ききょうがおかごばんちょうの英語

エピタキシャル成長基板の反りやクラックの発生を抑制し、且つ製造リードタイムを短縮させることができるエピタキシャル成長基板の製造方法、窒化物系化合物半導体素子の製造方法、エピタキシャル成長基板及び窒化物系化合物半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an epitaxial growth substrate which suppresses the occurrence of the warp and the crack of the epitaxial growth substrate and can reduce the manufacturing lead time, and to provide a manufacturing method of a nitride-based compound semiconductor element, an epitaxial growth substrate, and a nitride-based compound semiconductor element. - 特許庁

透明基板と、電極と、珪酸化合物含有層とからなること特徴とする太陽電池及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

The solar cell is comprised of a transparent substrate, an electrode and a silicic acid compound containing layer. - 特許庁

流動全血におけるコラーゲン誘発性の血小板凝集を阻害する能力によって特徴づけられるヘパリン様化合物の提供。例文帳に追加

To provide a heparin-like compound characterized by capacity inhibiting collagen-induced platelet aggregation in flowing whole blood. - 特許庁

ファセット面成長により形成された欠陥とＣ面成長により形成された領域との境界部における化合物半導体の異常成長を低減できる窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride substrate capable of reducing an abnormal growth of a compound semiconductor at a boundary part of a defect formed by a facet plane growth and a region formed by a C plane growth and to provide a manufacturing method of the gallium nitride substrate. - 特許庁

作製される窒化物系化合物半導体素子の発振波長のバラツキを抑え、一枚の半導体基板から良品の割合が高い窒化物系化合物半導体素子を複数作製することが可能な気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition apparatus which suppresses variation in the oscillation wavelength of a nitride base compound semiconductor element to be manufactured and manufactures a plurality of nitride base compound semiconductor elements having high yield from one semiconductor substrate. - 特許庁

III-Ｖ族系化合物半導体のエピタキシャル成長に際し、低転位基板を用いた場合においても従来と同程度のエピタキシャル成長速度を実現することができるエピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To realize epitaxial growth without decreasing its speed even with a low dislocation substrate, at epitaxial growth of a III-V compound semiconductor. - 特許庁

金属層上に化合物半導体層が成長した半導体基板を簡便かつ安価で製造することができる方法、並びにそれによって製造された化合物半導体基板及び素子を提供する。例文帳に追加

To provide: a method for manufacturing the compound semiconductor substrate, by which a compound semiconductor substrate in which a compound semiconductor layer is grown on a metal layer can be manufactured easily at a low cost; the compound semiconductor substrate manufactured by the same; and an element using the substrate. - 特許庁

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板を、選択成長工程を含むエピタキシャル成長法により製造する方法において、従来より高い電気的特性を有する化合物半導体素子を与える化合物半導体基板を製造することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide the method of manufacturing a compound semiconductor board having pn junctions using an epitaxial growth method including a selective growth process, which method enables manufacturing of a compound semiconductor board providing compound semiconductor elements having electrical characteristics higher than that of conventional one. - 特許庁