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p-si TFTとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「p-si TFT」の意味

p-si TFT

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「p-si TFT」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

A TFT element 1 comprises: a P doped n^+a-Si film 6 formed on an a-Si film 5; and an Si film 7 of less than 1 nm formed on the P doped n^+a-Si film 6.例文帳に追加

TFT素子1は、a−Si膜5上に形成されたPドープn^+a−Si膜6と、Pドープn^+a−Si膜6上に形成された1nm以下のSi酸化膜7を有している。 - 特許庁

Contamination and the surface oxidation of the a-Si film 13a are prevented, and the characteristics of the TFT using a p-Si film obtained by crystalizing the film are stabilized.例文帳に追加

a−Si膜13aの汚染や表面酸化が防止され、これを結晶化して得られたp−Si膜を用いたTFTの特性が安定化する。 - 特許庁

To provide an excimer laser annealing method(ELA) for obtaining a p-Si good in crystallinity in the ELA for forming the p-Si for p-Si TFT LCDs.例文帳に追加

p−SiTFTLCDのp−Siを形成するエキシマレーザーアニール(ELA)において、結晶性の良好なp−Siを得るためのELAを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a high-quality p-type Si thin film of major orientation to (111) and to provide a method of manufacturing a TFT using that p-type Si thin film.例文帳に追加

本発明は、p−Si薄膜の形成方法及びそれを用いたTFTの製造方法に関し、高品質な(111)優先配向p−Si薄膜の形成方法及びそれを用いたTFTの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The inorganic n-channel TFT has an amorphous Si active layer, and the organic p-channel TFT has an α-hexathienylene (α-6T) active layer.例文帳に追加

n−チャネル無機TFTはアモルファスSi活性層を有し、p−チャネル有機TFTはα−ヘキサチエニレン(α−6T)活性層を有する。 - 特許庁

A plurality of unit thin film transistors(TRs) TFT manufactured by using a thin film polycrystalline silicon(p-Si) or a thin film amorphous silicon(a-Si) on a substrate 1 are connected in parallel to configure a high frequency signal switching element with a low ON-resistance.例文帳に追加

基板1上に薄膜ポリシリコン(p−Si)もしくは薄膜アモルファスシリコン(a−Si)を用いて作られた単位TFTを複数個並列接続して、低オン抵抗の高周波信号切替素子を構成した。 - 特許庁

例文

To manufacture a p-Si(polycrystalline silicon) TFT uniform in drive characteristics or a liquid crystal display device of high display quality keeping its manufacturing yield high by a method wherein a-Si(amorphous silicon) is homogenized by uniform annealing independently of variations in detection results obtained from a beam detection means in an excimer laser annealing device where a-Si turned to p-Si annealing.例文帳に追加

a−Siをアニールしp−Siを形成するエキシマレーザアニール装置において、ビーム検出手段からの検出結果の変動に拘わらず、均一なアニールを可能とし、p−Siの均質化を図り、均一な駆動特性を有するp−SiTFTひいては表示品位の高い液晶表示素子の高い歩留まりでの製造を可能とする。 - 特許庁

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「p-si TFT」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

To create an alkali-free glass desirable as a glass substrate for an organic EL display, especially an alkali-free glass which is resistant to thermal shrinkage in a p-Si*TFT production process and besides is excellent devitrification resistance and meltability.例文帳に追加

有機ELディスプレイ用ガラス基板に好適な無アルカリガラス、特にp−Si・TFTの製造工程において、熱収縮し難く、且つ耐失透性や溶融性に優れる無アルカリガラスを創案すること。 - 特許庁

The thin film transistor (TFT) substrate 201 has two types of TFT1, TFT3 comprising operating semiconductor layers 23, 37 of the p-Si lateral crystallized by a continuous oscillation solid-state laser.例文帳に追加

薄膜トランジスタ(TFT)基板201は、連続発振固体レーザによりラテラル結晶化されたp−Siの動作半導体層23、37を備えた2種類の周辺回路用TFT1、3を有している。 - 特許庁

A TFT is constituted in such a structure that a p-type Si thin film 8 of major orientation to (111) is formed on a glass substrate 2 and a laser beam is irradiated on the thin film 8 in an oxygen-containing atmosphere.例文帳に追加

ガラス基板2上に(111)優先配向p−Si薄膜8を形成し、酸素を含む雰囲気中で、(111)優先配向p−Si薄膜8へレーザビームを照射するように構成する。 - 特許庁

To lower the manufacture cost of an electrode substrate for a liquid crystal device, which is used for a p-Si type TFT-LCD by performing high- precision OS inspection, without causing increase in the area of a row electrode driving circuit or the facility investment amount and decreasing defective substrates moving into cell process.例文帳に追加

p−Si型TFT−LCDに用いられる表示装置用電極基板において、行電極駆動回路の面積増や設備投資額の増加を招くことなしに高精度なOS検査を可能とし、不良基板のセル工程への流れ込みを低減して、製造コストを削減する。 - 特許庁

To provide a laser annealer having a structure performing split irradiation to a substrate to be processed in a low temperature polysilicon (p-Si) TFT process in which split irradiation can be performed without increasing the size of the annealer and the costs of chamber windows can be reduced.例文帳に追加

低温ポリシリコン(p−Si)TFTのプロセスにおいて、被処理基板に対してレーザ照射する際に分割照射する構造を有するレーザアニール装置において、分割照射を行うのに伴って装置が大きくならず、またチャンバウインドウにかかるコスト削減可能なレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

To improve throughput in a thin display panel manufacturing process while reducing manufacturing cost of a glass sheet, and to reduce heat shrinkage of the glass sheet in a p-Si TFT manufacturing process, by inventing an alkali-free glass which is excellent in productivity (in particular, devitrification resistance), ensures a fast etching rate for a hydrofluoric acid-based chemical solution, and has a high strain point.例文帳に追加

生産性(特に耐失透性)に優れると共に、フッ酸系薬液に対するエッチングレートが速く、しかも歪点が高い無アルカリガラスを創案することにより、ガラス板の製造コストを低廉化しつつ、薄型のディスプレイパネルの製造工程において、スループットを向上させ、更にp−Si・TFTの製造工程におけるガラス板の熱収縮を低減する。 - 特許庁

例文

To ensure airtightness inside an organic EL display and to reduce thermal shrinkage of a glass plate in a process for producing a p-Si TFT, while lowering the production cost of the glass plate, by an alkali-free glass which is excellent in productivity (in particular, devitrification resistance), matches a glass sealant in thermal expansion coefficient and has a high strain point.例文帳に追加

生産性(特に耐失透性)に優れると共に、ガラス封止材の熱膨張係数に整合し、しかも歪点が高い無アルカリガラスを創案することにより、ガラス板の製造コストを低廉化しつつ、有機ELディスプレイ内部の気密性を確保し、且つp−Si・TFTの製造工程におけるガラス板の熱収縮を低減すること。 - 特許庁

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