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あきゅうせいえしせいせきずいえんの英語
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「あきゅうせいえしせいせきずいえん」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 120件
第1及び第2の赤外線吸収層54a,54bの量子ドットはいずれもInAsにより形成されており、中間層はいずれもAl_0.5Ga_0.5Asにより形成されている。例文帳に追加
The quantum dots of the first and second infrared ray absorbing layers 54a and 54b are respectively formed from InAs, and the intermediate layer is formed respectively from Al_0.5Ga_0.5As. - 特許庁
この圧縮歪を歪補償するため、引張り歪となるGaAs層を含むInGaAs/GaAs障壁層3,5,7,9を、量子井戸層4,6,8の間に積層形成する。例文帳に追加
To strain-compensate the compression strain, InGaAs/GaAs barrier layers 3, 5, 7 and 9 including a GaAs layer as a tensile strain are stacked and formed among the quantum well layers 4, 6 and 8. - 特許庁
In、Ga、Znの組成比がIn_xGa_yZn_zで示されるアモルファス酸化物半導体において、その密度(単位体積あたりの質量)が0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z)以上である。例文帳に追加
In the amorphous oxide semiconductor in which the composition ratios of In, Ga and Zn are expressed by In_xGa_yZn_z, its density (mass per unit volume) is not less than 0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z). - 特許庁
先ず、結晶成長基板10上に、AlNバッファ層22、GaNチャネル層24及びAlGaNキャリア供給層26が積層されたエピタキシャル成長層20を形成する。例文帳に追加
The epitaxially grown layer 20 with an AIN buffer layer 22, a GaN channel layer 24 and an AlGaN carrier supply layer 26 laminated, is formed on a crystal growth substrate 10. - 特許庁
吸収保持層により吸収保持された体液が表面層へ逆戻りをせず、また、吸収保持された体液の湿潤面積を狭くすることができ、吸収された体液による湿潤感を着用者に与えることがない吸収性物品の提供。例文帳に追加
To provide an absorptive article by which wet feeling caused by absorbed humor is not given to a user by preventing the humor absorbed and held by an absorbing and holding layer from returning to a surface layer and reducing the wet area made by the absorbed and held humor. - 特許庁
レンズ体1の周縁部を嵌着した枠体5の一部に透明液体を供給するための供給部6を設け、その供給部6内の供給孔を剛性レンズ2と透明膜3の間に連通させ、供給部6から透明液体を供給する。例文帳に追加
By providing a supply part 6 for supplying the transparent liquid at one part of a frame body 5 in which the peripheral part of a lens body 1 is fit and making a supply hole in the supply part 6 communicate with the space between the lens 2 and the film 3, the transparent liquid is supplied from the supply part 6. - 特許庁
軟化点が840℃以下のSiO_2−BaO−TiO_2系無鉛ガラスで、BaO≦25モル%、ZnO<1モル%かつAl_2O_3を含有し、焼成時にBa_2Ti_9O_20結晶またはBaTi_4O_9結晶が析出する無鉛ガラス。例文帳に追加
The SiO_2-BaO-TiO_2-based nonlead glass has a softening temperature of 840°C or lower (wherein, BaO≤25 mol%; ZnO<1 mol%; Al_2O_3 is contained; Ba_2Ti_9O_20 crystal or BaTi_4O_9 crystal is deposited when fired). - 特許庁
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「あきゅうせいえしせいせきずいえん」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 120件
また本発明は、硬化性組成物(a)が、硬化性シリコーン組成物、硬化性エポキシシリコーン組成物、硬化性アクリル組成物、硬化性ノルボルネン組成物、硬化性ポリイミド組成物のいずれかから選ばれるものであることを特徴とする、上記近赤外線吸収材料である。例文帳に追加
In addition, the near infrared absorbing material is characterized in that the curable composition (a) is one that is chosen from a curable silicone composition, a curable epoxy silicone composition, a curable acrylic composition, a curable norbornene composition, and a curable polyimide composition. - 特許庁
吸引ろ過成形装置1AによってYSZ粒子8を細孔20A内に充填させる(第1の積層工程)。例文帳に追加
Pores 20A are filled with YSZ particles 8 by a suction filtration molding apparatus 1A (first lamination process). - 特許庁
n−InP基板20上に、n−InPバッファ層22,反射鏡層23,i−InGaAs光吸収層24,n−InPキャップ層28が積層され、n−InPキャップ層28内に亜鉛(Zn)が拡散されて、受光部となるp型拡散領域32が形成されている。例文帳に追加
An n-type InP buffer layer 22, a reflector layer 23, an i-type InGaAs photo-absorption layer 24, and an n-type InP cap layer 28 are laminated on an n-type InP substrate, and zinc(Zn) is diffused in the n-type InP cap layer 28 to form a p-type diffusion region 32 as a photo-receiving portion. - 特許庁
吸着ガスとしてクリプトンガスを使用したBET多点法によって測定された比表面積は0.05m^2/g以上であり、0.9重量%生理食塩水を保持する保水能力は5〜30g/gである、高分子量体含有粘性液の吸収に適した吸水性樹脂。例文帳に追加
The water-absorbing resin has a specific surface area, as measured by the BET multipoint adsorption method employing a krypton gas as an adsorbate gas, of 0.05 m^2/g or more and a water retentivity, as measured with 0.9 wt.% physiological saline, of 5 to 30 g/g, and is suitable for absorbing the viscous liquid containing the high molecular weight object. - 特許庁
次に、物理的気層成長法によりTi膜108を、続いて化学的気層成長法によりTiN膜109を堆積し、TiN膜109の表面を、N2プラズマに暴露する。例文帳に追加
Then, a Ti film 108 is deposited by a physical vapor-phase growth method and then a TiN film 109 by a chemical vapor-phase growth method, and the surface of TiN film 109 is exposed to N2 plasma. - 特許庁
(イ)ポリオレフィン系樹脂を1〜99質量部、(ロ)水添系熱可塑性エラストマーを99〜1質量部(但し、(イ)+(ロ)=100質量部)、及び、(ハ)導電性フィラーを1〜100質量部含み、かつ、体積固有抵抗値が10^3Ω・cm以下である導電性組成物。例文帳に追加
The conductive composition includes 1-99 pts.mass of a polyolefin resin (a), 99-1 pts.mass of a hydrogenated thermoplastic elastomer (b) (provided that, (a)+(b)=100 pts.mass), and 1-100 pts.mass of a conductive filler (C) and has a volume resistivity value of 10^3 Ωcm or less. - 特許庁
このようにして有機トランジスタ9の集積回路を形成した後、有機トランジスタ9の集積回路を有するN枚(Nは2以上の自然数。図1の場合、3)のシート10を重ねて貼り合わせる。例文帳に追加
After forming the integrated circuit of the organic transistor 9 as described so far, N sheets 10 (N is a natural number of 2 or larger. In Figure, N is 3), each containing the integrated circuit of the organic transistor 9, are laid on top each other and pasted together. - 特許庁
本発明は、インキとの密着性、湿し水適性、帯電防止性に優れ、かつ高速給紙時に重送せず安定した給紙が可能な易滑性を有するオフセット印刷用フィルムなどの印刷用途に適した積層シンジオタクチックポリスチレン系延伸フィルムを提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a laminated oriented film of syndiotactic polystyrene which is excellent in adhesion to ink, damping water aptitude, and antistaticity and is suitable for a printing application such as an offset printing film having slipping properties, enabling stable feeding without double feeding during high speed feeding. - 特許庁
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