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ライフサイエンス辞書での「いえきぶんぴかた」の英訳

胃液分泌過多

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「いえきぶんぴかた」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 119



例文

その後、反応室を、In成分を含む雰囲気にして、In成分よりなりAs成分及びP成分が固溶した液滴を形成するとともに、この液滴を結晶化して、InAsPよりなる量子ドットを形成する。例文帳に追加

Then an atmosphere containing an In component is produced in the reaction chamber to form liquid drops which consist of the In component and in which the As component and P component are dissolved, and the liquid drops are crystallized to form quantum dots consisting of InAsP. - 特許庁

胃液分泌過多と胃酸過多を伴う、難治性の消化性潰瘍から成る症候群例文帳に追加

syndrome consisting of intractable peptic ulceration with gastric hypersecretion and hyperacidity発音を聞く  - 日本語WordNet

DPP法のメインプッシュプル信号MPPとサブプッシュプル信号SPPとを用い、トラッキングサーボをOFF状態としてMPP+kSPP(kは定数)によりオフセット成分を抽出し、光ディスク10と対物レンズとの傾き角を検出する。例文帳に追加

Moreover, the RF circuit 26 extracts offset components with MPP + kSPP ((k) is a constant) by making a tracking servo to be in an OFF state while using a main push-pull signal MPP and a sub-push-pull signal SPP of the DPP method and detects an anglr of tilt of the optical disk 10 and the objective lens. - 特許庁

演算増幅器(OP1,OP2)には、電源電位(VDD)と分圧回路(S)から出刀される中間電位(Va)とが供給され、演算増幅器(OP3,OP4)には、中間電位(Va)と電源電位(VEE)とが供給される。例文帳に追加

The power source electric potential (VDD) and an intermediate electric potential (Va) which is output from a voltage dividing circuit (S) are supplied to the operational amplifiers (OP1, OP2), and the intermediate electric potential (Va) and the power source electric potential (VEE) are supplied to the operational amplifiers (OP3, OP4). - 特許庁

ピストンの製造は、ピストン頂面が下型に設けられるように型組みする型組み工程(S10)と、合金成分をピストン頂面に偏析させるために下型を加熱して鋳込む鋳込み工程(S14)とを有する。例文帳に追加

This manufacturing method for the piston includes a mold assembling process (S10) of performing mold assembling such that the piston top face is provided in a drag and a casting process (S14) of heating and casting the drag to segregate the alloy component on the piston top face. - 特許庁

ケプストラム分析部1は、入力端INより供給された波形信号が表す音声のピッチ成分の周波数を特定する。例文帳に追加

A cepstrum analysis part 1 specifies the frequency of a pitch component of a speech that a waveform signal supplied from an input end IN represents. - 特許庁

例文

工程Aで、XRDピークがCe(200)面ピーク積分強度/Ce(111)面ピーク積分強度>0.6を満たすCe固溶アルミナを用いた排気ガス浄化触媒である。例文帳に追加

The catalyst for purifying the exhaust gas is to use a Ce dissolved alumina in solid state in which an XRD peak satisfies Ce(200) plane peak integrated intensity/Ce(111) plane peak integrated intensity > 0.6 in the step A. - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「いえきぶんぴかた」の英訳

胃液分泌過多


「いえきぶんぴかた」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 119



例文

米坪が46〜38g/m^2の新聞用紙を巻き取ってロール状にした新聞印刷用巻取紙であって、JAPAN TAPPI紙パルプ試験方法No.37に基づいて測定された巻取紙の硬さ(R)が40〜60である新聞印刷用巻取紙により解決される。例文帳に追加

The roll of newsprint paper is produced by winding the newsprint paper having a basis weight of 46 to 38 g/m^2 and the hardness (R) of the rolled paper is 40 to 60 according to JAPAN TAPPI paper pulp testing method No. 37. - 特許庁

スピン消極を引き起こすことなく、また、加熱処理を必要とせずに、[Co/Ni]x積層構造の十分な垂直磁気異方性を確保する。例文帳に追加

To ensure sufficient perpendicular magnetic anisotropy of a [Co/Ni]_x multilayer structure without causing a spin depolarization and also without requiring a heat treatment. - 特許庁

スピントルク型磁気メモリにおいて、異方性エネルギーを大きくし、微細化しても十分な熱揺らぎ耐性を有するようにする。例文帳に追加

To allow a spin torque type magnetic memory to increase anisotropic energy and have sufficient thermal fluctuation resistance even if microfabricated. - 特許庁

結晶欠陥密度が低く、しかも、ピエゾ自発分極が生じ難いGaN系化合物半導体層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for depositing a GaN-based compound semiconductor layer having a low crystal defect density and almost free from production of piezo spontaneous polarization. - 特許庁

結晶欠陥密度が低く、しかも、ピエゾ自発分極が生じ難いGaN系化合物半導体層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a GaN-based compound semiconductor layer in which a crystal defect density is low and moreover any piezo spontaneous polarization is hard to occur. - 特許庁

発光素子を構成する積層体の、光取出面をなす一方の主表面に有底孔LPを分散形成し、その有底孔LPの内面に異方性エッチング処理による微細な面粗し突起部を分散形成する。例文帳に追加

Bottomed holes LP are distributedly formed on one main surface as a light extraction surface of a laminate configuring the light-emitting element, and fine surface-roughened protrusion portions are distributedly formed by anisotropic etching treatment on the inner surface of the bottomed holes LP. - 特許庁

Pチャネル型MISトランジスタPTrの活性領域11の側方を囲むトレンチ型素子分離12と、Nチャネル型MISトランジスタNTrの活性領域21の側方を囲むトレンチ型素子分離22との膜質を異なるものとする。例文帳に追加

Quality is made different in a film of a trench-type element separation region 12 surrounding the side of an active region 11 of a p-channel type MIS transistor PTr, and that of trench-type element separation region 22 surrounding the side of an active region 21 of an n-channel type MIS transistor NTr. - 特許庁

例文

ピアノ線で切断・形成されてできたパネル状半硬化体が複数枚積層されている半硬化体の養生後、得られたALCから下部ブロック部を分離し易くするとともに、前記ALCの分割によって得られる大型ALCパネルの養生不良を解消する。例文帳に追加

To easily separate a lower part block part from autoclaved lightweight concrete obtained after curing a semi-cured body in which a plurality of sheets of panel-like semi-cured bodies formed by cutting them with a piano wire are laminated, and to solve defective curing of large-sized ALC panels obtained by dividing the ALC. - 特許庁

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