しょうえいちょう１ちょうめの英語

成長容器５内でＳｉＣ種結晶１の成長面上にバルク状のＳｉＣ単結晶を成長させて，ＳｉＣ単結晶１０を製造する方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the SiC single crystal 10 comprises growing a bulk SiC single crystal on the growth surface of an SiC seed crystal 1 in a growing vessel 5. - 特許庁

基板１の表面の全面には、エピタキシャル結晶成長層２が配置されている。例文帳に追加

On the entire surface of a substrate 1, an epitaxial crystal growth layer 2 is arranged. - 特許庁

また、結晶成長方法では、石英坩堝１に、予め溶かした溶融原料３を充填する。例文帳に追加

In the method for growing a crystal, the quartz crucible 1 is filled up with the melted precursor 3 which was melted beforehand. - 特許庁

この半導体照明調光装置１は、電流制御部２２および周波数制御部２３を備える。例文帳に追加

The dimming unit 1 has a current controller 22 and a frequency controller 23. - 特許庁

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。例文帳に追加

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁

ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。例文帳に追加

A growth main surface of the GaN-based single crystal substrate 1 is an (m) plane and a growth main surface of the GaN-based semiconductor layer 2 formed on the GaN-based single crystal substrate 1 is also an (m) plane. - 特許庁

ＧａＡｓ基板１とエピタキシャル層２〜８との間に、ＡｌＡｓ層９を成長し、このＡｌＡｓ層９に気相成長装置内の残留Ｓｅを閉じ込めることにより、成長の合間に行っていた残留Ｓｅの取り除き作業が不要となり、連続的な成長が行える。例文帳に追加

An AlAs layer 9 is grown up between a GaAs substrate 1 and epitaxial layers 2-8, and continuous growth can be performed because a removing work of the remains Se performed in the interval of growth becomes unnecessary by shutting the remains Se within vapor phase epitaxy equipment into this AlAs layer 9. - 特許庁