しょうえいちょう１ちょうめの英語

ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。例文帳に追加

A growth main surface of the GaN-based single crystal substrate 1 is an (m) plane and a growth main surface of the GaN-based semiconductor layer 2 formed on the GaN-based single crystal substrate 1 is also an (m) plane. - 特許庁

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。例文帳に追加

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1. - 特許庁

続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｂ））。例文帳に追加

Subsequently, a GaN crystal 13 is epitaxially grown on the side surfaces 11a of the grooves 11 (Fig.1(b)). - 特許庁

続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｃ））。例文帳に追加

Subsequently, a GaN crystal 13 is epitaxially grown on the side surfaces 11a of the grooves 11 (Fig.1(c)). - 特許庁

ボート１（液相成長用治具）は、半導体基板２の主表面に成長溶液５を接触させ半導体基板２の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体１ａが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。例文帳に追加

A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite. - 特許庁

また、通常調湿運転モードと、通常調湿運転モードより調湿能力が小さい調湿減少モードとの切換が可能な調湿ユニット１を備える。例文帳に追加

The system is also provided with a humidity control unit 1 which enables switching between a normal humidification operation mode and a humidification reduction mode in which humidification capacity is lower than the normal humidification operation mode. - 特許庁

本発明に係る単結晶製造装置１は、成長用の単結晶の成長の基となる種結晶１０と、単結晶の成長に用いられる昇華用原料２０を収容する坩堝１００とを備える。例文帳に追加

The apparatus 1 for producing a single crystal includes a seed crystal 10 as a growth base for growing a single crystal and a crucible 100 housing a sublimation raw material 20 to be used for growing the single crystal. - 特許庁

ＧａＡｓ基板１とエピタキシャル層２〜８との間に、ＡｌＡｓ層９を成長し、このＡｌＡｓ層９に気相成長装置内の残留Ｓｅを閉じ込めることにより、成長の合間に行っていた残留Ｓｅの取り除き作業が不要となり、連続的な成長が行える。例文帳に追加

An AlAs layer 9 is grown up between a GaAs substrate 1 and epitaxial layers 2-8, and continuous growth can be performed because a removing work of the remains Se performed in the interval of growth becomes unnecessary by shutting the remains Se within vapor phase epitaxy equipment into this AlAs layer 9. - 特許庁