ふじのさんじょう７ちょうめの英語

ところが、保元元年（1156年）7月8日、亡くなった鳥羽法皇の遺命を奉じた後白河天皇側の軍が東三条殿を接収（頼長は宇治に滞在中であった）して、3日後には天皇と藤原忠通以下、天皇側の文武百官がここに立て籠もった。例文帳に追加

However, on July 8, 1156, the Emperor Goshirakawa and his military force who followed the dead Cloistered Emperor Toba's last instruction confiscated the Higashi Sanjo-dono Residence (when Yorinaga stayed in Uji), and three days later, lots of government officers and the military force on the emperor's side barricaded themselves there together with FUJIWARA no Tadamichi.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

しかし、幕府によって三条大橋に長州藩を非難（罪状告発）する制札が立てられると、これに反発した正勝ら、過激派の志士は上士・宮川助五郎、同僚・藤崎吉五郎ら7名とともに制札撤去に乗り出す。例文帳に追加

However, when the bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun) put up notice boards on Sanjo-ohashi Bridge to criticize the Choshu Domain (accusation of guilt), extremist supporters of a noble cause who opposed the accusation, including Masakatsu, decided to remove the notice boards with a total of seven persons including his superior warrior Sukegoro MIYAGAWA and his colleague Kichigoro FUJISAKI.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された下層配線３と、前記下層配線３上及び下層配線３間に形成され、不純物がイオン注入されることで圧縮応力を示す無機ＳＯＧ膜５ａと、前記無機ＳＯＧ膜５ａを含む層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホールを介して前記下層配線に接続する上層配線とを具備することを特徴とする。例文帳に追加

This semiconductor device includes: lower-layer wires 3 formed on a semiconductor substrate 1; an inorganic SOG film 5a formed on the lower-layer wires 3 and between the lower-layer wires 3 and exhibiting compression stress by implanting ions of impurities therein; and upper-layer wires connected to the lower-layer wires through contact holes formed on an interlayer insulation film 7 including the inorganic SOG film 5a. - 特許庁

本発明のアンチヒューズ構造１００は、第一配線３と、前記第一配線３上に順次積層された、不純物を含有した第一の多結晶シリコン膜６、第一のタングステンシリサイド膜７、第一の窒化タングステン膜８からなる第一のアンチヒューズ部２０ａと、前記第一のアンチヒューズ部２０ａ上に接続された第二配線１０と、を具備してなることを特徴とする。例文帳に追加

The antifuse structure 100 is equipped with: a first wiring 3; a first antifuse part 20a consisting of a first polycrystal silicon film 6 containing impurities; a first tungsten silicide film 7; and a first nitride tungsten film 8 stacked sequentially on the first wiring 3; and a second wiring 10 connected on the first antifuse part 20a. - 特許庁

この発明のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法では、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層３を作製する第１の工程と、その窒化ガリウム系化合物半導体層３上に金属等からなる触媒層７を作製する第２の工程と、その触媒層７を付けた状態での窒化ガリウム系化合物半導体層３を熱処理する第３の工程とを含む、ことを特徴とする例文帳に追加

A method for manufacturing a p-type gallium nitride compound semiconductor comprises a first step of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor layer 3 in which a p-type impurity is added, a second step of manufacturing a catalytic layer 7 made of a metal or the like on the layer 3, and a third step of heat treating the layer 3 in a state in which the layer 7 is attached. - 特許庁

第九条　内閣総理大臣は、第五条第一項及び第六項若しくは第七条の規定による届出書類に形式上の不備があり、又はその書類に記載すべき重要な事項の記載が不十分であると認めるときは、届出者に対し、訂正届出書の提出を命ずることができる。この場合においては、行政手続法（平成五年法律第八十八号）第十三条第一項の規定による意見陳述のための手続の区分にかかわらず、聴聞を行わなければならない。例文帳に追加

Article 9 (1) When the Prime Minister finds any deficiencies in formalities in the statement set forth in Article 5(1) and other documents set forth in Article 5(6) or Article 7, or finds insufficiency of the statements on important matters to be stated therein, he/she may order the person submitting them to submit an amendment. In this case, a hearing shall be held irrespective of the categories of procedures for hearing statements of opinion under Article 13(1) of the Administrative Procedure Act (Act No. 88 of 1993).発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム