「しょうえいちょう３ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

ＳｉＣ種結晶基板３の表面上にＡｌＮ結晶８を成長させる工程と、ＳｉＣ種結晶基板３の表面からＡｌＮ結晶８側に２ｍｍ以上６０ｍｍ以下の範囲８ａにある少なくとも一部のＡｌＮ結晶８ｂを取り出す工程と、を含む、ＡｌＮ結晶８の製造方法である。例文帳に追加

A manufacturing method of an AlN crystal 8 comprises: a step for growing the AlN crystal 8 on the surface of an SiC seed crystal substrate 3; and a step for extracting at least a part of the AlN crystal 8b in a range 8a of 2 mm to 60 mm on the AlN crystal 8 side from the surface of the SiC seed crystal substrate 3. - 特許庁

エピタキシャル成長された単結晶シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は３×１０^18原子／ｃｍ^3 以下となる。例文帳に追加

Consequently, the maximum oxygen concentration in the portion of the silicon layer 10 of at least 10 nm in thickness from the interface with the substrate 4 becomes ≤3×1018 atoms/cm3. - 特許庁

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。例文帳に追加

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method. - 特許庁

結晶原料の融液を貯溜する融液溜め８が形成された上部部材６と、上部部材６の下側に配置され、半導体基板１を収容する成長室３が形成された成長用ボート２とを備える。例文帳に追加

This apparatus for liquid-phase epitaxial growth is obtained by installing an upper member 6 in which a melt reservoir 8 for storing a melt of a crystal raw material is formed and a boat 2 for growth arranged on the lower side of the upper member 6 and having growth chambers 3 for accommodating a semiconductor substrate 1 formed therein. - 特許庁

また中間層１０上は溝部３によって分割された微小区域４を有し、微小区域４の表面上の最長距離８を１００μｍを超え４５０μｍ未満とする。例文帳に追加

The intermediate layer 10 has fine areas 4 divided by grooves 3, and the longest distance 8 on the surface of each fine area 4 is set to be >100 to <450 μm. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板１上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜２を成長させ、さらに該炭化珪素単結晶薄膜２の上に、デバイスが形成される層である炭化珪素単結晶薄膜３を成長させることによりエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する。例文帳に追加

The epitaxial silicon carbide single crystal substrate is produced by growing a silicon carbide single crystal thin film 2 for suppressing development of epitaxial defects on a silicon carbide single crystal substrate 1, followed by growing a silicon carbide single crystal thin film 3 which is a layer in which a device is formed on the silicon carbide single crystal thin film 2. - 特許庁

気相成長法による多結晶シリコンの製造のための原料ガスＧを、炉内へ導入するノズル１を備えた多結晶シリコン反応炉であって、前記ノズル１の外装面１ａは、少なくともＳｉを含んだコーティング層３によって被覆されていることを特徴とする。例文帳に追加

The polycrystalline silicon reaction furnace comprises a nozzle 1 for introducing into the furnace a source gas G for producing polycrystalline silicon by vapor phase growth, wherein an outer face 1a of the nozzle 1 is covered with a coating layer 3 containing at least Si. - 特許庁

サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。例文帳に追加

A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration. - 特許庁

ｐ型ドーパントの活性化率を向上させ、１０^18ｃｍ^-3のオーダーを超える高キャリア濃度を得ることの可能なｐ型III族窒化物半導体の結晶成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide the crystal growth method of a p-type group III nitride semiconductor by which the activation rate of a p-type dopant can be improved and high carrier concentration exceeding 10^18 cm^-3 order be obtained. - 特許庁

無機材料または合成樹脂材料から成る基材２の表面に、プラズマ化学的気相成長法またはマイクロ波化学的気相成長法によって、約１〜約１０μｍの膜厚を有するアモルファスシリコンカーバイドから成るコーティング膜３を形成する。例文帳に追加

A coating film 3 having about 1-10 μm film thickness and consisting of amorphous silicon carbide is formed on the surface of a base material 2 consisting of an inorganic material or a synthetic resin material by a plasma chemical or microwave chemical vapor growth method. - 特許庁

高い成長性が見込まれる新たな事業を行い、海外を含めたマーケティングを踏まえた自社製品開発や、国内外への販路開拓等を行う中小企業者を対象として、日本公庫が低利で融資を行う制度である。例文帳に追加

3. New business development fund (to support global business-oriented startups) (fiscal investment and loan program)  - 経済産業省

味付け海苔の製造工程において、搬送手段上を移動する黒海苔の片面に、醤油や砂糖を含む調味液を塗布すると共に、青海苔をふりかけ、他の面に醤油や砂糖を含まない調味液を塗布することを特徴とする味付け海苔の製造方法。例文帳に追加

This method for producing seasoned laver comprises coating one surface 1a of black laver 1 moved on a carrying means with a seasoning solution 2a containing soy sauce and sugar, scattering green laver 3 on the seasoned surface, and then coating the other surface 1b with a seasoning solution 2b not containing soy sauce and sugar. - 特許庁

(3) 異議申立手続においては，当事者が聴聞を要求した場合，又は特許部が聴聞は適切であると判断した場合は，当該聴聞が行われる。特許部は，その召喚状において，決定に到達するために討議される必要があると同部が考える問題点を指摘しなければならない。例文帳に追加

(3) A hearing shall be held in opposition proceedings if a party requests such a hearing or if the Patent Division considers this to be expedient. The Patent Division should point out in the summons those issues it considers need to be discussed for the decision to be reached.  - 特許庁

更に、前記基板２の表面と前記絶縁層３の裏面との間に、Ａｌの単結晶から成る第１整合層１２を設け、前記隙間４および前記絶縁層３を覆う様に形成され、かつ前記成長層５の下に位置し、ＧａＡｌＮの単結晶から成る第２整合層１３を設けた。例文帳に追加

Further, a first matching layer 12 composed of single crystal of Al is arranged between a surface of the substrate 2 and backs of the insulating layers 3, and a second matching layer 13 is arranged which is formed so as to cover the gaps 4 and the insulating layers 3, positioned below the growth layer 5 and composed of single crystal of GaAlN. - 特許庁

結晶面に対して傾斜させた表面を有するＧａＡｓからなる基板１の当該表面上に、マスクパターン２を形成し、マスクパターン２で挟まれた基板１の表面上にエピタキシャル層３を成長させる。例文帳に追加

Mask patterns 2 are formed on a surface of a substrate 1 which is composed of GaAs and has the surface slanted to a crystal face, and an epitaxial layer 3 is grown on the surface of the substrate 1 sandwiched by the mask patterns 2. - 特許庁

そして天正12年（1584年）3月、秀吉に内通したという理由で重臣の津川義冬・岡田重孝・浅井長時ら3人を殺害し、徳川家康に助けを求めたことから小牧・長久手の戦いが起きる。例文帳に追加

In April 1584, Nobukatsu killed his three key retainers, i.e., Yoshifuyu TSUGAWA, Shigetaka OKADA, and Nagatoki AZAI, based on the reason that they were in secret communication with Hideyoshi, and asked Ieyasu TOKUGAWA for help, which resulted in the Battles of Komaki and Nagakute.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

同年11月3日には、婦人参政権獲得を目的とし、「新日本婦人同盟」（会長市川房枝、後に日本婦人有権者同盟と改称）が創立され、婦人参政権運動を再開している。例文帳に追加

On November 3 of that year, the 'New Japan Women's League' (with Fusae ICHIKAWA as chairwoman; it was later renamed the Women's Suffrage League of Japan), dedicated to winning women's suffrage, was founded to revive the women's suffrage movement.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有するシリコン単結晶を成長させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon single crystal for growing a silicon single crystal having oxygen concentration as low as not more than 8×10^17 atoms/cm^3. - 特許庁

８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有する単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon single crystal, for growing a silicon single crystal having oxygen concentration as low as not more than 8×10^17 atoms/cm^3. - 特許庁

本発明のリチウム電池用正極３は、気相成長法による薄膜を主構成部とし、該薄膜が、リチウムおよびマンガンを含む複合酸化物と、カーボンとを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The positive electrode 3 for the lithium battery includes a thin film by a vapor deposition method as the main constituting part, and the thin film includes a complex oxide containing lithium and manganese, and carbon. - 特許庁

(3) 上記(1)、(2)の方法によって製造されたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウェーハの表面上に、エピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing an epitaxial wafer comprises growing an epitaxial layer on the surface of the silicon wafer cut out from the silicon single crystal which is produced by the above production method. - 特許庁

（３）Ｓｉチップ２とレバー３の接合工程では、Ｓｉチップ２とレバー３との当接面外周に、ＣＶＤガス雰囲気中でＦＩＢを照射することによって、タングステン膜を成長、堆積（デポジション）して、Ｓｉチップ２とレバー３とを一体的に接合する。例文帳に追加

(3) In the bonding process of the Si chip 2 and the lever 3, FIB is irradiated in a CVD gas atmosphere to the outer periphery of an abutting surface between the Si chip 2 and the lever 3 to thereby grow and deposit a tungsten film, and the Si chip 2 and the lever 3 are bonded in a body. - 特許庁

慶長8年2月12日(旧暦)（1603年3月24日）、家康は伏見城で征夷大将軍に就任、江戸幕府を開き、江戸城を始め普請事業を行うなど政権作りを始める。例文帳に追加

On March 24, 1603, Ieyasu assumed the post of Seiitaishougun (Barbarian Subduing Generalissimo) in Fushimi-jo Castle, established the Edo bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun) and started to strengthen his political power by performing construction projects including Edo Castle.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

さらに、予め黒鉛坩堝３の上部蓋４と、種結晶１をグラファイト系接着剤により接着固定し、その後接着された種結晶１の表面にＣＭＰ処理、もしくはＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施して坩堝３を組み立ててもよい。例文帳に追加

Moreover, a crucible 3 can be assembled by preliminarily adhering and fixing the seed crystal 1 with a graphite-based adhesive to the upper lid 4 of the graphite crucible 3, and then subjecting the surface of the adhered seed crystal 1 to a CMP process or a CMP process and a process of forming a silicon carbide by epitaxial growth. - 特許庁

昭和40年代に入ると、松鶴、米朝、春團治、文枝（当時は3代目小文枝）らが積極的に採り続けてきた弟子たちが、テレビ時代・深夜放送ブームを背景に台頭。例文帳に追加

In the mid 1960s, vigorously recruited disciples of Shokaku, Beicho, Harudanji and Bunshi (then Kobunshi III) rose to popularity against the background of the TV age and a boom of late-night radio shows.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

単結晶のシリコンウェーハ１上に、約１１５０℃の気相成長法によりエピタキシャル層２を形成し、エピタキシャル層２の下部に酸素イオン３をシリコンウェーハ１の裏面からイオン注入する。例文帳に追加

An epitaxial layer 2 is formed on a monocrystal silicon wafer 1 by a vapor growth method at about 1150°C and oxygen ions 3 are implanted from the rear face of the silicon wafer 1 to the lower part of the epitaxial layer 2. - 特許庁

紙袋３の内部に、紙管を長手方向へ所定長さ毎に裁断した楕円あるいは円形の環状の複数の紙管小片２を収容し、紙製袋詰緩衝材１を構成する。例文帳に追加

A plurality of either elliptical or circular and annular paper tube small pieces 2 cut by every predetermined length in a longitudinal direction are stored in a paper bag 3 to constitute a paper-made bagging shock absorbing material 1. - 特許庁

気相成長装置１は、処理対象物である基板５を保持する、回転可能なサセプタ３と、基板５の一方の主表面上に成膜用のガスを流す流路１０とを備える。例文帳に追加

The vapor deposition apparatus 1 includes a susceptor 3 which holds a substrate 5 as a workpiece and can rotate, and a flow channel 10 for flowing gas for deposition on one main surface of the substrate 5. - 特許庁

ＷＳｉＮ膜３は、ＷＳｉ膜４がポリＳｉ膜２と反応してグレイン成長するのを抑制するため、ＷＳｉ膜４の結晶粒が小さくなり、遮光特性が向上する。例文帳に追加

Because the WSiN film 3 suppresses a reaction of the WSi film 4 with the polysilicon film 2 to produce grain growth, a crystal grain of the WSi film 4 gets smaller and the light shielding characteristics are improved. - 特許庁

灰吹銀および回収された旧銀から丁銀を吹きたてる場合の銀座の収入である分一銀（ぶいちぎん）は正徳銀では慶長銀と同じく鋳造高の3%に引き下げられ、品位を向上させる吹替えのため改鋳利益も得られず銀座役所、常是役所伴に困窮したという。例文帳に追加

Buichi-gin of shotoku-gin, which was an income of ginza when cho-gin was cupellated from cupellated silver and collected old silver, was reduced to 3% of minted amount that is the same as that of keicho-gin, and it was impossible to make a profit by reminting because they had to cupellate to upgrade karat, causing ginza and joze financial crisis.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる結晶基板１の表面に凹凸（または段差）１ａを加工し、該凹凸の加工された表面に低温ＧａＮ系バッファ層を介することなく直接的にＧａＮ系結晶２を成長させ、ＧａＮ系結晶層３とする。例文帳に追加

Protrusions and recesses (or a level difference) 1a are formed on the surface of a crystal substrate 1 composed of a material different from a GaN-based semiconductor and a GaN-based crystal 2 is grown directly on the surface where protrusions and recesses are formed with no intermediary of a low temperature GaN-based buffer layer thus obtaining a GaN-based crystal layer 3. - 特許庁

後陽成天皇（ごようぜいてんのう、元亀2年12月15日（1571年12月31日）-元和3年8月26日（1617年9月25日）在位：天正14年11月7日（1586年12月17日）-慶長16年3月27日（1611年5月9日））は、安土桃山時代から江戸時代初期の第107代天皇である。例文帳に追加

Emperor Goyozei (December 31, 1571 - September 25, 1617), his reign was from December 17, 1586 to May 9, 1611, he was the hundred and seventh Emperor between the Azuchi-Momoyama period and the Edo period.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この磨かれた表面４１は実質的にエピタキシャル表面３０と実質的に同一平面であるので、この第１のエピタキシャル層３は実質的に平坦化された結晶成長表面を有している。例文帳に追加

The polished surfaces 41 are substantially flush with the epitaxial surface 30 so that the first epitaxial layer 3 has a substantially planarized crystal growth surface. - 特許庁

マルチギャップ層３の断面が逆台形状であるため、その上に塗布された着色層７の断面はテーパー部を有しない長方形状となり、液晶分子５の配向は乱されない。例文帳に追加

The cross-section of the multi-gap layer 3 has an inverted trapezoidal shape, therefore, the cross-section of the colored layer 7 applied thereon becomes a rectangular shape having no tapered part and the alignment of liquid crystal molecules 5 is not disturbed. - 特許庁

本発明は、照明調整具用シート及び照明調整具において、消防法施行規則第４条の３第３項の規定の防炎合格基準に適合する高度な難燃性と照明による輻射熱に対して優れた耐熱性を付与すると共に、良好な取扱い作業性及び打抜き成形性を具備させることを目的とする。例文帳に追加

To provide a sheet for illumination adjuster and an illumination adjuster which have a high fire retardancy meeting flameproof acceptance standards of Fire Protection Law, Enforcement Regulations Article 4-3, Section 3 and excellent thermal resistance against radiant heat by illumination, and are provided with excellent handling workability and punching moldability. - 特許庁

重錘（１）と浮子（４）によって、海底から垂直に立てたロープ（２）に小型軽量のカメラ（３）を複数台装着した装置で、人工魚礁（５）に集まる魚を長時間（２４時間以上）連続して撮影調査する。例文帳に追加

This monitaring device is obtained by attaching plural small light weight cameras (3) to a rope (2) standing vertically from the bottom of the sea by using a weight (1) and a float (4), and performs the monitoring the fishes gathering around the artificial fish reef (5) for a long time (24 hr or longer). - 特許庁

さらに、ヒータ４とヒータ５との間を仕切壁部６ｆにて断熱することで、成長結晶の表面の温度と粉末原料３の温度を別々に制御性良く調整することが可能となる。例文帳に追加

Further, it becomes possible to separately regulate the temperature of the surface of a growing crystal and the temperature of a powdery raw material 3 with a good controllability by insulating heat between the heater 4 and the heater 5 by a partition wall part 6f. - 特許庁

半導体基板１と、単結晶からなる整合層２１と絶縁層２２とを積層してなり上記基板１表面上に部分的に形成された緩衝層２と、該緩衝層２及び上記基板１表面に形成された単結晶成長層３とを備える。例文帳に追加

A semiconductor element is equipped with a semiconductor substrate 1, buffer layers 2, which are each formed by laminating a single crystal matching layer 21 and an insulating layer 22, dispersedly formed on the substrate 1, and a single crystal growth layer 3 formed on the buffer layers 2 and the substrate 1. - 特許庁

松隠堂に退隠後、82才を迎えた寛文13年(1673年)正月、隠元は死を予知し身辺を整理し始め、3月になり、体調がますます衰え、4月2日には後水尾法皇から「大光普照国師」号が特諡された。例文帳に追加

After retiring in Shoin-do hall, at eighty-two years old in February, 1673, he began putting his affairs in order in contemplation of his death, his health deteriorated rapidly in April, and he was given 'Daiko-fusho kokushi,' a posthumous Buddhist name, by Emperor Gomizunoo on May 18.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明のリューサイト結晶含有ガラスセラミックスは、リューサイト結晶を含有し、５０〜５００℃における熱膨張係数が１２〜１７．５×１０^-6／℃であり、８５０℃で３時間加熱した後においてもＮａ・Ｋ長石質結晶の析出のないガラスセラミックスである。例文帳に追加

The luecite crystal-containing glass ceramic contains the luecite crystal and the coefficient of thermal expansion at 50-500°C is (12-17.5)×10-6/°C, and the precipitation of Na.K feldspar crystal is not caused after heating at 850°C for 3 hr. - 特許庁

本発明に係るIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、反応炉５内に配置した基板上にＳｅを含むIII−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル結晶を層成長させた後、次回のエピタキシャル結晶成長を行う前に、反応炉５の導入配管３に有機金属ガス２のみを流し、導入配管３内に残留したＳｅを取り除くものである。例文帳に追加

In the method of a group III-V, after epitaxial crystal of the group III-V compound semiconductor containing Se is grown by a layer on a substrate arranged in a reactor 5, only an organic metal gas 2 is put into the introduction piping 3 of the reactor 5 before the succeeding epitaxial crystal growth is started, and Se remaining in the introduction piping 3 is removed. - 特許庁

慶長20年7月17日(旧暦)（1615年9月9日）、二条城において大御所（前将軍）・徳川家康、征夷大将軍（二代）・徳川秀忠、前関白・二条昭実の3名の連署をもって公布された。例文帳に追加

On September 9, 1615, the law was promulgated over the joint signature of the three persons of the retired shogun Ieyasu TOKUGAWA, the second shogun Hidetada TOKUGAWA, and the former chief adviser to the emperor Akizane NIJO.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

好適には、分解を伴う１つの工程で再堆積が起こり、複数の成長結晶３の結晶ファセット３１に基づきテクスチュア表面を得る。例文帳に追加

Preferably, re-deposition occurs at one step with decomposition to obtain a textured surface based on crystal facets 31 of a plurality of grown crystals 3. - 特許庁

マイクロ波化学気相成長法によるダイヤモンド膜の成膜条件は、マイクロ波投入電力密度がシリコンウエハ表面の単位面積当たり３乃至１０ｋＪ／ｍｍ^２、総投入量が５０ＭＪ以上である。例文帳に追加

Depositing conditions of the diamond film by the microwave chemical vapor depositing method are 3 to 10 kJ/mm^2 per a unit area of silicon wafer front surface in microwave inputting power density, and 50 MJ or more in total input. - 特許庁

個々の発光素子１を分離するためのスクライブ溝ＳＴをレーザを用いて形成する工程の前に、結晶成長用基板２において発光層３の光が出射する出射面を覆う保護膜７を設ける。例文帳に追加

A protection film 7 is arranged on a substrate 2 for crystal growth for covering the light emission surface from which the light of a light emitting layer 3 is emitted before a process for forming the scribe groove ST for dividing each light emitting element 1 through the use of the laser. - 特許庁