しょうえいちょう３ちょうめの英語

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

多結晶シリコン膜３の成長前処理において，シリコン基板１上の自然酸化膜を除去するために、ヒ素ドープ多結晶シリコン膜３はエピタキシャル成長され、ヒ素ドープ単結晶シリコン膜５となる。例文帳に追加

In the pre-treatment of growth of the film 3, in order to eliminate a natural oxide film on the silicon substrate 1, the polycrystal silicon film 3 is epitaxially grown and turned into an arsenic-doped single crystal silicon film 5. - 特許庁

エピタキシャル成長層３を転写用基板４に接着し、単結晶基板１の裏面からレーザ光，水銀灯の輝線などの光を照射して、エピタキシャル成長層３と単結晶基板１とを互いに分離する。例文帳に追加

The epitaxial growth layer 3 is adhered to a substrate 4 for transfer, and light such as laser light, emission lines of a mercury lamp, or the like is irradiated from the backside of the single crystal substrate 1 to separate the epitaxial growth layer 3 from the single crystal substrate 1. - 特許庁

くびれ部３の片側で発生した多数の結晶核のうち、結晶成長しやすい方位の結晶をくびれ部３で選択し、かつ、くびれ部３を出た後、結晶粒を大きく成長させたい領域で不規則な結晶核が生じるのを、出口側を滑らかなエッジ形状とすることにより抑制する。例文帳に追加

Among many crystal nuclei generated at the neck 3, crystals having an orientation which tends to make the crystal grow are selected at the neck 3, and irregular crystal nuclei are suppressed from growing in the desired region, away from the neck 3 for growing the crystal grains to a large size by making the outlet smooth in edge. - 特許庁

次に、演算装置３が、光電変換装置１の温度と光電変換装置１により入力が保証される階調数との関係に基づいて、階調数入力装置６で決定された階調数に応じた階調数保証温度を求める。例文帳に追加

Next, an arithmetic operation device 3 obtains a tone number guarantee temperature corresponding to the tone number decided by the device 6 on the basis of the relation between the temperature of the device 1 and the tone number for which input is guaranteed by the device 1. - 特許庁

このように、財政赤字の更なる拡大は、回復し始めた世界経済の成長を妨げるリスク要因となり得る（コラム3、4参照）。例文帳に追加

In this way the further expansion of fiscal deficits could become a risk factor which could hinder growth of the global economy that has just started to recover (Refer to Column 3 and 4). - 経済産業省

本発明は、透光性材料からなる結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに気相成長によりシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを堆積したパネル１，２，３，４を、複数積層したことを特徴とするシンチレータパネルを提供する。例文帳に追加

This scintillator panel is constituted by laminating a plurality of panels 1, 2, 3, 4 where the scintillators 1b, 2b, 3b, 4b are deposited by vapor phase growth on crystal growth substrates 1a, 2a, 3a, 4a comprising a translucent material. - 特許庁

原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。例文帳に追加

In a liquid phase epitaxial growth method for growing the crystal thin film on a semiconductor wafer 3 inside a growth container 2 filled with a raw material solution 1, the semiconductor wafers 3 are arranged in parallel with one another at intervals so as to eliminate the incorporation of polycrystals which have dimensions to adhere to the surface of the semiconductor wafer 3 and inhibit epitaxial growth. - 特許庁