にしおかごじょう１３ちょうめの英語

しかし、病のため久光はそれに応じられず、代わって茂久が11月13日、藩兵3000人を率いて鹿児島を出発、途中周防国三田尻（現山口県防府市）において18日、長州藩世子毛利広封と会見し薩長広島藩3藩提携による出兵を協定して、23日入京する。例文帳に追加

However, Hisamitsu could not meet this because of his illness, and therefore, Shigehisa, instead of him, left Kagoshima with leading 3,000 domain soldiers on December 8, met Hiroatsu MORI, the heir of lord of the Choshu domain, at Mitajiri, Suo Province (present Hofu City, Yamaguchi Prefecture) to conclude the agreement for dispatching troops in cooperation of the three domains of Satsuma, Choshu, and Hiroshima on the way to Kyoto, and went to Kyoto on January 1.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

排紙センサ１３が３回目の読取位置通過後（表裏面読取り及び反転後）の先行長尺原稿Ｐ１の後端を検知するタイミングで次長尺原稿Ｐ２を給紙する。例文帳に追加

The next long size document P2 is fed at timing where a paper discharging sensor 13 detects the rear end of the preceding long size document P1 after the document P1 passes through a reading position at third time (after reading obverse and reverde surfaces and reversing). - 特許庁

さらに、正規化後の振幅データの系列における複数個の区間（セグメント）ごとに特徴量が特徴量算出部１３で算出され、この特徴量に基づいてニューラルネットワーク１４が底質判別情報を生成する。例文帳に追加

Further, a characteristic quantity is calculated by a characteristic quantity calculation part 13 in each of a plurality of segments in a series of the normalized amplitude data, and bottom quality discrimination information is generated by a neural network 14 based on the characteristic quantity. - 特許庁

半導体近接場光源は、化合物半導体基板１１上に、面発光レーザ構造１２の化合物半導体層を有し、化合物半導体層表面に三角錐構造の化合物半導体層１５を有し、三角錐構造の頂点近傍に面発光レーザの発振波長オーダ以下の微小開口１３を有する。例文帳に追加

This semiconductor near-field light source has a compound semiconductor layer in a surface emission laser structure 12 on a compound semiconductor substrate 11, a compound semiconductor layer 15 in a trigonal pyramid structure on the compound semiconductor layer surface, and a micro aperture 13 in an oscillated wavelength order or smaller of the surface emission laser in the vicinity of an apex of the trigonal pyramid structure. - 特許庁

本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と金属層１２とを備える積層体により構成されるものであり、樹脂組成物層１１、１３中において、フラックス機能を有する化合物は、金属層１２側に遍在していることを特徴とする。例文帳に追加

The conductive connection sheet 1 comprises a laminate including resin composition layers 11, 13 and a metal layer 12, and is characterized in that a compound having a flux function contained in the resin composition layers 11, 13 are unevenly distributed on the side of the metal layer 12. - 特許庁

上記目的を達成するために本発明にかかるかご内操作盤８及びエレベーター装置は、パネル１０，１１，１３及び／又はスイッチボックス１２から構成されるエレベーター用かご内操作盤８において、複数本のプレス型スタッドボルト１６を圧入したＬ字断面形状を有する補強板１５を、操作盤８の両端に取り付けたことを特徴としている。例文帳に追加

The operation panel 8 in the elevator car and the elevator device are characterized in that, in the operation panel 8 in the elevator car including panels 10, 11 and 13 and/or a switch box 12, a reinforcement plate 15 in which a plurality of press type stud bolts 16 are pressed and having an L shaped cross section is attached to both ends of the operation panel 8. - 特許庁

１または２種類以上の希土類元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶を基板としてＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶基板の（０１１）面から１°から４°だけオフアングルさせた面を成長面とするようにした。例文帳に追加

In the method of growing the GaN semiconductor crystal by using a rare earth 13 (3B) group perovskite crystal containing one or more kinds of rare earth elements as the substrate, a plane in an off-angle state by 1° to 4° from the (011) plane of the rare earth 13 (3B) perovskite crystal substrate is used as the growing plane. - 特許庁

超電導線材１の製造方法は、基材と、基材上に形成された超電導層１３とを含むテープ状の本体部１０を準備する工程と、本体部１０の外周を覆い、かつ化合物が析出した金属めっき層を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The method of manufacturing the superconducting wire rod 1 comprises: a step of preparing the tape-like body part 10 including the base material and the superconducting layer 13 formed on the base material; and a step of forming the metallic plating layer for covering the outer periphery of the body part 10 and depositing the compound. - 特許庁