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いしいちょう5ちょうめの英語
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「いしいちょう5ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
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他にも、世界の成長センターであるアジア太平洋地域の成長をより確たるものとするため、「均衡ある成長」や「あまねく広がる成長」、「持続可能な成長」、「革新的成長」、「安全な成長」の 5 つの成長を達成することを目的とする、長期的かつ包括的な「APEC 首脳の成長戦略」を策定した。例文帳に追加
In order to further ensure the growth of the Asia-Pacific region, which is the center of growth of the world, the long-term and comprehensive “APEC Leaders' Growth Strategy” was adopted, aiming to achieve growth with five growth attributes: balanced, inclusive, sustainable, innovative, and secure growth. - 経済産業省
11系統(木津南循環バス):木津駅東口→州見台4丁目→州見橋東→州見台8丁目→州見橋東→木津南ソレイユ→梅見台小学校→梅見台5丁目→梅見台3丁目→梅見台2丁目→木津駅東口例文帳に追加
Route 11 (Kizuminami loop bus): East entrance of Kizu Station - Kunimidai 4-chome - Kunimibashi-Higashi - Kunimidai 8-chome - Kunimibashi-Higashi - Kizu-minami Soleil -Umemidai Elementary School - Umemidai 5-chome - Umemidai 3-chome - Umemidai 2 -chome - East entrance of Kizu Station発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
明治5年(1872年)1月には大阪鎮台司令長官に就任、明治7年(1874年)4月に名古屋鎮台司令長官に移るが、明治10年(1877年)5月には大阪鎮台司令長官を兼ねた(同年中に兼職を免ぜられる)。例文帳に追加
He was appointed Commander of Osaka Garrison in February 1872 and transferred to Commander of Nagoya Garrison in April 1874, though he served concurrently as Commander of Osaka and Nagoya Garrisons in May 1877 (he was relieved from serving as Commander of Osaka Garrison later the same year).発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
RGB階調データを色変換(3)してCMYK階調データとし、そのCMYK階調データに対し、ガンマ特性改善のための階調補正(5)を行う。例文帳に追加
RGB gradation data are subjected to color conversion 3 to obtain CMYK gradation data, which are subjected to gradation correction 5 for the improvement of gamma characteristics. - 特許庁
慶長5年(1600年)2月になると、景勝は夏までに領内諸城の補修を命ずる。例文帳に追加
In February 1600, Kagekatsu ordered that the castles in his fief be repaired by the summer of the same year.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
慶長5年(1600年)、信吉は景勝の代理で新年の祝賀のために上洛する。例文帳に追加
In 1600, Nobuyoshi went up to Kyoto for the New Year's greetings on behalf of Kagekatsu.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
延暦4年4月(785年5月)の最澄の戒牒や『多度神宮寺伽藍縁起並資財帳』に、ともに僧綱の一人として署名した。例文帳に追加
In Saicho's kaicho (Certificates of Reception of Buddhist Commandments) of May 785, and in "Tado-jinguji garan engi narabini shizai cho" (literally, directory of Tado Jingu-ji Temple origins and property), he signed his name as a member of Sogo (ancient Buddhist ecclesiastical authority).発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
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明治5年(1872年)、陸軍少将になり、翌年から暫くの間熊本鎮台司令長官となる。例文帳に追加
In 1872, he became Army Major General, and from the following year, he served as General of the Kumamoto Chindai Army for some time.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
濃姫(のうひめ、天文(元号)4年(1535年)?-慶長17年7月9日(旧暦)(1612年8月5日)?)は、斎藤道三の娘で、織田信長の正室。例文帳に追加
Nohime (1535 - August 5, 1612), was the daughter of Dosan SAITO and lawful wife of Nobunaga ODA.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
だが、平成20年の再調査により、石室の高さ5.27メートルであることが判明した(平成20年8月5日高取町教育委員会発表)。例文帳に追加
However, the research conducted again in 2008 and the stone chamber proved to be 5.27 meters high (reported by Takatori Town Board of Education on August 5, 2008)発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
成長容器5内でSiC種結晶1の成長面上にバルク状のSiC単結晶を成長させて,SiC単結晶10を製造する方法である。例文帳に追加
The method for manufacturing the SiC single crystal 10 comprises growing a bulk SiC single crystal on the growth surface of an SiC seed crystal 1 in a growing vessel 5. - 特許庁
工事台帳入力画面4bで工事台帳を更新する入力を行うと、機器台帳と共通する”機器名称“と”機場名“をリンクテーブル5に保存する。例文帳に追加
When an input for updating a construction ledger is operated on a construction ledger input screen 4b, 'equipment designation' and 'equipment place name' common to an equipment ledger are preserved in a link table 5. - 特許庁
また、GaN層5は、ピンホールPから露出するGaN膜3を成長の核とする横方向の成長により合体し表面が平坦化されるまで成長させる。例文帳に追加
In addition, the GaN layer 5 is formed, by laterally growing the portions of the GaN layer 3 exposed through the pinholes P as nucleus for growth, until the grown portions join to each other and the surfaces of the joints are planarized. - 特許庁
各分極性電極を、集電体となる基板3, 4 とその片面に成長させたブラシ状カーボンナノチューブ5, 6 とから構成した。例文帳に追加
The polarizable electrodes 1, 2 comprise substrates 3, 4 serving as power collectors and carbon nano-tubes 5, 6 grown into a brush shape on one side of each of the substrates 3, 4. - 特許庁
そして、SiC単結晶5の成長に伴って、種結晶保持具2と共にSiC単結晶5を成長方向と逆方向に引き上げ、SiC単結晶5の表面とガイド6の表面6aとがほぼ面一となるようにする。例文帳に追加
Then, the SiC single crystal 5 is pulled together with a seed crystal supporting tool 2 in the reverse direction to the growth direction according to the growth of the SiC single crystal 5 so that the surface of the SiC single crystal 5 becomes nearly same plane with the surface 6a of the guide 6. - 特許庁
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