へいせいちょう１ちょうめの英語

成長基板上に成長したダイアモンド膜であって、前記成長基板は１×１周期に変化した表面超構造を備えている。例文帳に追加

The diamond film is grown on the growth substrate having a surface superstructure modified into 1×1 period. - 特許庁

基板上への窒化物薄膜の成長方法において、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板１上に＋ｃ面で成長するＧａ面２と、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板上に−ｃ面で成長するＮ面３とを形成する。例文帳に追加

In the process for growing a nitride thin film on a substrate, a Ga face 2 growing on +c face and an N face 3 growing on -c face are formed on a c face sapphire (Al_2O_3) substrate 1. - 特許庁

さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて（ｃ）図のように凹凸面を覆い平坦化する。例文帳に追加

When the crystal growth is continued further, the films grown from the recesses are connected to each other and become a flat film covering the rugged surface of the substrate 1 as shown in Fig. (c). - 特許庁

特に、埋め込み層２は、成長障壁層１の凹部Ｄ内にも成長するため、凹部内横方向成長によって、埋め込み層２内の結晶転位が低減する。例文帳に追加

Especially, the buried layer 2 is grown also inside a concave portion D of the growth barrier layer 1, and hence crystal dislocation inside the buried layer 2 is reduced by the lateral growth inside the concave portion. - 特許庁

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。例文帳に追加

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal. - 特許庁

無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。例文帳に追加

The method comprises disposing inorganic particles 2 on a surface 1A of a substrate 1 for growing by using a slurry obtained by dispersing the inorganic particles 2 in a medium, and by dipping the substrate 1 for growing into the slurry or by coating or spraying the slurry onto the substrate 1 for growing and drying it. - 特許庁

親水性長繊維は１０〜６０％の捲縮率を有し、且つ該長繊維のウエブ２が吸収体１の平面方向に高度に配向している。例文帳に追加

The hydrophilic long fiber has a crimp percentage of 10-60%, and the web 2 of the long fiber is highly oriented in the planar direction of the absorber 1. - 特許庁