はたけだ２ちょうめの英語

1205年（元久2）には有力御家人の畠山重忠父子を謀反の罪で滅ぼし、さらに同年旧暦7月には後妻の牧の方と共謀して娘婿にあたる平賀朝雅を新将軍として擁立しようとしたが、子の北条義時と政子の反対にあって失敗した。例文帳に追加

In 1205, he eliminated senior vassals Shigetada HATAKEYAMA and his son based on the charge of treachery and tried to put Tomomasa HIRAGA, his son-in-law, in the position of shogun in cooperation with his second wife Maki no Kata (Lady Maki) in July of the same year (in the lunar calendar); however, his attempt was thwarted by the opposition of his son Yoshitoki HOJO and daughter Masako.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

しかし観応2/正平6年（1351年）、貞久・氏久が南朝方に降伏、その後忠国の子・久氏は氏久に従い南朝方の畠山氏を攻撃している（島津氏は状況をみて帰属・離反を繰り返していた）ことや忠国の娘が氏久の室であることからも、この時期には島津宗家に協力していたと考えられる。例文帳に追加

However, it seems that he supported the Shimazu Soke family in this period because of the things: Sadahisa and Ujihisa surrendered to the Southern Court in 1351 and after that Hisauji, a son of Tadakuni, followed Ujihisa to attack the Hatakeyama clan of the Southern Court (the Simazu clan repeated subordination and estrangement according to the situation); a daughter of Tagakuni is a wife of Ujihisa.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

可動部材と静止部材とを有する軸受又はシール構造において、前記可動部材２及び静止部材４の少なくとも一方の部材は熱膨張係数が８×１０−６／℃以下の材料でつくられており、前記可動部材と静止部材の少なくとも一方の部材の前記部材同士の対向面側には、多結晶ダイヤモンドが被覆されている。例文帳に追加

In the bearing or the seal structure having a movable member and a static member, at least one of the movable member 2 and the static member 4 is made of a material having a coefficient of thermal expansion of 8 x 10^-6/°C, and a surface of at least one of the movable member and the static member opposite to the other is coated with multi-crystal diamond. - 特許庁

本発明は多結晶シリコン薄膜、これの製造方法及びこれを利用して製造された薄膜トランジスタに係り、隣接したプライマリ結晶粒境界が平行せずにプライマリ結晶粒境界に囲まれた面積が１μｍ^２より大きいことを特徴とするディスプレーデバイス用多結晶シリコン薄膜及びレーザーが透過するライン形態のパターンとレーザーが透過することができないパターンが混合された構造を有するマスクを用いて非晶質シリコンをレーザーを利用して結晶化する段階を含むことを特徴とする。例文帳に追加

A polycrystalline silicon thin film for a display device is featured in that adjoining primary crystal grain boundaries are not parallel and an area enclosed by primary crystal grain boundaries is larger than 1 μm^2, and also characterized by a step of crystallizing amorphous silicon using a laser beam, through the use of a mask having a mixed structure of a laser-transparent line-shaped pattern and a laser-opaque pattern. - 特許庁