「ききょうがおかごばんちょう」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

有機金属気相成長を行った際の乾燥ムラに起因する結晶層の欠陥が少ない化合物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor substrate that is reduced in defect of a crystal layer caused by uneven drying when metal organic vapor phase epitaxy is performed. - 特許庁

膜厚、不純物濃度等について、従来より一層、高い基板面内均一性及び基板間均一性で化合物半導体層をエピタキシャル成長させるプラネタリー型化合物半導体結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a planetary type compound semiconductor crystal growing device which can epitaxially grow a compound semiconductor layer with in-plane uniformity and substrate-to-substrate uniformity, which are higher than the conventional example with respect to the film thickness, impurity concentration, etc. - 特許庁

エピタキシャル成長基板の反りやクラックの発生を抑制し、且つ製造リードタイムを短縮させることができるエピタキシャル成長基板の製造方法、窒化物系化合物半導体素子の製造方法、エピタキシャル成長基板及び窒化物系化合物半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an epitaxial growth substrate which suppresses the occurrence of the warp and the crack of the epitaxial growth substrate and can reduce the manufacturing lead time, and to provide a manufacturing method of a nitride-based compound semiconductor element, an epitaxial growth substrate, and a nitride-based compound semiconductor element. - 特許庁

透明基板と、電極と、珪酸化合物含有層とからなること特徴とする太陽電池及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

The solar cell is comprised of a transparent substrate, an electrode and a silicic acid compound containing layer. - 特許庁

流動全血におけるコラーゲン誘発性の血小板凝集を阻害する能力によって特徴づけられるヘパリン様化合物の提供。例文帳に追加

To provide a heparin-like compound characterized by capacity inhibiting collagen-induced platelet aggregation in flowing whole blood. - 特許庁

ファセット面成長により形成された欠陥とＣ面成長により形成された領域との境界部における化合物半導体の異常成長を低減できる窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride substrate capable of reducing an abnormal growth of a compound semiconductor at a boundary part of a defect formed by a facet plane growth and a region formed by a C plane growth and to provide a manufacturing method of the gallium nitride substrate. - 特許庁

作製される窒化物系化合物半導体素子の発振波長のバラツキを抑え、一枚の半導体基板から良品の割合が高い窒化物系化合物半導体素子を複数作製することが可能な気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition apparatus which suppresses variation in the oscillation wavelength of a nitride base compound semiconductor element to be manufactured and manufactures a plurality of nitride base compound semiconductor elements having high yield from one semiconductor substrate. - 特許庁

III-Ｖ族系化合物半導体のエピタキシャル成長に際し、低転位基板を用いた場合においても従来と同程度のエピタキシャル成長速度を実現することができるエピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To realize epitaxial growth without decreasing its speed even with a low dislocation substrate, at epitaxial growth of a III-V compound semiconductor. - 特許庁

金属層上に化合物半導体層が成長した半導体基板を簡便かつ安価で製造することができる方法、並びにそれによって製造された化合物半導体基板及び素子を提供する。例文帳に追加

To provide: a method for manufacturing the compound semiconductor substrate, by which a compound semiconductor substrate in which a compound semiconductor layer is grown on a metal layer can be manufactured easily at a low cost; the compound semiconductor substrate manufactured by the same; and an element using the substrate. - 特許庁

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板を、選択成長工程を含むエピタキシャル成長法により製造する方法において、従来より高い電気的特性を有する化合物半導体素子を与える化合物半導体基板を製造することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide the method of manufacturing a compound semiconductor board having pn junctions using an epitaxial growth method including a selective growth process, which method enables manufacturing of a compound semiconductor board providing compound semiconductor elements having electrical characteristics higher than that of conventional one. - 特許庁

異種材料が埋め込まれた３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体結晶を、厚さを大きくすることなしに結晶性よく基板上に成長させる、化合物半導体基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor substrate which can be suitably used for growing up a compound semiconductor crystal containing a Group III-V nitride semiconductor embedded on different types of materials with high crystallinity on a substrate without increasing the thickness. - 特許庁

複数の基板に同時に気相成長させる化合物半導体を、それが極薄膜であっても、膜厚を均一化できる化合物半導体製造装置および化合物半導体製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing compound semiconductor for uniforming the film thickness of a compound semiconductor that is subjected to vapor phase deposition simultaneously on a plurality of substrates, even if the film thickness is extremely thin, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

ガリウム酸化物基板の化合物半導体成長工程において使用する水素ガスによってもエッチング等の影響を受けず、基板平面性がよく、基板の透明性に優れたガリウム酸化物基板上に形成された発光素子、及び、その製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting element formed on a gallium oxide substrate which is not affected by etching even with hydrogen gas used in a compound semiconductor growing process of the gallium oxide substrate, and which is superior in substrate planarity and transparency of the substrate; and to provide a manufacturing method of the element. - 特許庁

基板のどの部分においても高品質なＧａＮ系化合物半導体を結晶成長することが可能な、結晶欠陥の低減されたＧａＮ系化合物半導体表面を有する半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor substrate of a structure, wherein a high- quality GaN compound semiconductor film can be crystal-grown even on any part of the substrate and the substrate has the surface, in which generation of crystal defects is reduced, of the GaN compound semiconductor film. - 特許庁

昇温中の基板に処理ガスが触れて熱衝撃により基板に欠陥が発生するのを助長したり昇温後の基板に処理ガスが触れて基板面内における温度分布が悪くなり均一な熱処理を行えなくなることを防止できる装置を提供する。例文帳に追加

To provide a heat treatment system for substrate in which processing gas is prevented from touching a substrate under temperature rise to accelerate generation of a defect in the substrate through heat shock or touching a temperature raised substrate to deteriorate temperature distribution in the plane of the substrate so that uniform heat treatment can be ensured. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の製造のように、基板を１０００℃以上の高温に加熱し、しかも複数の基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor phase growing apparatus which performs like the manufacture of a gallium nitride compound semiconductor, which heats a substrate to a high temperature of 1000°C or higher, and which can vapor phase grow efficiently a semiconductor film uniformly with proper crystallinity on a plurality of substrates, and to provide a vapor phase growing method. - 特許庁

基板と、有機色素化合物を用いてその基板上に設けられた記録層とを含んでなり、その記録層へ書込光を照射し、有機色素化合物をして基板にピットを形成せしめることによって情報を記録する光記録媒体において、その有機色素化合物の吸収極大が書込光の波長より長波長にある光記録媒体を提供することによって前記課題を解決する。例文帳に追加

In the optical recording medium in which a substrate and a recording layer disposed on the substrate using an organic dye compound are included and information is recorded by irradiating the recording layer with light for writing and forming pits in the substrate by the organic dye compound, the absorption maximum of the organic dye compound is attained at a wavelength longer than that of the light for writing. - 特許庁

反り返りがなく、面内のオフ角のばらつきが小さな窒化物系化合物半導体層を再現性よく成長させることができる窒化物系化合物半導体基板の製造方法、及び半導体デバイスの作製に好適な窒化物系化合物半導体自立基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor substrate, by which a nitride-based compound semiconductor layer free from a warp and having little variation in the off-angle in the plane is grown with satisfactory reproducibility, and to provide a nitride-based compound semiconductor self-standing substrate suitable for manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

半導体基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させたときに、形成されたエピタキシャル層にヒロックやオレンジピール等の表面欠陥が発生するのを効果的に防止できるエピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用基板を提供する。例文帳に追加

To prevent effectively occurrence of a surface defect such as hillock or orange peel on an epitaxial layer formed when a compound semiconductor layer is grown epitaxially on a semiconductor substrate. - 特許庁

化学的気相成長法により基板上に銅薄膜を成長させる際に、該基板上に、β−ジケトン基を有し、異種原子として酸素原子のみを含む、２,４−ペンタンジオンのような脂肪族ケトン化合物であって、好ましくは常温で液体である化合物のガスを供給すること。例文帳に追加

This chemical vapor deposition method for growing a copper thin film on a substrate comprises supplying gas of a compound on the substrate, which has a β-diketone group, includes only oxygen atoms as a heterologous atom, is an aliphatic ketone compound such as 2,4-pentanedione, and is preferably liquid at room temperature. - 特許庁

寒冷地における長期経過後の無機質板の塗膜クラックの発生を防ぐことができ、耐凍害性に優れた無機質板を製造できる下地処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate treatment of a cut part of an inorganic board whose coated film is prevented from cracking over a long time in a cold area and is freezing-resistant. - 特許庁

偏光子の少なくとも片面に接着層を介して熱可塑性高分子フィルムが設けられている偏光板において、前記接着層が親水性高分子化合物と架橋性樹脂化合物とを含む接着剤により形成されたことを特徴とする偏光板を提供する。例文帳に追加

In the polarizing plate having a thermoplastic polymer film adhered with an adhesive layer on at least one surface of a polarizer, the adhesive layer is made of an adhesive containing a hydrophilic polymer compound and a crosslinking resin compound. - 特許庁

表面にエピタキシャル成長される窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を大幅に改善することができる化合物半導体基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor substrate which substantially improves the crystallinity of a gallium nitride-based compound semiconductor that is epitaxially grown on the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

Ａｌを主成分とするＩＩＩ族原料とＶ族原料を基板に供給して基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を成長させる際に、基板温度を６５０℃以下に保持し、ハロゲンを含むガスを基板に供給する。例文帳に追加

When the groups III-V compound semiconductor crystal is grown on a substrate by supplying a group III raw material containing Al as a main component and a group V raw material to the substrate, the temperature of the substrate is kept at 650°C or below, and a gas containing a halogen is supplied to the substrate. - 特許庁

格子定数や熱膨張係数が異なる基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体などの半導体の厚膜を成長させても、反りや亀裂が発生しない半導体の成長方法、これを用いた半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing a semiconductor, such as a nitride III-V compound semiconductor on a substrate that has a lattice constant and a thermal expansion coefficient, different from those of the semiconductor without producing warpage or fissures, and a method of manufacturing a semiconductor substrate and a semiconductor device by the use of this growing method of a semiconductor. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法、および半導体デバイスの構造に関し、工業的規模で使用可能な生産性に優れた導電性基板を用いるための結晶成長方法および素子構造を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial growth method for gallium nitride based compound semiconductor and the structure of a semiconductor device, which can be used in industrial scale while exhibiting excellent productivity, required for using a conductive substrate. - 特許庁

本面発光型半導体レーザ素子は、一対の下部多層膜反射鏡、及び上部多層膜反射鏡を半導体基板上に有する垂直共振器型の半導体レーザ素子であって、少なくとも一方の多層膜反射鏡が、半導体基板の格子定数より格子定数が大きい化合物半導体層と、半導体基板の格子定数より格子定数が小さい化合物半導体層とのペアで形成され、かつペアを構成する化合物半導体層のバンドギャップ波長が、レーザ発振波長より小さい。例文帳に追加

The vertical resonator type semiconductor laser element comprises a pair of upper and lower multilayer reflectors disposed on a semiconductor substrate wherein at least one multilayer reflector is formed of a pair of compound semiconductor layers having a lattice constant larger than that of the semiconductor substrate and a lattice constant lower than that of the semiconductor substrate, respectively, and the band gap wavelength of the pair of compound semiconductor layers is shorter than the laser oscillation wavelength. - 特許庁

本発明の腐食測定方法は、厚みが段階的または連続的に変化する個所を有する金属板を測定環境中に置き、所定時間経過後、前記金属板の所定個所の後退長さを測定することを特徴とする。例文帳に追加

A corrosion measuring method includes placing a metal plate having a point where the thickness is changed step by step or continuously in a measurement environment, and measuring a retraction length at the predetermined point on the metal plate after the lapse of a predetermined time. - 特許庁

ポリエステル樹脂と、光カチオン重合性化合物と、光カチオン重合開始剤とを含み、光の照射により硬化され得ることを特徴とする光硬化型粘接着剤を介してフレキシブルプリント基板と補強板とが貼り合わされた補強されたフレキシブルプリント基板。例文帳に追加

The reinforcing plate is stuck to the flexible printed board with a photosetting adhesive which contains a polyester resin, a photo- cationically polymerizable compound, and a photo-cation copolymerizer and can be set with light. - 特許庁

ゲルタイムの調整が容易で、硬化後の溶液の流出が少なく、混合後の均一性が良い地盤注入剤及びそれを用いた地盤注入工法を提供する。例文帳に追加

To provide a ground-grouting agent which can easily adjust a gel time, reduces the outflow of the solution after cured, and gives good uniformity after mixed, and to provide a ground-grouting method using the same. - 特許庁

混合前の各スラリーではそれぞれ硬化時間が遅く、従って可使時間が長く、それぞれを混合することにより一定時間経過後に急速に反応して可塑状態になり、良好な初期強度および長期強度発現性を示し、また地盤中への高い浸透性も有し、対象地盤全体を強固に安定させることができる無機系の地盤注入材を提供する。例文帳に追加

To obtain an inorganic grouting material which has long hardening times in respective slurries prior to their mixing, therefore long in pot-life, is quickly reactive by their mixture after the lapse of a given time to become plasticized, exhibits high initial strength and long-term mechanical strength developability, and also is highly infiltrative into the ground, thus enables the object whole ground to be firmly stabilized. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長させるための基板等として使用可能な、大型のＺｒＢ_２で代表される二ホウ化物単結晶の成長技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for growing a diboride single crystal represented by a large-sized ZrB_2 usable as a substrate or the like for epitaxially growing a gallium nitride-based compound semiconductor. - 特許庁

大面積を有する基板の全面にＩｎＧａＮなどの化合物半導体を均一に成長させることができ、これにより、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色のみならず、赤外から紫外までを発光する大面積のＬＥＤを形成することができる化合物半導体の成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor growing device that can form a large-area LED which emits not only light rays of three primary colors consisting of red (R), green (G) and blue (B), but also infrared light and ultraviolet light, by uniformly growing a compound semiconductor composed of InGaN etc., on the whole surface of a substrate having a large area. - 特許庁

経済的に、効率よくシリカ化合物の不溶性塩を析出させ、長時間のゲル化時間を保持できることで、地盤中に浸透しやすく、固結しても地盤中の透水性が失われにくく、かつ周囲の環境に影響を与えにくい土または建造物躯体の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for treating soil or a construction skeleton, which precipitates insoluble salts of silica compounds economically in a good efficiency and can hold the gelation time of a long time, so gives easy penetration into foundation, hardly loses water permeability in the foundation even on solidifying and hardly gives any effect to a surrounding environment. - 特許庁

有機金属気相成長法で作製する化合物半導体基板に関し、特にカーボンをドープする半導体層において、高濃度にカーボンをドープすることができ、尚且つ水素によるホールの不活性化を低減させることができる化合物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor substrate manufactured with an organic metal chemical vapor deposition method with which carbon is doped in the higher concentration, and non-activation of holes by hydrogen is reduced particularly in the semiconductor layer to which carbon is doped. - 特許庁

本発明の課題は、ゲート長が小さくても有利かつ長時間安定性の特性を有する、III‐V族化合物半導体基板をベースとする半導体素子の製造方法および半導体素子を提供することである。例文帳に追加

To provide the method of manufacturing a semiconductor device being advantageous even in the case of short gate length, having the characteristic of long time stability, and using a III-V compound semiconductor substrate as a base, and to provide the semiconductor device thereof. - 特許庁

単結晶基板上に、Ｖ族元素として少なくとも窒素および砒素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させる工程を包含し、該化合物半導体層を結晶成長させる工程が、窒素原料がアルミニウムと、少なくとも該化合物半導体層の結晶成長表面で相互作用するように、該単結晶基板上に窒素原料を供給する工程を包含する。例文帳に追加

A process where an III-V compound semiconductor layer comprising at least nitrogen and arsenic as group V elements is crystal-grown on a single crystal substrate is comprised, which comprises a process where a nitrogen material is supplied on the single crystal substrate so that the nitrogen material at least interacts with an aluminum on the crystal growth surface of the compound semiconductor layer. - 特許庁

基板の成長面の面内における成長温度の分布を小さくすることによって窒化ガリウム系化合物半導体層の厚み分布、混晶組成比の分布、半導体不純物濃度の分布などを低減することのできる基板、及びその基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate which can reduce a thickness distribution of a gallium nitride-based compound semiconductor layer, a ratio distribution of mixed crystals, and a concentration distribution of impurities in a semiconductor or the like by reducing the distribution of the growing temperature within the growing surface of the substrate, and a method for growing a gallium nitride-based compound semiconductor using the substrate. - 特許庁

結晶成長軸方向に垂直な面内でキャリア濃度分布が非常に均一で、かつ基板を切り出す時のロスが少ない化合物半導体単結晶の成長方法、及びかかる方法により得られた面内キャリア濃度分布が均一な基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing a compound semiconductor single crystal which is extremely uniform in a carrier concentration distribution within a plane perpendicular to the axial direction of crystal growth and is little in loss in cutting out the substrate and a substrate which is uniform in the in- surface carrier concn. distribution obtained by such method. - 特許庁

本発明では、特にＧａＡｓ基板上に形成する化合物半導体において、結晶性が良好で抵抗率の低い化合物半導体の成長方法及び電気的及び光学的特性が良好な化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of growing a compound semiconductor, especially a compound semiconductor formed on a GaAs substrate, which has proper crystallinity and a low resistivity, and to provide a compound semiconductor light-emitting device which has superior electrical and optical characteristics. - 特許庁

球形のボールがコーティングされた基板に成長された化合物半導体薄膜を備えた化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor apparatus provided with a compound semiconductor thin film grown up on a substrate coated with spherical balls, and to provide a manufacturing method thereof. - 特許庁

地盤の安定化するための注入材について、混合前の各成分液のみでは硬化時間が遅く、それぞれを混合することにより一定時間経過後強度発現を生じ、初期強度および長期強度発現性が良好であり、地盤中へ浸透して地盤を安定させる急硬化材を提供すること。例文帳に追加

To provide a quick hardening material which is a main component of a grout and in which respective liquid components before mixing have a long hardening time, but strength is developed after the lapse of a definite period of time after mixing, good initial strength and long term strength development are exerted and further, the penetration into the ground stabilizes it. - 特許庁

化合物半導体基板上にＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法において、成長結晶中にＣ軸方向以外の異常成長や変色が発生するのを防止できるＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法および該製造方法によって得られる良質のＧａＮ系化合物半導体結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a GaN compound semiconductor crystal for preventing the occurrence of abnormal growth and discolouration in a direction other than a C-axis direction in a growth crystal, in a method for growing the GaN compound semiconductor crystal on a compound semiconductor substrate, and to provide the GaN compound semiconductor crystal of good quality which is obtained by the manufacturing method. - 特許庁

マンション等に設置されたエレベーターにおいて、かご操作盤の高い位置に設けられたかご呼釦に手が届かないような、身長の低い子供等が簡単な操作でエレベーターを利用可能とするエレベーターの制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a control device for an elevator structured so that a short height child, who can not touch call buttons provided in a high position of a car operation panel, can use the elevator, in regard to an elevator provided in a condominium or the like. - 特許庁

上記目的を達成するために本発明にかかるかご内操作盤８及びエレベーター装置は、パネル１０，１１，１３及び／又はスイッチボックス１２から構成されるエレベーター用かご内操作盤８において、複数本のプレス型スタッドボルト１６を圧入したＬ字断面形状を有する補強板１５を、操作盤８の両端に取り付けたことを特徴としている。例文帳に追加

The operation panel 8 in the elevator car and the elevator device are characterized in that, in the operation panel 8 in the elevator car including panels 10, 11 and 13 and/or a switch box 12, a reinforcement plate 15 in which a plurality of press type stud bolts 16 are pressed and having an L shaped cross section is attached to both ends of the operation panel 8. - 特許庁