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みその4ちょうめの英語
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「みその4ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 56件
引き続き、アンドープMQW層4の成長温度と等しい温度でアンドープAlGaN埋め込み層10を形成した。例文帳に追加
Then, undoped AlGaN burying layers 10 are formed at a temperature equal to the growing temperature of the undoped MQW layer 4. - 特許庁
逆に、横波送受信コイル4により、試験体6表面の横波超音波を検出できる。例文帳に追加
On the contrary, the horizontal ultrasonic waves on the surface of the specimen 6 can be detected by the horizontal wave transmitting and receiving coil 4. - 特許庁
そして、埋込層6の外周部でエピタキシャル成長層2の表面側にp^+ 形のガードリング4が形成されている。例文帳に追加
A p+-type guard ring 4 is formed on the surface side of the epitaxial growth layer 2 at the outer peripheral part of the embedded layer 6. - 特許庁
このバー(4)の長手方向の弾性は、そのバーがその全長にわたって複数の開口部(11)を含み、その開口部(11)がバー(4)の中央面(14)の両側に交互に配置されていることにより生じる。例文帳に追加
The elasticity in the longitudinal direction of the bar (4) is generated in such a way that the bar comprises a plurality of transverse operatures (11) over its whole length, and that the openings (11) are arranged alternately on both sides in a median plane (14) of the bar (4). - 特許庁
データ集計センター4側は、一定期間毎又は任意時間に前記メールボックス43をアクセスして前記操作履歴データをデータサーバに取り込み、そのデータを分析処理することにより世帯視聴率や個人視聴率を求める。例文帳に追加
A data accumulation center 4 accesses the mail box 43 by each fixed period or at arbitrary times, the operation history data is fetched into a data server, and the data is analyzed, thereby obtaining a household program rating or program rating of individuals. - 特許庁
シリコン基板1上にN+型のコレクタ埋め込み層2を形成し、N−型のエピタキシャル層3を成長させた後、N+型のコレクタ層4を形成する。例文帳に追加
An N^+ type collector embedded layer 2 is formed on a silicon substrate 1 and after an N^- type epitaxial layer 3 is caused to grow, an N^+ type collector layer 4 is formed. - 特許庁
また、Arイオンのドーズ量を調整し、格子歪み層4の引張り応力が11MPa以上かつ27MPa以下となるようにする。例文帳に追加
By adjusting the dose amount of the Ar ions, tensile stress of the lattice strain layer 4 is set to 11-27 MPa. - 特許庁
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「みその4ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 56件
集光線位置微調整装置は、積層導波路ホログラムメモリ7の各導波層5へレーザ光を導く集光線位置微調整装置であって、調光部材としての振幅変調型空間光変調器4を備える。例文帳に追加
The converged light beam position fine adjustment device is a converged light beam position fine adjustment device which guides laser light to respective waveguide layers 5 of the laminated waveguide hologram memory, and equipped with an amplitude modulation type spatial optical modulator 4 as a dimming member. - 特許庁
振幅変調型空間光変調器4は、積層導波路ホログラムメモリ7の積層された導波層5のそれぞれについてレーザ光の入射光量を変更することが可能である。例文帳に追加
The amplitude modulation type spatial optical modulator 4 is capable of varying the quantity of incident laser light for each of the laminated waveguide layers 5 of the laminated waveguide hologram memory 7. - 特許庁
空間光変調素子となる画素は、反射凹面構造1、透光性の部材からなる埋め込み層2、液晶層4からなり、反射凹面構造1と埋め込み層2との間には反射電極6が設けてあり、埋め込み層2の上には上面を平坦化された平坦化層3を有する。例文帳に追加
A pixel as a spatial light modulation element has a reflective concave surface structure 1, an embedded layer 2 made of a translucent member, a liquid crystal layer 4, a reflecting electrode 6 provided between the structure 1 and the layer 2 so that a planarized layer 3 in which the upper surface is planarized is provided on the layer 2. - 特許庁
候補画像表示手段4は、求めた誤差の小さい特徴データ12に対応のシーン検索用画像を、選択してその候補画像を誤差の小さい順にある程度の範囲に絞り込み、その縮小画像を画面に順に表示する。例文帳に追加
A candidate picture display means 4 selects the scene retrieval picture corresponding to feature data 12 whose obtained error is small, narrows the candidate picture to the range of a prescribed degree in order from the smallest error and displays the reduced pictures on a screen in order. - 特許庁
半導体光変調器24は光導波層4を内部に有し、半導体によって形成された帯状のメサ26を具備している。例文帳に追加
A semiconductor optical modulator 24 includes a band-like mesa 26 that includes an optical waveguide layer 4 thereinside and is formed of a semiconductor. - 特許庁
N+型埋め込み層(6A、6B)は、同一工程にてN型ウエル領域2B及びN型コレクタ層4の底部に重畳して形成される。例文帳に追加
N+ type embedded layers (6A and 6B) are formed while being superimposed on an N-type well area 2B and the bottom of an N-type collector layer 4 by the same process. - 特許庁
基材フィルム3の裏面にメタリック調絵柄層6および一般絵柄層7を覆って、紙層5が接着層4を介して設けられている。例文帳に追加
A paper layer 5 is arranged on the back surface of the base material film 3 so as to cover the metallic picture design layer 6 and the general picture pattern layer 7 across an adhesive layer 4. - 特許庁
基本波直交復調部1及び2倍波直交復調部2で復調した後に高調波成分除去部3,4でそれぞれ高調波成分を除去し、測度演算部5で基本波及び2倍波それぞれの振幅値を求め、比をとることでガス濃度の測度を得る。例文帳に追加
After demodulation by a fundamental wave orthogonal demodulation part 1 and a duplicate wave orthogonal demodulation part 2, higher harmonic components are removed by higher harmonic component removing parts 3, 4 and the amplitude values of a fundamental wave, and a duplicate wave are calculated by a measure operation part and the ratios of the calculated values are taken so as to obtain the measure of the concentration of gas. - 特許庁
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