たくほくしちじょう５ちょうめの英語

内部に熱交換器及び送風機が収容された空気調和機本体２と、この空気調和機本体の前面部に配置された前面パネル７とを備え、空気調和機本体２の上面には内側に網状のフィルタ９が配置された空気吸い込み口５が形成されている空気調和機である。例文帳に追加

The air conditioner is provided with an air conditioner body 2 with a heat exchanger and a blower held inside, and a front panel 7 disposed at the front part of the air conditioner body, wherein the air suction port 5 with a mesh filter 9 disposed inside is formed at the upper face of the air conditioner body 2. - 特許庁

そのため、どちらの復調された放送信号を用いても受信画質や音質が十分に高いとき（通常時）には、消費電力の小さいアナログ復調部６による復調結果を優先的に選択して出力し、且つ、消費電力の大きいデジタル復調部５の動作を停止させることができる。例文帳に追加

Thus, when receiving picture and quality sound quality are sufficiently high whichever demodulated broadcast signal may be used (normal time), the demodulation result is preferentially selected and outputted by the analog demodulation part 6 of low power consumption, and the operation of the digital demodulation part 5 having large power consumption can be stopped. - 特許庁

地盤に応じて選択的に取付座５に面板７を取り付けることで、開口空間４の面積を調整し、地山の崩壊を防ぐ。例文帳に追加

By attaching the face plate 7 to the attaching seat 5 selectively depending upon the ground, the area of the opening space 4 is adjusted and the rupture of natural ground can be prevented. - 特許庁

樹脂溶融物の厚さを調整するためにＴ−ダイ（１）の送出域（５）のそれぞれの区域を選択的に、前記ダイの全幅に渉って温度調節するようにしたことを特徴とする方法。例文帳に追加

In the method, the temperature of each part of the extruding-out area 5 of the T-die 1 is selectively controlled over the whole width of the die, for controlling the thickness of a resin molten material. - 特許庁

調理器具本体１の前面に操作パネル５を備えた可動部材１０を操作パネル５が外部に露出しないように調理器具本体１内に収納した状態と調理器具本体１の外に露出する非収納状態とを選択できるように可動自在に取付ける。例文帳に追加

A movable member 10 having the operation panel 5 in front of the cooker body 1 is movably installed so as to be capable of selecting a state of being housed in the cooker body 1 so that the operation panel 5 is not exposed outside and a non-housed state of being exposed outside the cooking body 1. - 特許庁

波長可変レーザ媒質１と高反射ミラー３との間の光軸上に、波長可変レーザ１側から順次、対向する２枚の偏向選択型反射鏡４、５とあらかじめ定められた方向に可動する波長同調素子６とを配置する。例文帳に追加

In the device, two polarization selecting type reflection mirrors 4, 5 opposing each other and a wavelength tuning element 6 movable in the prescribed direction are arranged on an optical axis between a wavelength variable laser medium 1 and a high reflection mirror 3 in the order from the medium 1 side. - 特許庁

短尺部１８の長さは、５ｍｍ以上乃至コンタクトガラス１６の横方向の長さ以下であることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the length of the short-length part 18 is ≥5 mm and not longer than the length of a contact glass 16 in the lateral direction. - 特許庁

この窒化物系半導体の形成方法は、第１ＧａＮ層３の上面上に、第２ＧａＮ層５を選択横方向成長させる工程と、選択横方向成長された第２ＧａＮ層５上に、量子ドット６を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The forming method of a nitride semiconductor has a process for performing selective transverse direction growth for a second GaN layer 5 on an upper surface of a first GaN layer 3, and a process for forming a quantum dot 6 on the second GaN layer 5 which is subjected to selective transverse direction formation. - 特許庁