えいわ１ちょうめの英語

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加

A high quality wafer including Al_xGa_yIn_zN, wherein 0<y≤1 and x+y+z=1, with a root mean square surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 area on its Ga-side. - 特許庁

空調用チャンバ１では、チャンバ本体２に、調和空気ＳＡを導入するための調気導入口５と、外気ＯＡを導入するための外気導入口８と、調和空気ＳＡと外気ＯＡとの混合空気ＭＡを流出させるための複数の吹き出し口１１とが設けられている。例文帳に追加

In this chamber for air conditioning 1, a chamber main body 2 is provided with a conditioned air introduction port 5 for introducing the conditioned air SA, an outside air introduction port 8 for introducing the outside air OA, and the plurality of blowout ports 11 for allowing the mixed air MA of the conditioned air and the outside air OA to flow out. - 特許庁

式（１）（式中、Ａ^1、Ａ^2、Ａ^3、ＲおよびＹは上記と同一の意味を表わす。）で示されるエステル化合物と水素化ホウ素化合物とを、有機溶媒中、メタノールの存在下に反応させることを特徴とする式（２）（式中、Ａ^1、Ａ^2、Ａ^3およびＱは上記と同一の意味を表わす。）で示されるアルコール化合物の製造方法。例文帳に追加

The method for producing an alcohol compound represented by formula (2) comprises reacting an ester compound represented by formula (1) with a boron hydride compound in an organic solvent in the presence of methanol. - 特許庁

多床室空調設備１は、複数のベッド２が配置され外部に面する窓３を備えた病室５内へ空調機６で調整した調和空気ＳＡ１，ＳＡ２を供給して病室５内の空調を行う空調設備である。例文帳に追加

This multi-bed room air conditioning apparatus 1 supplies the conditioned air SA1, SA2 conditioned by an air conditioner 6 to a sickroom 5 provided with a plurality of beds 2 and a window 3 facing on the outside, thereby air-conditioning the interior of the sickroom 5. - 特許庁

空気調和機１は壁面４３Ａの中央でおよそ半分の高さに設置されている。例文帳に追加

The air conditioner 1 is installed on a wall surface 43A at the center and half height thereof. - 特許庁

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^2面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加

A high quality wafer includes Al_xGa_yIn_zN (in the formula, 0<y≤1 and x+y+z=1) characterized by the root square average surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 on the Ga side of the wafer. - 特許庁

ＧａＡｓ基板４上にＡｌＧａＡｓ層を液相エピタキシャル法によりエピタキシャル成長するに際し、上記ＡｌＧａＡｓ層の成長開始温度をＡｌ及びＡｓが飽和溶解する温度よりも１〜１０℃高めることで、基板４の表面を溶解しながら成長させる。例文帳に追加

When conducting the epitaxial growth of an AlGaAs layer on a GaAs substrate 4 with the liquid-phase-pitaxial method, the growth starting temperature of the AlGaAs layer made higher than the saturation melting temperature of the Al and the As by 1 to 10°C melts the surface of the substrate 4 to grow the epitaxial. - 特許庁

また、棟部材１の側面３ａ，３ｂに、それぞれ傾斜面２ａ，２ｂと平行に外側へ張り出す張出部４ａ，４ｂを形成する。例文帳に追加

Overhang parts 4a and 4b, which overhang outward in parallel with the inclined planes 2a and 2b, respectively, are formed on side surfaces 3a and 3b of the ridge member 1. - 特許庁