みがたちょう１ちょうめの英語

フィルタは波長分波器２の上方からみて第１の基準面１３に対し直交しかつ波長分波器２の上方からみて光ファイバ１１の光軸Ｐに対し交差する方向に沿って設けられている。例文帳に追加

The filter is arranged orthogonally to the surface 13 when looking from the top of the demultiplexer 1 and along the direction crossing an optical axis P of the fiber 11 when looking from the top of the demultiplexer 1. - 特許庁

その結果、切断ブレード１の側面とランジュバン型超音波振動子の超音波放射面の間に水を満たされ、超音波振動が切断ブレード１に効率よく伝播する。例文帳に追加

As the result, the water fills a space between the side face of the cutting blade 1 and the ultrasonic radiant face of the Langevin type ultrasonic oscillator and the ultrasonic vibration is efficiently propagated to the cutting blade 1. - 特許庁

全体で１種類の自然な髪形を構成する頭頂部１と周辺部の２つのかつらについて、頭頂部１に、周辺部および自毛との接続が可能な留め具を設け、頭頂部１のみの使用、周辺部のみの使用、頭頂部１および周辺部の併用の３通りに使い分けが可能な分離型かつらを特徴とする。例文帳に追加

This separated-type wig including a vertex part 1 and a peripheral part 2 forming a natural hair style of one kind as a whole is such that a fastener connectable to the peripheral part and own hair is set on the vertex part 1, and it is possible to use properly in 3 ways of using only the vertex part 1, using only the peripheral part, and using the vertex part 1 and the peripheral part together. - 特許庁

手袋（１）の手の平がわの指の上方部に、爪を取付けたことを特徴とする。例文帳に追加

This glove (1) is characterized by having nails on the upper parts of the fingers of the palm side thereof. - 特許庁

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、GaN32を横方向エピタキシャル成長させることで段差の下段（元基板1の凹部）上方を埋めたのち、さらに上方にも成長させる。例文帳に追加

Using the upper surface and the side face at the upper stage of level difference as nuclei, GaN 32 is grown epitaxially in the lateral direction and the upper part of the lower stage of level difference (recess of the original substrate 1) is filled before GaN 32 is also grown epitaxially above. - 特許庁

本発明の電子部品実装基板は、Si基板1の上方に、光導波路21を形成するためのポリマー層2と、Si基板1の線膨張係数とポリマー層2を形成するポリマーの線膨張係数の中間の線膨張係数を有する金属材料からなる緩衝層31とを設けている。例文帳に追加

In this electronic component packaging substrate, a polymer layer 2 for forming an optical waveguide 21, and a cushioning layer 31 consisting of metallic material having middle coefficient of linear expansion of the coefficient of linear expansion of the Si substrate 1 and the coefficient of linear expansion of polymer for forming the polymer layer 2, are formed above the Si substrate 1. - 特許庁

波長可変レーザ媒質１と高反射ミラー３との間の光軸上に、波長可変レーザ１側から順次、対向する２枚の偏向選択型反射鏡４、５とあらかじめ定められた方向に可動する波長同調素子６とを配置する。例文帳に追加

In the device, two polarization selecting type reflection mirrors 4, 5 opposing each other and a wavelength tuning element 6 movable in the prescribed direction are arranged on an optical axis between a wavelength variable laser medium 1 and a high reflection mirror 3 in the order from the medium 1 side. - 特許庁

このサーミスタ素子１を作製するための金型では、調整孔２０を形成するための調整孔形成ピンの内部空間内への挿入量を調整可能とした。例文帳に追加

A die for manufacturing the thermistor element 1 is possible to adjust the quantity of an adjusting hole formation pin for forming the adjusting hole 20 that is inserted into an inner space. - 特許庁