリームバッファにロードされ、ロードされた時点で、データがビットストリームバッファから読み出され、ビットストリームバッファがクリアされて新しいデータを受け取る準備ができる。 - 特許庁

A response generation part 93 replaces the specified word of the input sentence with the variable, matches the input sentence and the input example after the replacement, calculates a similarity degree, and selects the output example on the basis of the similarity degree.例文帳に追加

応答生成部９３は、入力文の特定の単語を変数に置換し、その置換後の入力文と入力例とのマッチングを行い、類似度を算出して、その類似度に基づいて、出力例を選択する。 - 特許庁

For a variable-length VLIW system, on the other hand, a function unit which is not allocated to another basic instruction in the same instruction word yet is selected out of function units which are capable of processing of basic instructions of the kind and allocated.例文帳に追加

可変長ＶＬＩＷ方式の場合は、その種別の基本命令を処理できる機能ユニットの中から、同一命令語内の他の基本命令にまだ割り当てられていないものを一つ選んで割り当てる。 - 特許庁

A variable length code replacing unit 301 replaces a bit signal of the encrypted information outputted from an encryption conversion unit 302 with a corresponding bit of the code word resulting from applying variable length coding to a quantization value of an MDCT coefficient supplied from a minimum code quantity detector 107.例文帳に追加

可変長符号入換器３０１は、カウンタ３０３からの挿入位置を指定する信号に基づき、暗号変換器３０２から出力される暗号化された情報のビット信号を、最小符号量検出器１０７から供給されるＭＤＣＴ係数の量子化値を可変長符号化した符号語の該当ビットと入れ換える。 - 特許庁

The processor for executing an instruction stream of a variable instruction word length, is provided with an instruction decoding unit for decoding the instruction word which is included in the instruction stream and describes operation, and an instruction position acquiring means for extracting positional information of the instruction included in the instruction stream at a certain interval exclusively from the instruction stream.例文帳に追加

可変命令語長の命令列を実行するプロセッサであって、前記命令列に含まれ、操作を記述する命令語を解読する命令解読器と、前記命令語とは排他的に、かつ一定間隔毎に前記命令列に含まれる、命令の位置情報を取り出す命令位置取得手段とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a plurality of unit cell arrays MAT00-11 having memory cells MC including bit lines BL and word lines WL and variable resistance elements VR which are arranged at respective cross parts of the bit lines BL and word lines WL, which are electrically re-writable, and of which the resistance values are stored as data in a nonvolatile state.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬ、並びにビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの各交差部に配置された電気的に書き換え可能で抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子ＶＲを含むメモリセルＭＣを有する複数の単位セルアレイＭＡＴ００〜１１を備える。 - 特許庁

If at least one check node of a temporarily estimated word does not satisfy parity, the amplification control section 147 performs an amplification process of amplifying the absolute value of the external value from the check node that does not satisfy parity to the variable node.例文帳に追加

増幅制御部１４７は、一時推定語について少なくとも１つのチェックノードがパリティを満たさない場合に、パリティを満たさないチェックノードから変数ノードへの外部値の絶対値を増幅する増幅処理を行う。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡを備える。 - 特許庁

An output of the OR gate 510 is inputted to the right shifter 511, and a bit number (code length of variable length code word 1 + number of bits of additional data 1) measured by a code length measuring instrument 530 is further inputted to the right shifter 511.例文帳に追加

ＯＲゲート５１０の出力は右シフタ５１１に入力され、更に右シフタ５１１には符号長計測器５３０により計測されたビット数（可変長符号語１の符号長＋付加データ１のビット数）が入力される。 - 特許庁

To provide a method and device for encrypting digital video or audio data and for protecting a copy that eliminates the need for real-time encryption/ encryption decoding processing for a variable length code VLC code word and for high-speed complicated hardware.例文帳に追加

ＶＬＣコードワードのリアルタイムの暗号化／暗号復号化処理は必要とされず、高速の複雑なハードウエアも必要とされないような、ディジタルビデオ又はオーディオデータの暗号化及びコピー保護のための方法及び装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a variable resistance memory, power source voltage and/or substrate bias of digit line drive circuits (3a, 3b), word line drive circuits (2a, 2b), and bit line drive circuits (4a, 4b) to a memory cell array (1) are varied in accordance with an operation mode.例文帳に追加

抵抗値可変型メモリにおいて、メモリセルアレイ（１）に対するデジット線駆動回路（３ａ，３ｂ）およびワード線駆動回路（２ａ，２ｂ）およびビット線駆動回路（４ａ，４ｂ）の電源電圧および／または基板バイアスを、動作モードに応じて変更する。 - 特許庁

In the memory device having a floating gate type memory cell array transistor, a boosting ratio of a boost voltage-generating circuit is set to be variable so that a value of a boost voltage for driving a word line at the read time is constant in accordance with a level of a source voltage.例文帳に追加

フローティングゲート型のメモリセルアレイトランジスタを有するメモリデバイスにおいて、電源電圧のレベルに応じて読み出し時のワード線駆動用の昇圧電圧値が一定になるように、昇圧電圧発生回路の昇圧比を可変設定する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes word lines WLj and bit lines BLi which are formed to cross each other, and a memory cell array including memory cells MC disposed at crossing sections of these lines and configured by connecting diodes DI and variable resistors VR in series.例文帳に追加

互いに交差するように形成されたワード線ＷＬｊ及びビット線ＢＬｉと、これら配線の各交差部に配置され、ダイオードＤＩと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

A variable write depth shift register is used to update an output value of the control system in such a way that only a number of bits of a data word, which has to be updated to form the updated output value via a serial data transfer, is transferred to the variable write depth shift register, so that the output value is updated in a shorter time and can be updated more frequently.例文帳に追加

更新された出力値を形成するためにシリアルデータ転送によって更新されなければならない、データワードのいくつかのビットだけが可変書込み深度シフトレジスタに転送されるように制御システムの出力値を更新するために、可変書込み深度シフトレジスタが使用され、その結果、出力値がより短い時間で更新され、より頻繁に更新できるようになる。 - 特許庁

A data quantity estimate device 6 underestimates an object quantity of data after compression of one video segment by about 5% so as to produce a gap time region in a transmission sync block after setting a variable length code word outputted from a 1st compressor 9 to the block.例文帳に追加

データ量見積器６は、１ビデオセグメントの圧縮後の目標データ量を５％程度少なくした値に設定する事で、伝送用のシンクブロックに第１の圧縮器９が出力した可変長符号語を格納した後に隙間領域が発生するようにする。 - 特許庁

A variable substitution part 114 outputs a result of substituting words of the target language for the variables included in a translation result as a final translation result on the basis of information obtained by substituting the variables for the words in the input sentence and the word dictionary 103.例文帳に追加

変数置換部１１４は、入力文中の単語を変数に置き換えた際の情報と単語辞書に基づいて，翻訳結果に中に含まれる変数を目標言語の単語に置き換えた結果を最終的な翻訳結果として出力する。 - 特許庁

The following words are recognized as reserved when unquoted and either the first word of a simple command (see SHELL GRAMMAR below) or the third word of a case or for command: "SHELL GRAMMAR" Simple Commands A simple command is a sequence of optional variable assignments followed by blank-separated words and redirections, and terminated by a control operator. 例文帳に追加

以下の単語がクォートされておらず、かつ単純なコマンド (simple command) の先頭の単語 (後述のシェルの文法を参照) であるか、case コマンドやforコマンドの 3 番目の単語である場合には、予約語として認識されます:シェルの文法単純なコマンド (Simple Commands)単純なコマンド (simple command) とは、変数の代入を並べたもの (これは省略可能です) の後に、ブランク区切りの単語とリダイレクションを記述し、最後に制御演算子を置いたものです。 - JM

The conductor 10 or the conductor 16 is made a bit line 32, and the first electrode section 12 is made a word line 33 to apply voltage or an electric current to the variable resistance layer 14 containing a metal oxide as a main component, thus achieving the resistance change of the memory bit part 1.例文帳に追加

導電体１０あるいは導電体１６をビット線３２とし、第１電極部１２をワード線３３とし、金属酸化物を主成分とした抵抗変化層１４に電圧あるいは電流を印加することにより、メモリビット部１の抵抗変化を実現できる。 - 特許庁