相分離領域の英語

半導体基板に相互分離された制御活性領域、消去活性領域及び読み取り活性領域を有し、活性領域の上部を横切る共通の浮遊ゲートを備えたＥＥＰＲＯＭである。例文帳に追加

The EEPROM has a control active region, an erase active region and a reading active region which are mutually separated on a semiconductor substrate, and is furnished with a common floating gate traversing upper parts of the active region. - 特許庁

相隣接するセグメント１同士間を電気的に分離するためのトレンチ，ショットキーダイオード等の素子分離領域を備えている。例文帳に追加

An element separating region for such as a trench and a Schottky diode, etc. for electrically separating adjoining segments 1 is provided. - 特許庁

像域分離部１００５は色変換後の画像信号から所定の色相領域の画像信号を分離する。例文帳に追加

An image area separation part 1005 separates an image signal of a predetermined hue region from an image signal after color conversion. - 特許庁

トレンチ分離領域１０５によって互いに分離されている入出力ＭＯＳＦＥＴ活性領域、第１の内部ＭＯＳＦＥＴ活性領域及び第２の内部ＭＯＳＦＥＴ活性領域のそれぞれの上に、相対的に最も厚い第１のゲート酸化膜１０６を形成する。例文帳に追加

A first gate oxide film 106, which is relatively the thickest, is formed on an input/output MOSFET active region, a first internal MOSFET active region and a second internal MOSFET active region which are mutually separated by a trench separation region 105. - 特許庁

NAND型フラッシュメモリにおいて、素子分離領域107 の一対の側面部と素子領域および浮遊ゲート103,104 の各端部が自己整合状態で形成されており、隣接する浮遊ゲート相互間領域の素子分離領域の上面の一部が窪んで凹部111 となっている。例文帳に追加

In a NAND flash memory, the sides of an element isolation region 107 and the ends of an element region and floating gates 103 and 104 are formed in a self-aligned manner, and a part of the top of the element isolation region 107 is recessed to serve as a recess 111 in the mutual region of the adjacent floating gates. - 特許庁

塗工部２は、前記ナノ粒子を含有する領域と前記ナノ粒子を含有しない領域とが縞状に形成された相分離構造であり、前記相分離構造によって異方性を有することを特徴とする。例文帳に追加

The coating part 2 is characterized in that it has a phase separation structure in which a region containing the nanoparticles and a region having no nanoparticles are formed into stripes and has anisotropy by the phase separation structure. - 特許庁

なお、隣接活性領域の間で局部的な相互接続が望まれるならば、これらの活性領域を分離するＳＴＩ領域上のポリシリコン層はエッチングして除去されない。例文帳に追加

When a local interconnection between adjacent active areas is preferred, the polysilicon layer in the STI area separating those active areas is not etched away. - 特許庁

ラベル部５に相当する領域の縁部には、基材シート部１５に切れ目２３が入れられ、ラベル部５が他の領域（残余領域）から分離可能とされている。例文帳に追加

A cut line 23 is formed in the base sheet part 15 on the rim of a region corresponding to a label part 5 so that the label part 5 can be separated from other regions (residual regions). - 特許庁