意味 | 例文 (14件) |
work‐affected layerの英語
追加できません
(登録数上限)
「work‐affected layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
An analysis method is provided for an X-ray locking curve obtainable from a single crystal for detecting a work-affected layer, namely, the method is provided for evaluating the work-affected layer based on a ratio of a skirt-part strength vs peak intensity.例文帳に追加
単結晶の加工変質層を検出するための単結晶から得られるX線ロッキングカーブの解析方法であって、ピーク強度に対する裾部分の強度の比率に基づいて前記加工変質層を評価する方法である。 - 特許庁
To provide a device and a method for detecting a work-affected layer capable of protecting a sensor head and detecting the work-affected layer of a workpiece, and a centerless grinding machine.例文帳に追加
センサヘッドを保護すると共に、工作物の加工変質層を高精度に検出することが可能な加工変質層検出装置、検出方法およびセンタレス研削盤を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for producing a silicon carbide single crystal epitaxial wafer, with which occurrence of a defect of an epitaxial film originating from a work-affected layer is suppressed while reducing time periods required for removal treatment of the work-affected layer.例文帳に追加
加工変質層の除去処理にかかる時間を減少させつつも、加工変質層に由来するエピタキシャル膜の欠陥の発生を抑制できる炭化珪素単結晶エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nondestructive inspection that can make simple and quantitative evaluation on a single-crystalline work-affected layer.例文帳に追加
単結晶の加工変質層の評価を簡便かつ定量的にできるような非破壊検査を提供する。 - 特許庁
The thickness of a work-affected layer present in the surface layer of the copper alloy is adjusted to ≤0.2 μm, preferably to ≤0.05 μm, thus anomalous precipitation in plating is prevented, so as to improve the plating property.例文帳に追加
銅合金の表層に存在する加工変質層の厚さを0.2μm以下、好ましくは、0.05μm以下にすることにより、めっき時の異常析出を防止してめっき性を向上させるものである。 - 特許庁
Further, the one obtained by applying plating to the surface of a copper alloy in which the thickness of the work-affected layer in the surface layer is ≤0.2 μm is applied to electronic machinery such as lead frames, terminals and connectors, thus the quality of these products can be improved.例文帳に追加
また、表層の加工変質層の厚さが0.2μm以下の銅合金上にめっきを施したものをリードフレーム、端子、コネクタ等の電子機器に適用することよりこれらの製品の品質向上に寄与する。 - 特許庁
To provide a method for forming a semiconductor substrate superior in flatness without a work-affected layer by adding operation for electrochemically oxidizing a substrate surface to double-sided polishing.例文帳に追加
両面研磨に電気化学的に基板表面を酸化する作用を加味して、加工変質層のない、平坦度に優れた半導体基板を製作する方法を提供する。 - 特許庁
-
履歴機能過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断診断回数が
増える! -
マイ単語帳便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳文章で
単語を理解!
「work‐affected layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 14件
To provide a method for designing a resin-coated saw wire that provides a cut body with a shallow depth of a work-affected layer and with a smooth surface when a workpiece is cut off by using the resin-coated saw wire obtained by coating the surface of a steel wire with resin.例文帳に追加
鋼線の表面に樹脂を被覆した樹脂被覆ソーワイヤを用いてワークを切断したときに、加工変質層深さが浅く、平滑な表面の切断体が得られる樹脂被覆ソーワイヤの設計方法を提供する。 - 特許庁
The outer peripheral part of a nitride semiconductor wafer is chamfered with a rubber grinding stone or a resin foam bonded grinding stone comprising 0-40 wt.% of oxide abrasive grains to allow a work-affected layer having a thickness of 0.5-10 μm to remain on the outer peripheral part.例文帳に追加
窒化物半導体ウエハー外周部を0〜40重量%の酸化物砥粒を含むゴム砥石或いは発泡レジンボンド砥石でチャンファーし、外周部に加工変質層を0.5μm〜10μmの厚さで残すようにする。 - 特許庁
To provide an effective method for polishing the surface of a silicon carbide single crystal wafer capable of finish polishing (polishing) by removing a work-affected layer from the surface of the chemically stable silicon carbide single crystal wafer roughly polished (lapped) to provide a high quality surface.例文帳に追加
本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for acquiring a glass substrate for magnetic recording medium polishing an end face of a glass substrate at a high polishing speed while suppressing a use of cerium oxide abrasives and producing no work-affected layer like a flaw on the end face such as a chamfer part or the like.例文帳に追加
ガラス基板の端面を酸化セリウム砥粒の使用をできるだけ抑えながら、かつ高い研磨速度で研磨し、面取り部等の端面にキズ等の加工変質層がない磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for measuring a characteristic of a piezo-electric element, which can simply and precisely determine a polarization reversing characteristic or a distribution state of dipoles in the piezo-electric element, in order to evaluate a polarization reversing behavior and/or evaluate a work-affected layer of the piezo-electric element.例文帳に追加
圧電体の加工変質層の評価及び/又は分極反転挙動の評価のために、圧電体内部の双極子の分布状態又は分極反転特性をより簡便に且つ精度良く判定し得る圧電体特性測定方法を提供すること。 - 特許庁
The device includes a magnetic sensor 10 having a sensor head 12 for magnetically detecting a work-affected layer on an inspection surface of a workpiece 2, and a contact member 20 brought into contact with the workpiece 2 and arranged on the sensor head 12 so that the distance between the sensor head 12 of the magnetic sensor 10 and the inspection surface of the workpiece 2 is maintained in a predetermined range.例文帳に追加
センサヘッド12を有し磁気を用いて工作物2の検査表面の加工変質層を検出する磁気センサ10と、工作物2に接触し磁気センサ10のセンサヘッド12と工作物2の検査表面との離隔距離を所定範囲に維持するようにセンサヘッド12に配置される接触部材20とを備える。 - 特許庁
The polishing method finish polishes (polishes) the surface of the silicon carbide single crystal roughly polished (lapped) by a diamond mechanical polishing with a colloidal silica slurry having a high oxidizing property or including a large amount of dissolved oxygen to remove the work-affected layer occurred during the diamond mechanical polishing, efficiently creating the high quality surface.例文帳に追加
ダイヤモンド機械研磨で荒研磨(ラップ)した炭化珪素単結晶ウェハ表面を、酸化性が高い或いは溶存酸素を豊富に含むコロイダルシリカスラリーで仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、ダイヤモンド機械研磨で発生した加工変質層を除去して高品質な表面を効率的に創成する研磨方法である。 - 特許庁
|
意味 | 例文 (14件) |
|
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
「work‐affected layer」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |