かわいちょうあもうの英語

シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。例文帳に追加

To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching. - 特許庁

ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。例文帳に追加

An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method. - 特許庁

例えば、ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にＣｕ薄膜１０２を形成した後、溶液気化ＣＶＤ法によりアモルファスＬａＣｕＯＳ薄膜１０３を成長させる。例文帳に追加

For example, a Cu thin film 102 is formed on a substrate 101 such as a YSZ substrate or an MgO substrate and then an amorphous LaCuOS thin film 103 is grown by solution vaporization CVD. - 特許庁

異種基板上にエピタキシャル成長させて得られた湾曲した窒化物半導体結晶１２の凹状の面にダイアモンド砥粒などにより研削を行って加工変質層１３を導入する。例文帳に追加

A layer reformed by processing 13 is introduced into the concave surface of a curved nitride semiconductor crystal 12 grown epitaxially on a different kind of substrate by grinding with diamond abrasives or the like. - 特許庁

次に、前記単結晶ＳｉＣ基板１５をシリコンの飽和蒸気圧下で加熱処理することにより、前記炭化層１５ｂの部分にアモルファスＳｉＣからなる犠牲成長層（アモルファスＳｉＣ層１５ｃ）を形成するとともに、このアモルファスＳｉＣ層１５ｃを昇華させて熱エッチングする（第２工程）。例文帳に追加

Then, the resulting single crystal SiC substrate 15 is heat treated under saturated vapor pressure of silicon so as to form a sacrificial growth layer (amorphous SiC layer 15c) comprising amorphous SiC in the part of the carbonized layer 15b and at the same time, to perform thermal etching by sublimating the amorphous SiC layer 15c (second process). - 特許庁

表面層がアモルファスカーボンで構成された感光体を用い、帯電粒子を有する接触帯電方式を用いた画像形成方法において、感光体表面が筋削れやムラ削れを生ぜず、感光体表面に紙紛やごみ等のトナー以外の異物が付着した場合においても感光体表面にキズが付きにくい、長期に渡って良好な画像を提供できる画像形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming method in which a surface of a photoreceptor is not streakily or unevenly scraped, in which the surface of the photoreceptor is less liable to scuff even if foreign matter other than a toner, such as paper powder or dust adhere to the surface of the photoreceptor, and by which good images can be provided over a prolonged period of time. - 特許庁

現像剤の劣化状況の情報を元に、キャリアあるいは現像剤を交換していくことにより、過剰なキャリアもしくは現像剤補給を防止することで、トナーの帯電量安定化、適正化を行い、長期に渡って粒状性が良く、地汚れのない画像を、トナー飛散を発生させることなく得ることができる画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus in which excess carrier or developer replenishment is prevented by replacing a carrier or developer on the basis of information on the deteriorated state of the developer, accordingly a charge amount of a toner is made stable and proper and an image having good graininess and no surface stain over a prolonged period of time can be obtained without causing toner scattering. - 特許庁