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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > wblに関連した英語例文

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wblを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 23



例文

A signal on a bit line (WBL) is used as the bias signal.例文帳に追加

このバイアス信号としてビット線(WBL)の信号を使用する。 - 特許庁

Reference timing TM is detected from an MSK mark of a wobbling WBL.例文帳に追加

ウォブルWBLのMSKマークから基準タイミングTMを検出する。 - 特許庁

A semiconductor storage device includes a write wiring WBL, at least three or more first write circuits 27a connected to the write wiring WBL, and a magneto-resistance element, and this device also includes memory cells MC which are connected electrically or magnetically or in both manners with the write wiring WBL and also arranged among the 1st write circuits 27a.例文帳に追加

半導体記憶装置は、書き込み配線WBLと、書き込み配線WBLに接続された少なくとも3つ以上の第1の書き込み回路27aと、磁気抵抗素子を含み、かつ書き込み配線WBLと電気的または磁気的またはその両方で接続され、かつ第1の書き込み回路27aの間に配置されたメモリセルMCとを含む。 - 特許庁

The flip-flop circuit 3 holds the WBL address latched in the previous step, when a second write-in command is inputted.例文帳に追加

フリップフロップ回路3は、第2の書込みコマンドが入力されたときには、前回にラッチしたWBLアドレスを保持する。 - 特許庁

例文

The flip-flop circuit 3 latches a WBL address, when a first write-in command is inputted.例文帳に追加

フリップフロップ回路3は、第1の書込みコマンドが入力されたときには、WBLアドレスをラッチする。 - 特許庁


例文

The digit line DL has a width WDL at the intersection part, and the bit line BL has a width WBL at the intersection part.例文帳に追加

ディジット線DLはこの交差部分において幅WDLを有しており、かつビット線BLはこの交差部分において幅WBLを有している。 - 特許庁

By the transistor N1, the connection and non- connection of the memory cell 10 and a write bit line WBL are controlled.例文帳に追加

トランジスタN1により、メモリセル10と書き込みビット線WBLとの接続、非接続を制御する。 - 特許庁

The write-in operation control circuit 6 controls the write-in operation, according to burst length indicated by the WBL address outputted by the flip-flop circuit 3.例文帳に追加

書込動作制御回路6は、フリップフロップ回路3の出力するWBLアドレスが示すバースト長に従い書込動作を制御する。 - 特許庁

Furthermore, a memory cell MC is connected to a read word line RWL and a write bit line WBL which are common to an adjacent memory cell MC.例文帳に追加

さらに、メモリセルMCを、隣接するメモリセルMCと同一の読出しワード線RWL、及び書込みビット線WBLに接続する。 - 特許庁

例文

The width WDL is larger than the width WMM1 of the magnetic memory element MM, and the width WBL is smaller than the width WMM2 of the magnetic memory element MM.例文帳に追加

幅WDLは磁気記憶素子MMの幅WMM1よりも大きく、かつ幅WBLは磁気記憶素子MMの幅WMM2よりも小さい。 - 特許庁

例文

An optical disk (100) is provided with a recording area where predetermined clock information (WBL) which is (i) included in a first frequency band that is definable by a first reference frequency (Fstd) and (ii) defined by a frequency that is an integral multiple of the first reference frequency is preformatted for recording the record data.例文帳に追加

光ディスク(100)は、記録データを記録するために、(i)第1基準周波数(Fstd)によって規定可能な(従来の再生機による自己相関関係に基づく検出方法では検出不可能な)第1周波数帯域に含まれると共に、(ii)第1基準周波数の整数倍である周波数によって規定される所定クロック情報(WBL)がプリフォーマットされる記録領域を備える。 - 特許庁

A bias is applied to the body of the transistor (N1) in the memory cell based on a write data signal previously transferred through the bit line (WBL) during data write operation, thereby reducing the threshold value (Vth) of the transistor (N1).例文帳に追加

データ書き込み時において事前にビット線(WBL)により伝達される書き込みデータの信号に基づき、メモリセル内のトランジスタ(N1)のボディにバイアスを印加し、トランジスタ(N1)のしきい値(Vth)を低下させる。 - 特許庁

A plurality of first write lines WBL are electrically or magnetically or electrically and magnetically connected to the memory cells and provided along a first direction.例文帳に追加

複数の第1書き込み線WBLは、複数の前記メモリセルと電気的、または磁気的、または電気的且つ磁気的に接続され、且つ第1方向に沿って設けられる。 - 特許庁

The bit synchronization in the ADIP is synchronized by the detection of a bit synchronizing pattern and a WBL counter, and the word synchronization of the ADIP is respectively synchronized by the detection of a word synchronizing pattern and a word counter, independently.例文帳に追加

ADIPにおけるビット同期を、ビット同期パターンの検出とWBLカウンタで、ADIPのワード同期を、ワード同期パターンの検出とワードカウンタで、それぞれ独立して同期をとる。 - 特許庁

The endoscope apparatus determines whether or not a difference between a white balance value WBF determined by the white balance adjustment and a previously set proper white balance value WBL recorded already is within a tolerance preset based on the type and characteristics of a lamp (step S304).例文帳に追加

ホワイトバランス調整により定められたホワイトバランス値WBFと、既に記録されている適正な前回設定ホワイトバランス値WBLとの差が、ランプの種類と特性によりあらかじめ定められた許容範囲の中にあるか否かを判断する(ステップS304)。 - 特許庁

A write bit line WBL and a read bit line RBL are separately disposed in a memory cell MC, and a source line SL to which the memory cell is connected is constituted of the source impurity area 3 of the same conductive type as that of a substrate area.例文帳に追加

メモリセル(MC)に対し、書込ビット線(WBL)および読出ビット線(RBL)をそれぞれ別々に設け、またメモリセルの接続するソース線(SL)を、基板領域と同一導電型のソース不純物領域(3)で形成する。 - 特許庁

Here, the potential of the read bit line RBL_m is input to an inverting amplifier circuit such as a flip-flop circuit FF_m, and the potential which has been inverted by the inverting amplifier circuit is output to the write bit line WBL_m.例文帳に追加

ここで、読み出しビット線RBL_mの電位はフリップフロップ回路FF_mのような反転増幅回路に入力され、反転増幅回路によって反転された電位が書き込みビット線WBL_mに出力される構造とする。 - 特許庁

The controller is provided with a picture compositing means which superimposes outermost extension lines LBL and LBR, which are obtained by perpendicularly drawing outermost lines WBL and WBR of the vehicle to the ground and extending these lines in the longitudinal direction of the vehicle, on the display on the monitor where the picture taken-in by the image pickup device is displayed.例文帳に追加

制御装置は、撮像装置により取り込まれる画像のモニター上の表示に、車両の最外側ラインW_B L ,W_B R を地面に垂直に下ろし、そのラインを車両前後方向に延長した最外側延長ラインL_BL ,L_B R をスーパーインポーズする画像合成手段を備える。 - 特許庁

A gate of a selection transistor STR is connected to a write word line WWL, one side of source/drain is connected to a write bit line WBL, and the other side of source/drain is connected to a gate of the ferroelectric transistor.例文帳に追加

選択トランジスタSTRは、書き込みワード線WWLにゲートが接続され、書き込みビット線WBLにソース/ドレインの一方が接続され、強誘電体トランジスタのゲートにソース/ドレインの他方が接続されている。 - 特許庁

The write start position of a CDR 40 is detected in a WBL detection circuit 48, and data read from the buffer 46 are expanded so as to write the EFM signals including the margin bits from the position, then supplied to a strategy circuit 36 and written to the CDR 40.例文帳に追加

CDR40の書き出し位置をWBL検出回路48で検出し、その位置からマージンビットを含むEFM信号が書き込まれるようにバッファ46から読み出したデータを伸長した後ストラテジー回路36に供給し、CDR40に書き込む。 - 特許庁

In a 2-transistor-type gain cell memory having a write transistor M2 and a read transistor M1, write word lines WWL, read word lines RWL, write bit lines WBL, and read bit lines RBL are separately prepared, and separately set with applied voltage, respectively.例文帳に追加

書込みトランジスタM2及び読出しトランジスタM1を有する2トランジスタ型ゲインセルメモリにおいて、書込みワード線WWL、読出しワード線RWL、書込みビット線WBL、及び読出しビット線RBLをそれぞれ別に用意し、各々独立に印加電圧を設定する。 - 特許庁

At writing operation, a write data output means (for example, a pull-up circuit 100) is provided, wherein one (for example, a level "H") of complementary write-data signals WBL, WBLB is output to one of readout bit line pairs RBL, RBLB, which corresponds to the level.例文帳に追加

書き込み動作時に、相補的な書き込みデータ信号WBLWBLBの内の一方(例えば、レベル“H”)を、読み出しビット線対RBL,RBLBの内の対応する一方に出力する書き込みデータ出力手段(例えば、プルアップ回路100)を設ける。 - 特許庁

例文

A recording clock generation circuit 7 is provided with a PLL circuit provided with an oscillator and generating a recording pulse generation clock (SCLK) for generating a recording clock signal (WCLK) that is a synchronization signal for performing a prescribed modulation processing to recording data to be recorded on an optical disk 1 in synchronization with a wobble signal (WBL).例文帳に追加

記録クロック生成回路7は、発振器を備え、ウォブル信号(WBL)に同期させ光ディスク1に記録する記録データに所定の変調処理を施すための同期信号である記録用クロック信号(WCLK)を生成するための記録パルス生成クロック(SCLK)を発生するPLL回路を備えている。 - 特許庁

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