have the opposite effectとは 意味・読み方・使い方

The fin feet 16 for swimming are constituted to have inner portions 21 extending to the inner side of the contours of foot pockets 17 larger than the outer portions 22 extending to the outer side of the contour of these foot pockets 17 and render the bending effect on the ankles on the side opposite to the bending effect created by the conventional fin feet for swimming.例文帳に追加

本発明の水泳用ひれ足（１６）は、足ポケット（１７）の輪郭の外側に延びる外側部分２２よりも大きい、足ポケット（１７）の輪郭の内側に延びる内側部分２１を有するように構成されており、従来の水泳用ひれ足（１）によってつくられるのと反対方向で足首上に曲げ作用をもたらす。 - 特許庁

The first and second gate each have a non-uniform shape, and the second gate is oriented with respect to an orientation of the first gate in such a way that an effect of an overlay error on a device parameter of the second transistor has an opposite sign in comparison to an effect of the overlay error on a corresponding device parameter of the first transistor.例文帳に追加

第１および第２のゲートはそれぞれ不同形状を有し、そして、第２のゲートは、第２のトランジスタのデバイスパラメータに対するオーバーレイエラーの影響が、第１のトランジスタのデバイスパラメータに対するオーバーレイエラーの影響に比較して逆の符号を有する形で第１のゲートの向きに対して配向されている。 - 特許庁

When the plurality of nozzle arrays eject ink drops simultaneously in parallel, an air flow is generated in the ejecting direction but since the first nozzle arrays are located on the opposite sides of the second nozzle arrays in the main scanning direction, the air flow generated by a large quantity of ink drops is not shifted to the small quantity of ink drops to have an effect thereon.例文帳に追加

複数のノズルアレイから同時に並列にインク滴を吐出するときに、その吐出方向に気流が発生するが、主走査方向で第２のノズルアレイの両側に第１のノズルアレイが位置しているので、多量のインク滴による気流が少量のインク滴に片寄って影響することがない。 - 特許庁

The MOS field effect transistor having electric field relaxation layers 107A and 107B and a punch-through stopper layer 108 in gate-overlap structure symmetrically with the gate electrode 103 is provided with a P-type layer 110 of an opposite conductivity type from the N-type punch-through stopper layer 108 on a surface of the punch-through stopper layer 108 to have no rise in threshold voltage.例文帳に追加

ゲート電極１０３と対称的にゲートオーバーラップ構造の電界緩和層１０７Ａ、１０７Ｂとパンチスルーストッパー層１０８を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型パンチスルーストッパー層１０８の表面に、このパンチスルーストッパー層１０８とは反対導電型のＰ型層１１０を設け、しきい値電圧が上昇しないようにしたもの。 - 特許庁

To provide a semiconductor element provided with a boron phosphide-based semiconductor layer which can reduce leakage of an element driving current, improve photoelectric conversion efficiency as a light-emitting element, improve an opposite direction voltage, cause a gate electrode to have high voltage resistance as an electric field effect transistor, and improve the pinch-off characteristic of a drain current.例文帳に追加

燐化硼素系半導体層を備える半導体素子において、素子駆動電流の漏洩を低減することができ、発光素子として光電変換効率を高くでき、逆方向電圧も高くでき、また電界効果型トランジスタとしてゲート電極を高耐圧性とし、ドレイン電流のピンチオフ特性も改善することができるようにする。 - 特許庁