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Weblio英語表現辞典での「自己研磨」の英訳

自己研磨


「自己研磨」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 31



例文

海洋用自己研磨型防汚ペイント組成物例文帳に追加

SELF-GRINDING TYPE ANTIFOULING MARINE PAINT COMPOSITION - 特許庁

半導体製造装置の自己診断方法および半導体製造装置、並びに研磨装置の自己診断方法および研磨装置例文帳に追加

SELF-DIAGNOSABLE METHOD OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT AS WELL AS SELF-DIAGNOSABLE METHOD OF POLISHING APPARATUS AND POLISHING APPARATUS - 特許庁

化学機械的研磨を利用した自己整列コンタクトパッドの形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT PAD USING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS - 特許庁

研磨パッドから遊離した砥粒等を自己供給することのできる半導体ウエハ等の研磨等に好適に用いられる研磨パッド用組成物及び研磨パッドを提供する。例文帳に追加

To provide a composition for abrasive pads suitably used for polishing, etc. of semiconductor wafers, etc. which may self-supply grains liberated from the abrasive pads, and also provide an abrasive pad. - 特許庁

半導体ウエハの面を研磨し、次いでエッチング加工した後、研磨された面に自己架橋可能層を少なくとも有する。例文帳に追加

The surface of the wafer is polished and worked by etching, and the polished surface has at least the self-crosslinkable layer. - 特許庁

半導体ウエハは、半導体ウエハの面を研磨し、研磨された面に自己架橋可能層を少なくとも有する。例文帳に追加

In the semiconductor wafer, the surface of the semiconductor wafer is polished, and the wafer has at least a self-crosslinkable layer on the polished surface. - 特許庁

例文

化学機械的研磨を利用した自己整列コンタクトパッド形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a self-aligned contact pad using a Chemical Mechanical Polishing process. - 特許庁

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Weblio例文辞書での「自己研磨」に類似した例文

自己研磨

Weblio例文辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「自己研磨」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 31



例文

ウエハのノッチの研磨中に、自己発塵せず、長時間安定して、ノッチを傷つけずに研磨できる研磨パッド及び方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a grinder pad and its method capable of grinding a wafer without damaging the notch of the wafer stably for a long time without generating its own fragments when grinding the notch of the wafer. - 特許庁

基材層上に研磨層が設けられている研磨パッドにおいて、前記研磨層は、略球状の連続気泡を有する熱硬化性ポリウレタン発泡体からなり、前記基材層に自己接着しており、かつ厚さが0.5〜1mmであることを特徴とする研磨パッド。例文帳に追加

In the polishing pad provided with a polishing layer on a substrate layer, the polishing layer includes a thermosetting polyurethane foam having approximately spherical open cells and is self-adhered to the substrate layer, and thickness is 0.5-1 mm. - 特許庁

そして、TMR素子18をストップレイヤーとして研磨を停止し、自己整合的にTMR素子18を露出させる。例文帳に追加

The polishing is stopped by the TMR element 18 as a stop layer and the TMR element 18 is exposed through self-alignment. - 特許庁

本発明の支持研磨材粒子成形体は、自己結合ダイヤモンド粒子又はCBN粒子の研磨材粒子層と一体接合したコバルト焼結炭化物支持体からなる。例文帳に追加

This support polishing material grain molding comprises a cobalt sintered carbide support body integrally jointed to a polishing material grain layer containing self-bonding diamond grains or CBN grains. - 特許庁

化学機械研磨装置に用いられるリテーナリングにおいて、自己および研磨パッドの摩耗を低く抑えることができ、長寿命化が図れるリテーナリングおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a retainer ring and a method of manufacturing the same, for lengthening the service life, by minimizing abrasion of itself and a polishing pad, in the retainer ring used for a chemical machine polishing device. - 特許庁

窒化膜25より酸化膜23に対して高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜29の化学的な機械的な研磨(Chemmical Mechanical Polishing)工程をおこない、酸化膜より多結晶シリコンに対して高い研磨選択比を有するスラリーで自己整列フローティングゲートを形成してフラッシュメモリ素子を製造することを特徴とする。例文帳に追加

A chemical mechanical polishing step of a trench element separating film 29 is performed by a slurry having a high polishing selection ratio to an oxide film 23 rather than to a nitride film 25, a self-alignment floating gate is formed by a slurry having a high polishing selection ratio to a polycrystal silicon rather than to the oxide film, so that the flash memory cell is manufactured. - 特許庁

ハードディスクなどの研磨布として研磨したり、電子機器などを清掃するためのワイピングクロスとして使用した際に、オリゴマーなどを由来とする自己発塵微粒子や溶媒などにより抽出される低分子量物質の発生が少なく、またハードディスク表面や精密な電子部品を傷つけることのない研磨清掃用に適した分割型複合繊維を得ること。例文帳に追加

To provide a splittable conjugate fiber suitable for polishing and cleaning, which little generates self-dusted particles derived from oligomers and has a low molecular weight substances extractable with a solvent and the like and damaging neither a hard disk surface nor fine electronic parts when used for polishing as an abrasive cloth for hard disks or used as a wiping cloth for cleaning electronic devices. - 特許庁

例文

本発明は、多結晶シリコン用化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing)のためのスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の形成方法に関し、より詳しくはエッチング防止膜の素子分離酸化膜に比べて多結晶シリコンに対し高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜を研磨し、フラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲート(Self Align Floating Gate)を形成する半導体素子の形成方法に関する。例文帳に追加

A slurry composition for chemical mechanical polishing for the polycrystalline silicon and the semiconductor element utilizing it are formed, by a method wherein a trench element separation film is ground with the slurry having the grinding selection ratio with respect to the polycrystalline silicon, which is higher compared with the element separation oxide film of an etching prevention film, to form the self aligned floating gate of the flash memory element. - 特許庁

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「自己研磨」の英訳に関連した単語・英語表現

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