いのうえちょう１３ちょうめの英語

1880年（明治13年、0歳）、明治時代の元勲井上馨の実姉の長女を母とし、旧長州藩武士鮎川弥八（第10代当主）を父として、山口県氷川郡大内村（現在の山口市大内地区）に生れた。例文帳に追加

In 1880 (at the age of 0), he was born to the eldest daughter of the real sister of Kaoru INOUE, Genkun (the statesmen who contributed in the Meiji Period), and Yahachi AYUKAWA, a former samurai of Choshu Domain (the 10th family head), in Ouchi Village, Hikawa County, Yamaguchi Prefecture (present day Ouchi area, Yamaguchi City).発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

第十三条　すべて国民は、個人として尊重される。生命、自由及び幸福追求に対する国民の権利については、公共の福祉に反しない限り、立法その他の国政の上で、最大の尊重を必要とする。例文帳に追加

Article 13. All of the people shall be respected as individuals. Their right to life, liberty, and the pursuit of happiness shall, to the extent that it does not interfere with the public welfare, be the supreme consideration in legislation and in other governmental affairs.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

くし型状部１３の山部分１１の吐出口１４から塗布液を被塗布材の上に吐出しつつ、谷部分１２に供給する気体の量を調整することで、簡易に且つ所定の幅と厚みのストライプ状の塗布面を安定して形成することができる。例文帳に追加

By adjusting the amount of air supplied to the trough parts 12 while discharging the coating liquid to the material to be coated from the discharge ports 14 of the ridge parts 11 of the comb-shaped part 13, the stripe-like coated surfaces with predetermined width and thickness can be simply and stably formed. - 特許庁

透明基材の上に２０μｍ以下の厚みの粗面化されたアルミニウム薄膜を有する基材に、周期律表のＩＩa、ＩＩｂ、ＩＶa族の金属元素のフッ化物を作用させることにより該アルミニウム層の表面に金属酸化物半導体層を形成した基材を電極として用いることを特徴とする色素増感型太陽電池。例文帳に追加

This dye-sensitized solar cell uses, as an electrode, a base material 17 with a metal oxide semiconductor layer formed on the surface of an aluminum layer by making fluorides of metal elements of groups IIa, IIb and IVa in the periodic table act on a base material having, on a transparent base material 11, a roughened aluminum thin film 13 having a thickness not greater than 20 μm. - 特許庁

表面に電極１３ａ、１３ｂが設けられ裏面に接地基板１３が設けられた絶縁基板１２と、この絶縁基板に設けられ、この素子の端子１６ａ、１６ｂが前記電極と接続された高周波素子１５と、この高周波素子を覆うポッティング材１８と、このポッティング材の上に設けられ、前記接地基板と接続された金属層１９と、を有することを特徴とする高周波素子モジュール。例文帳に追加

The high frequency element module comprises an insulating substrate 12 provided with electrodes 13a and 13b on the surface and a ground substrate 13 on the backside, a high frequency element 15 provided on the insulating substrate and having terminals 16a and 16b connected with the electrodes, a potting material 18 covering the high frequency element, and a metal layer 19 provided on the potting material and connected with the ground substrate. - 特許庁

3月28日(旧暦)（5月5日）には大垣藩主の戸田氏定家臣の戸田源五左衛門、植村七郎左衛門、29日（6日）には広島藩主浅野綱長家臣の太田七郎左衛門正友、4月1日(旧暦)（5月8日）には広島藩三次藩主浅野長澄家臣の内田孫右衛門、4月6日(旧暦)（5月13日）には戸田家家臣の戸田権左衛門、杉村十太夫、里見孫太夫、4月8日(旧暦)（5月15日）には戸田家家臣の大橋伝内、4月9日(旧暦)（5月16日）には広島浅野家家臣、井上団右衛門、丹羽源兵衛、西川文右衛門、4月11日(旧暦)（5月18日）には戸田家の高屋利左衛門、村岡勘助、広島浅野家の内藤伝左衛門、梅野金七郎、八木野右衛門、長束平内、野村清右衛門、末田定右衛門、4月12日(旧暦)（5月19日）には戸田家の正木笹兵衛、荒渡平右衛門、三次浅野家の永沢八郎兵衛、築山新八が赤穂を訪れた。例文帳に追加

The lord of Ogaki Domain Ujisada TODA's retainers Gengozaemon TODA and Shichirozaemon UEMURA visited Ako on May 5, the lord of Hiroshima Domain Tsunanaga ASANO's retainers Masatomo Shichirozaemon OTA on May 6, the third vice lord in position of Hiroshima Domain Nagazumi ASANO's retainers Magoemon UCHIDA on May 8, retainers of the Toda family Gonzaemon TODA, Judayu SUGIMURA and Magodayu SATOMI on May 13, retainer of the Toda family Dennai OHASHI on May 15, retainers of the Asano family from Hiroshima Danemon INOUE, Genbe NIWA and Bunemon NISHIKAWA on May 16, Rizaemon TAKAYA and Kansuke MURAOKA from the Toda family and Denzaemon NAITO, Kinshichiro UMENO, Noemon YAGI, Heinai NATSUKA, Seiemon NOMURA and Sadaemon SUEDA from the Asano family from Hiroshima on May 18, Sasabe MASAKI, Heiemon ARATO from the Toda family and Hachirobe YAZAWA and Shinpachi TSUKIYAMA from the third Asano family on May 19.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス