「しょうえいちょう３ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、結晶成長方法では、石英坩堝１に、予め溶かした溶融原料３を充填する。例文帳に追加

In the method for growing a crystal, the quartz crucible 1 is filled up with the melted precursor 3 which was melted beforehand. - 特許庁

成長容器４内にＳｉＣ種結晶３を配置し、その成長面３５上にバルク状のＳｉＣ単結晶を成長させて、ＳｉＣ単結晶を製造する方法である。例文帳に追加

The method for producing a SiC single crystal is carried out by disposing a SiC seed crystal 3 in a growing chamber 4 and growing a bulk SiC single crystal on the growing surface 35. - 特許庁

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁

多結晶シリコン膜３の成長前処理において，シリコン基板１上の自然酸化膜を除去するために、ヒ素ドープ多結晶シリコン膜３はエピタキシャル成長され、ヒ素ドープ単結晶シリコン膜５となる。例文帳に追加

In the pre-treatment of growth of the film 3, in order to eliminate a natural oxide film on the silicon substrate 1, the polycrystal silicon film 3 is epitaxially grown and turned into an arsenic-doped single crystal silicon film 5. - 特許庁

エピタキシャル成長層３を転写用基板４に接着し、単結晶基板１の裏面からレーザ光，水銀灯の輝線などの光を照射して、エピタキシャル成長層３と単結晶基板１とを互いに分離する。例文帳に追加

The epitaxial growth layer 3 is adhered to a substrate 4 for transfer, and light such as laser light, emission lines of a mercury lamp, or the like is irradiated from the backside of the single crystal substrate 1 to separate the epitaxial growth layer 3 from the single crystal substrate 1. - 特許庁

くびれ部３の片側で発生した多数の結晶核のうち、結晶成長しやすい方位の結晶をくびれ部３で選択し、かつ、くびれ部３を出た後、結晶粒を大きく成長させたい領域で不規則な結晶核が生じるのを、出口側を滑らかなエッジ形状とすることにより抑制する。例文帳に追加

Among many crystal nuclei generated at the neck 3, crystals having an orientation which tends to make the crystal grow are selected at the neck 3, and irregular crystal nuclei are suppressed from growing in the desired region, away from the neck 3 for growing the crystal grains to a large size by making the outlet smooth in edge. - 特許庁

次に、演算装置３が、光電変換装置１の温度と光電変換装置１により入力が保証される階調数との関係に基づいて、階調数入力装置６で決定された階調数に応じた階調数保証温度を求める。例文帳に追加

Next, an arithmetic operation device 3 obtains a tone number guarantee temperature corresponding to the tone number decided by the device 6 on the basis of the relation between the temperature of the device 1 and the tone number for which input is guaranteed by the device 1. - 特許庁

このように、財政赤字の更なる拡大は、回復し始めた世界経済の成長を妨げるリスク要因となり得る（コラム3、4参照）。例文帳に追加

In this way the further expansion of fiscal deficits could become a risk factor which could hinder growth of the global economy that has just started to recover (Refer to Column 3 and 4). - 経済産業省

本発明は、透光性材料からなる結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに気相成長によりシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを堆積したパネル１，２，３，４を、複数積層したことを特徴とするシンチレータパネルを提供する。例文帳に追加

This scintillator panel is constituted by laminating a plurality of panels 1, 2, 3, 4 where the scintillators 1b, 2b, 3b, 4b are deposited by vapor phase growth on crystal growth substrates 1a, 2a, 3a, 4a comprising a translucent material. - 特許庁

原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。例文帳に追加

In a liquid phase epitaxial growth method for growing the crystal thin film on a semiconductor wafer 3 inside a growth container 2 filled with a raw material solution 1, the semiconductor wafers 3 are arranged in parallel with one another at intervals so as to eliminate the incorporation of polycrystals which have dimensions to adhere to the surface of the semiconductor wafer 3 and inhibit epitaxial growth. - 特許庁

堤代長（つつみしろなが、正徳(日本)6年2月20日(旧暦)（1716年3月13日）-天明3年11月28日(旧暦)（1783年12月21日））は、江戸時代の公卿。例文帳に追加

Shironaga TSUTSUMI (March 13, 1716 - December 21, 1783) was a Kugyo (high court noble) in the Edo period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＧａＮ自立基板２１をフラックス結晶成長装置に搬入し、高温高圧下、ナトリウム／ガリウムフラックス中で表面２１ｓに結晶成長させて、膜厚２ｍｍの窒化ガリウム層３を形成した（１．Ｅ）。例文帳に追加

The GaN self-supporting 21 is conveyed to a flux crystal growth apparatus and a crystal is grown on the surface 21s in a sodium/gallium flux under high temperature and high pressure conditions to form a nitride gallium layer 3 having a layer thickness of 2 mm (1.E). - 特許庁

遷移金属原子によるナノ粒子又はナノドットを成長触媒３として基板１に形成し、減圧下で加熱された基板面に、気相−液相−固相（ＶＬＳ）成長法によって、ＶＯ_2ナノワイヤを［１１０］方向に沿って細長く成長させる。例文帳に追加

Nanoparticles or nanodots by a transition metal atom are formed on a substrate 1 as a growth catalyst 3, and VO_2 nanowire is grown up slender and long along the [110] direction on the surface of the substrate heated under reduced pressure by a gas phase-liquid phase-solid phase (VLS) growth method. - 特許庁

基板１上に結晶成長法として分子線エピタキシを用い、不純物としてＡｌを用い、前記ＺｎＴｅの成長条件の最適化を行うことによって、１×１０^17ｃｍ^-3以上の高濃度ｎ型ＺｎＴｅ層２の成長を行う。例文帳に追加

An n-type ZnTh layer 2 doped at a high concentration of 1×10^17 cm^-3 or higher is grown on a substrate 1 by using molecular-beam epitaxy for the crystal growth method, wherein Al is used for the dopant, and growth condition for the ZnTh is optimized. - 特許庁

まず、ボンドウェハ１の主表面にシリコンゲルマニウム単結晶層３とシリコン単結晶層４とをエピタキシャル成長させて形成する。例文帳に追加

First, a silicon germanium crystalline layer 3 and a silicon crystalline layer 4 are formed by epitaxial growth on a principal plane of a bond wafer 1. - 特許庁

こうした中小企業の3つの成長ステージごとに、中小企業が直面している経営課題を見ていくこととしよう。例文帳に追加

Now will be a look at the management challenges facing SMEs in these three different developmental phases. - 経済産業省

本発明に基づく加熱調理装置１は、調理容器３と、調理容器３内に投入された流動性調理食材を加熱するための加熱装置５と、流動性調理食材及び流動性調理食材から生じた流動性湧出食材が、調理容器３からオーバーフローした際に流入するように設けられたオーバーフロー容器７と、を備えている。例文帳に追加

The cooking apparatus 1 is provided with a cooking container 3, a heating device 5 for heating the fluid cooking food material fed inside the cooking container 3, and an overflow container 7 provided so as to make the fluid cooking food material and the fluid flown out food material generated from the fluid cooking food material flow in at the time of overflowing from the cooking container 3. - 特許庁

明治43年（1910年）6月、『三四郎』『それから』に続く前期3部作の3作目にあたる「門(小説)」を執筆途中に胃潰瘍で長与胃腸病院（長與胃腸病院）に入院。例文帳に追加

In June 1910, Soseki was hospitalized at the Nagayo Gastrointestinal Hospital for gastric ulcer, while writing 'Mon,' which was the third novel of the trilogy in his early period following "Sanshiro" and "Sorekara."  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板１の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてＳｉＣエピタキシャル層９をホモエピタキシャル成長させ、該ＳｉＣエピタキシャル層９の上に、有機金属気相成長法にてＧａＮ系化合物半導体層３をヘテロエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

The method of manufacturing the heteroepitaxial wafer includes the steps of homoepitaxially growing an SiC epitaxial layer 9 by a hydride vapor deposition directly on the main surface of the SiC substrate 1 made of an SiC single crystal, and heteroepitaxially growing the GaN compound semiconductor layer 3 by an organic metal vapor deposition on the SiC epitaxial layer 9. - 特許庁

1通目の宛名は「東嶺金蘭」、3通目は「止観座主」とあり、ともに空海が最澄の消息に答えた書状であることがわかる。例文帳に追加

The first letter was directed to 'Torei Kinran,' the third letter to 'Shikan Zasu' (the head priest of the Tendai Sect), both of which show that Kukai replied to a letter by Saicho.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

結晶原料を溶かし込んだ坩堝２内の溶液に種子基板１１を浸漬し、その基板１１上に結晶を成長させる液相成長方法であって、基板１１の浸漬前には溶液面に蓋部材３を浮在させおき、基板１１の浸漬時に蓋部材３を溶液中に沈降させる。例文帳に追加

The liquid phase-growing method comprises immersing a seeding substrate 11 into a solution dissolving a crystalline raw material in a crucible vessel 2 and growing a crystal on the substrate 11, wherein a lid member 3 is floated on the solution surface before immersing the substrate 11, whereas the lid member 3 is precipitated in the solution when immersing the substrate 11. - 特許庁

そして、一定温度に昇温された電気炉内で、上部部材６の融液溜め８に貯溜されている融液を成長室３内に注入した後、電気炉内を降温することによって半導体基板１のエピタキシャル成長面に結晶を成長させる。例文帳に追加

The melt stored in the melt reservoir 8 of the upper member 6 is injected into the growth chambers 3 in an electric furnace heated up to a prescribed temperature and the temperature of the interior of the electric furnace is reduced to thereby grow the crystal on the epitaxial growth surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

つづいて、ＧａＮ単結晶から成る円板状の種結晶４を、液面を封止材７で覆った原料融液３中に浸漬して、種結晶４上にＧａＮ単結晶体９を成長させる。例文帳に追加

Successively, a disk-shaped seed crystal 4 made of a GaN single crystal is immersed into the raw material melt 3 whose liquid face is covered with a sealing material 7, and a GaN single crystal body 9 is grown on the seed crystal 4. - 特許庁

アルミナ膜３を除去し、その後、ベース基板１の表面にＧａＮ層２を結晶成長させる。例文帳に追加

The alumina film 3 is removed and thereafter a GaN layer 2 is formed by crystal growth on the surface of the base substrate 1. - 特許庁

これにより、防除対象の害鳥獣が有する2〜3種類の錐体細胞に直接働きかけて効果的に刺激・不快感を与えることができると共に、害鳥獣が慣れにくい2色以上の光を用いるため、害鳥獣を追い払う効果を高めることができる。例文帳に追加

Thereby stimulation and unpleasant feeling can be effectively given by directly acting on 2-3 kinds of cone cells that the injurious bird and animal to be controlled have, as well as the effect for repelling the injurious bird and animal can be enhanced, as the light with two or more colors to which the injurious bird and animal are not accustomed to is used. - 特許庁

Ｓｉ（００１）基板２上にＢＴＯ単結晶薄膜６等をエピタキシャル成長させるための電気光学的単結晶薄膜成長用基板１であって、Ｓｉ（００１）基板上にＳｉとＢＴＯとの格子不整合を緩衝する緩衝層３，４，５が２層以上形成されている。例文帳に追加

The substrate 1 for growing the electro-optic single crystal thin film is provided for epitaxially growing a BTO single crystal thin film 6 or the like on an Si (001) substrate 2, wherein two or more layers of buffer layers 3, 4, 5 for buffering the lattice mismatch between Si and BTO are formed on the Si (001) substrate 2. - 特許庁

Ｘ線照射装置１と受像機２との間に、出力調整用板３を介挿して当該調整用板３のＸ画像を求め、このＸ線画像を画像処理装置５内に取り込み、その輝度を求める。例文帳に追加

An output adjusting plate 3 is interposed between an X-ray irradiation device 1 and an image receiver 2 to calculate the X-ray image of the output adjusting plate 3 and this X-ray image is fetched into an image processor 5 to calculate the brightness of the X-ray image. - 特許庁

ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。例文帳に追加

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask. - 特許庁

まず、第１工程として、排気機構を用いて石英反応管６内を減圧し、６．６５×１０^3〜１．３３×１０^4Ｐａにして、ＳｉＣ種結晶２の表面に単結晶を０．５ｍｍ／ｈ以下の成長速度で成長させる。例文帳に追加

In a first process, the pressure in the inside of a quartz reaction tube 6 is reduced to 6.65×10^3 to 1.33×10^4 Pa by using an exhaust system, and a single crystal is grown on the surface of an SiC seed crystal 2 at a growth rate of ≤0.5 mm/h. - 特許庁

その後、表面改質層２を形成したサファイア基板１を、２０ｓｌｍのアンモニア、３０ｓｌｍの水素及び５０ｓｌｍの窒素を含む雰囲気にある気相成長装置内へ搬入し、ＧａＮ層（窒化物半導体層）３の成長温度（１１００℃）にまで昇温し、表面改質層２の表面にＧａＮ層３を成長させる。例文帳に追加

Thereafter, the sapphire substrate 1 with the surface modified layer 2 formed thereon is carried into a gas phase growing device in an atmosphere containing ammonium of 20 slm, hydrogen of 30 slm and nitrogen of 50 slm, then, temperature is raised to the growing temperature (1100°C) of the GaN layer (nitride semiconductor layer) 3 to grow the GaN layer 3 on the surface of the surface modified layer 2. - 特許庁

ボート１に設けられた液相成長室３の内面３ａは含浸処理により形成される非晶質カーボン層９にて覆われている。例文帳に追加

The inner surface 3a of a liquid phase growth chamber 3 provided in the boat 1 is covered with an amorphous carbon layer 9 formed by impregnation treatment. - 特許庁

エピタキシャル結晶成長層２内においては、表面付近の一部の領域に第２導電型領域３が配置されている。例文帳に追加

Inside the epitaxial crystal growth layer 2, a second conductivity type region 3 is arranged in a partial region near the surface. - 特許庁

ガラス基板１上に、結晶成長方向に向かって出口側が滑らかなエッジ形状のくびれ部３を有する非晶質Ｓｉ膜２を形成し、くびれ部３の入り口側から滑らかな形状を有する出口側まで結晶成長させる。例文帳に追加

An amorphous Si film 2, having an edge-like neck 3 smooth at the outlet side in the crystal growing direction, is formed on a glass substrate 1 and crystal grown to the outlet side having a smooth shape from the inlet of the neck 3. - 特許庁

有機金属気相成長法によって基板２の表面にこれと格子定数及び熱膨張係数を有する結晶層３を成長させた半導体エピタキシャルウェハ１において、上記基板２の裏面側に、その基板２に引張り応力を付与すべく応力相殺層４を備える。例文帳に追加

The semiconductor epitaxial wafer 1 which is grown with a crystalline layer 3 having a lattice constant and coefficient of thermal expansion on the front surface of a substrate 2 by a vapor phase growth method of an organic metal is provided with a stress offsetting layer 4 for imparting a tensile stress to the substrate 2 on the rear surface side of the substrate 2. - 特許庁

（１００）配向の銅酸化物超伝導体薄膜は、（１００）配向ＬａＳｒＡｌＯ_4 単結晶基板３と、単結晶基板３上にエピタキシャル成長した（１００）配向Ｌａ_2-x Ｓｒ_x ＣｕＯ_4 超伝導薄膜４とからなり、表面は平坦である。例文帳に追加

The (100)-oriented copper oxide superconductor thin film comprises a (100)-oriented LaSrAlO_4 monocrystalline substrate 3 and a (100)-oriented La_2-xSr_xCuO_4 superconducting thin film 4 epitaxially grown on the monocrystalline substrate 3, and has a flat surface. - 特許庁

シリコンウェハー１を陽極化成し、表面に多孔質シリコン層２を形成し、多孔質シリコン層２の上にダイヤモンド状炭素を含む中間層３を気相成長により形成し、中間層３の上にダイヤモンド薄膜を気相成長により形成する。例文帳に追加

A silicon wafer 1 is made into anode, a porous silicon layer 2 is formed on the surface, an intermediate layer 3 containing diamond-like carbon is formed on the porous silicon layer 2 by vapor phase growth, and the diamond membrane is formed on the intermediate layer 3 by vapor phase growth. - 特許庁

本発明の液相成長装置１は、反応管３と、不純物を含むプロセスガスＧを成長反応室９内に流出させるガス供給部２と、プロセスガスＧの成長反応室９内における流量を規制する通口１０が形成されているバッフル４とを有する。例文帳に追加

A liquid phase growing device 1 has a reaction pipe 3, a gas supply part 2 for making a process gas containing an impurity flow out into a growth reaction chamber 9 and a buffle 4 formed with a hole 10 for regulating the flow rate of the process gas G in the growth reaction chamber 9. - 特許庁

当時、消えかかっていた上方落語の復興に尽力した、桂米朝(3代目)・桂春団治(3代目)・笑福亭松鶴(6代目)・桂文枝(5代目)の総称。例文帳に追加

It is a general term for Beicho KATSURA (the third), Harudanji KATSURA (the third), Shokaku SHOFUKUTEI (the sixth) and Bunshi KATSURA (the fifth), who made efforts in restoring Kamigata rakugo at the time when it almost disappeared.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

結晶成長抑制層２２は、その上に形成される層の結晶成長を抑制することにより、強磁性内側層２６ａの平均面内粒径を３ｎｍ〜８ｎｍとし、これにより結合層２６ｂの界面を平坦化するようになっている。例文帳に追加

The crystal-growth inhibitor layer 22, by inhibiting crystal growth of the layer formed thereon, limits an average in-surface particle diameter of the inner ferromagnetic layer 26a to a range between 3 nm and 8 nm, so that an interface between the inner ferromagnetic layer 26a and the coupling layer 26b is flattened. - 特許庁

このような国際競争力低下の懸念を払拭し、我が国が持続的な成長を遂げていくためには、第３章で取り上げた産業構造調整に加えて、イノベーションを促進していくための取組みが求められる。例文帳に追加

To dispel this concern and set Japan on a sustained growth trajectory, the industrial structural adjustment discussed in Chapter 3 needs to be accompanied by action to promote innovation. - 経済産業省

本発明に係る半導体装置は、炭化珪素からなり、表面にエピタキシャル結晶成長層２が形成された半導体基板１と、エピタキシャル結晶成長層２上部に選択的に形成されたウェル領域３とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device is made of silicon carbide and includes a semiconductor board 1 having an epitaxial crystal growth layer 2 formed on its surface and a well region 3 selectively formed in an upper part of the epitaxial crystal growth layer 2. - 特許庁

アンモニアと有機窒素原料ｘを反応炉２に供給して窒化物半導体の気相成長を行う半導体結晶成長装置１において、上記反応炉２をバイパスさせて排気処理される有機窒素原料ｘをあらかじめ熱処理する熱処理部３を備えた。例文帳に追加

The semiconductor crystal growth apparatus 1 for enabling vapor phase growth of a nitride semiconductor by supplying ammonium and organic nitrogen raw material x to a reaction furnace 2 includes a heat treatment unit 3, for previously conducting heat treatment to the organic nitrogen raw material x to be exhausted by bypassing the reaction furnace 2. - 特許庁

本発明の電子デバイスでは、ＺｎＯ基板１の上にＩｎＮ結晶層２がエピタキシャル成長され、ＩｎＮ結晶層２の上部に、ＭＩＳＦＥＴ３（半導体素子）が設けられている。例文帳に追加

In the electronic device, the InN crystal layer 2 is formed on a ZnO substrate 1 by epitaxial growth and an MISFET 3 (semiconductor element) is formed on the upper part of the InN crystal layer 2. - 特許庁

３　各省各庁の長（内閣総理大臣、各省大臣、会計検査院長、人事院総裁、内閣法制局長官及び警察庁長官並びに宮内庁長官及び各外局の長をいう。以下同じ。）は、国家公務員倫理審査会の同意を得て、当該各省各庁に属する職員の職務に係る倫理に関する訓令を定めることができる。例文帳に追加

(3) The heads of each ministry and agency (this refers to the Prime Minister, Ministers of each Ministry, the President of the Board of Audit, the President of the National Personnel Authority, Director General of the Cabinet Legislation Bureau, Director General of the National Police Agency, the Grand Steward of the Imperial Household Agency and the heads of each external bureau; the same shall apply hereinafter) may provide for official directives concerning ethics pertaining to the duties of officials who belong to the relevant ministry or agency with the consent of the National Public Service Ethics Board.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

仮説を検証しようとする人に▲１▼ＰＯＳデータに加え、必要な情報である▲２▼特別売価商品台帳・▲３▼チラシの画像・▲４▼売場の写真を、遠隔地のコンピューターの画面上で検証できるようにする。例文帳に追加

To provide a system by which a person verifying a hypothesis can verify (1) POS data, (2) a special sale price article ledger, (3) an image of a flier, (4) a photograph of a sales floor which are necessary information on a screen of a computer at a remote place. - 特許庁