アモルファス金属薄膜の英語

基材表面に厚さが５μｍ〜５０μｍで、被膜を貫通する連続気孔のないアモルファスの金属ガラス溶射被膜が形成されていることを特徴とする金属ガラス薄膜積層体。例文帳に追加

The metal glass thin film laminated body is characterized in that an amorphous metal glass sprayed coating with a thickness of 5 to 50 μm free from continuous pores passing through the coating is formed on the surface of a base material. - 特許庁

アモルファス金属酸化物からなる薄膜基板を部分的に加熱して結晶化させることにより、必要な屈折率差を基板中に形成して誘電体導波路を形成することを特徴とする。例文帳に追加

A thin film substrate made of the amorphous metal-oxide is partially heated and crystallized to form a necessary refractive index in the substrate, thereby forming a dielectric waveguide. - 特許庁

常誘電性結晶微粒子を金属アルコキシド、金属錯体および／または金属カルボン酸塩を主原料とする金属酸化物アモルファス前駆体中に分散させた前駆体溶液を基板上に塗布し、乾燥，焼成することにより形成した誘電体薄膜。例文帳に追加

A precursor solution in which paraelectric crystal particulates are dispersed in a metal oxide amorphous precursor having metal alkoxide, metal complex and/or metal carboxylate as a main raw material is applied on a substrate, and the thin film is formed by drying and calcining the solution. - 特許庁

基板とアモルファスシリコン薄膜との間に部分的に金属層が配置されていても、結晶粒径が均一でクラックのないポリシリコン薄膜を得ることができるシリコン薄膜の処理方法およびこの方法に用いられるフラッシュランプ照射装置を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment method of a silicon thin film which can obtain a poly-silicon thin film having a uniform crystal particle size and no crack even if a metal layer is partly disposed between a substrate and an amorphous silicon thin film, and a flash lamp irradiation device for use in the method. - 特許庁

第１のＩＴＯ膜と金属薄膜と第２のＩＴＯ膜との積層構造になっている透明導電膜において、透明導電膜の形成開始からエッチングまでの間に、３００℃以上の高温にせず、第１、第２のＩＴＯ膜にアモルファス構造を維持させる。例文帳に追加

The transparent electroconductive film has a multilayer structure comprising a first ITO film, a metallic thin film, and a second ITO film, and is characterized by not exposing the film to an atmosphere of 300°C or higher, through start of formation to etching of the transparent film, to make the first and the second ITO films keep an amorphous structure. - 特許庁

本発明に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法は、金属アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液に、アモルファス粉末を混合し、金属アルコキシド系化合物を含む前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、前記前駆体溶液を用いてゲル膜を成膜するゲル膜成膜工程と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The method for producing a ceramic precursor thin film includes: a precursor solution preparing step of preparing a precursor solution including a metal alkoxide-based compound by mixing amorphous powder with a dilute solution produced by dilution of a metal alkoxide solution; and a gel film forming step of forming a gel film by using the precursor solution. - 特許庁

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなる有機ＥＬ素子１００において、ガスバリア層２０は、ＡｌとＴｉの金属酸化物であるＡｌｘＴｉｙＯｚからなるアモルファス薄膜であり、且つこのＡｌｘＴｉｙＯｚの組成比におけるＡｌに対するＴｉの原子数比率が１０ａｔｏｍ％以上のものである。例文帳に追加

In the organic EL element 100 composed of sequentially laminating the color filter layer 13, the gas barrier layer 20, and the organic EL structure 30 on the substrate 11, the gas barrier layer 20 is an amorphous thin film composed of AlxTiyOz which is a metal oxide of Al and Ti, and the ratio of the number of atoms of Ti to Al in a composition ratio of this AlxTiyOz is 10 atom% or more. - 特許庁

そして、アモルファス層１２が形成された裏面１ｂ上に金属薄膜１１０を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂ側に光子エネルギーとレーザ出力の積が１０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以上かつ８０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以下となるような条件でレーザ光を照射することでシリサイド層１１１を含むドレイン電極１１を形成する。例文帳に追加

After forming a metal thin film 110 on the rear surface 1b where the amorphous layer 12 is formed, the rear surface 1b of the n^+-type substrate 1 is irradiated with laser light under the condition that the product of photon energy and laser output is 1000-8000 eV mJ/cm^2, thereby forming a drain electrode 11 containing a silicide layer 111. - 特許庁