にしおかごじょう１１ちょうめの英語

半導体近接場光源は、化合物半導体基板１１上に、面発光レーザ構造１２の化合物半導体層を有し、化合物半導体層表面に三角錐構造の化合物半導体層１５を有し、三角錐構造の頂点近傍に面発光レーザの発振波長オーダ以下の微小開口１３を有する。例文帳に追加

This semiconductor near-field light source has a compound semiconductor layer in a surface emission laser structure 12 on a compound semiconductor substrate 11, a compound semiconductor layer 15 in a trigonal pyramid structure on the compound semiconductor layer surface, and a micro aperture 13 in an oscillated wavelength order or smaller of the surface emission laser in the vicinity of an apex of the trigonal pyramid structure. - 特許庁

基材シート１上に、離型層１１と、該離型層１１上に設けられた保護層２１を少なくとも含む転写層２とが設けられてなる転写シートにおいて、前記離型層１１がアクリルメラミン系樹脂からなり、前記保護層２１がポリオール化合物と直鎖状イソシアネート化合物との反応生成物からなることを特徴とする転写シートである。例文帳に追加

In the transfer sheet with a release layer 11 and the transfer layer 2 including at least the protecting layer 21 formed on the release layer 11, on a base material sheet 1, the release layer 11 is composed of an acrylmelamine resin and the protecting layer 21 is composed of a reaction product between a polyol compound and a straight chain isocyanate compound. - 特許庁

封止はカバー１１の材料と前記触媒の金属との間に共晶化合物を形成することにより行われ、その触媒は、前記ナノ構造体１３ａ〜１３ｃのその場成長の目的で用いられ、かつ、前記カバー１１と接触するように設計された前記基板７の表面上に堆積されている。例文帳に追加

The sealing is made by forming an eutectic compound between the material of the cover 11 and the catalyst, and the catalyst used for the purpose of in situ growth of the nanostructure 13a-13c is deposited on the surface of the substrate 7 which is designed to contact with the cover 11. - 特許庁

半導体受光素子１１では、受光層２１は、入射光Ｌ_ＩＮの波長λ_ＳＩＧにおいて吸収係数αを有するIII−Ｖ化合物半導体からなり、１．５マイクロメートル以上の厚さｔを有する。例文帳に追加

The light-receiving layer 21 of a semiconductor light-receiving element 11 is composed of a III-V compound semiconductor with absorption coefficient α in the wavelength λ_SIG of an incident light L_IN and has a thickness (t) of no less than 1.5 μm. - 特許庁

基板１１の一主面に凸部１２を形成し、それらの間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させ、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行った後、その上に活性層１７を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる。例文帳に追加

Projections 12 are formed on one main surface of a board 11, and a nitride-based group III-V compound semiconductor layer 15 is grown in recesses 13 between the projections 12 after growth states of triangular sectional shapes with bottom sides along bottom faces of the recessions 13. - 特許庁

昇降機の蛍光灯並びに空調部品を取り付ける天井部１１と、蛍光灯を覆うための樹脂部品で構成されるかご天井において、天井部１１が薄板２ａに複数個のエンボス形状２１の凸部あるいはクロス状の凸部あるいはクロス状と直線状の凸部を組み合わせて、かつ１枚板での構成する。例文帳に追加

In this cage ceiling composed of a ceiling part 11 to which a fluorescent lamp and air conditioning parts of an elevator are attached and a resinous part for covering the fluorescent lamp, the ceiling part 11 is constituted of one plate by combining a plurality of projecting parts having emboss shape 21 or cross-like projecting parts or cross-like and linear projecting parts with a thin plate 2a. - 特許庁

上記目的を達成するために本発明にかかるかご内操作盤８及びエレベーター装置は、パネル１０，１１，１３及び／又はスイッチボックス１２から構成されるエレベーター用かご内操作盤８において、複数本のプレス型スタッドボルト１６を圧入したＬ字断面形状を有する補強板１５を、操作盤８の両端に取り付けたことを特徴としている。例文帳に追加

The operation panel 8 in the elevator car and the elevator device are characterized in that, in the operation panel 8 in the elevator car including panels 10, 11 and 13 and/or a switch box 12, a reinforcement plate 15 in which a plurality of press type stud bolts 16 are pressed and having an L shaped cross section is attached to both ends of the operation panel 8. - 特許庁

平面型高分子光導波路１０は、通過光の波長が８５０ｎｍ付近に設定された光導波路であって、それぞれ、高分子有機化合物からなる、膜厚２０μｍの平板状のコア層１１、及びコア層１１を上下から挟む平板状のクラッド層１２を備える。例文帳に追加

The plane type macromolecular optical waveguide 10 is an optical waveguide such that the wavelength of passing light is set to about 850 nm, and has a plane type core layer 11 of 20 μm in film thickness which is formed of a macromolecular organic compound and plane clad layers 12 between which the core layer 11 is sandwiched by an upper part and a lower part. - 特許庁