みそのいちじょう１ちょうめの英語

絶縁性基板１１と、該絶縁性基板上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素１２とを有する六方晶窒化ホウ素構造であって、不純物としてシリコン、マグネシウム、ベリリウム、またはイオウを含み、そのドーピング濃度は、１×１０^16から１×１０^20ｃｍ^-3の範囲であることを特徴とする。例文帳に追加

This hexagonal boron nitride structure includes an insulating substrate 11 and a single crystal hexagonal boron nitride 12 formed on the insulating substrate and contains silicon, magnesium, beryllium or sulfur as an impurity with its doping concentration in the range from 1×10^16 to 1×10^20 cm^-3. - 特許庁

第１および第２のプレートのそれぞれは、電気化学電池のケースの安全通気孔の下に位置決めされた第２の開口を含み、その孔が開くとそこを通るガスの乱流が助長される。例文帳に追加

Each of the first plate 1 and the second plate 2 includes a second opening positioned under a safety air through hole of the case of the electrochemical cell, assisting the turbulence of a gas passing through the hole when the hole opens. - 特許庁

基本波直交復調部１及び２倍波直交復調部２で復調した後に高調波成分除去部３，４でそれぞれ高調波成分を除去し、測度演算部５で基本波及び２倍波それぞれの振幅値を求め、比をとることでガス濃度の測度を得る。例文帳に追加

After demodulation by a fundamental wave orthogonal demodulation part 1 and a duplicate wave orthogonal demodulation part 2, higher harmonic components are removed by higher harmonic component removing parts 3, 4 and the amplitude values of a fundamental wave, and a duplicate wave are calculated by a measure operation part and the ratios of the calculated values are taken so as to obtain the measure of the concentration of gas. - 特許庁

本発明に係る波長選択素子は、格子層１と導波層２を備え、前記格子層１は屈折率の温度係数の異なる格子部材１１、および熱反応充填材１２により形成されている。例文帳に追加

The wavelength selection element is equipped with a grating layer 1 and a waveguide layer 2, wherein the grating layer 1 is formed of a grating member 11 and a thermo-reactive filler 12 with temperature coefficients of refractive indexes different from each other. - 特許庁

調整機構２７の調整ボルト４２をねじ込み操作して、側枠１と棚枠２５とに設けた掛止穴１０の上下位置を一致させることにより、段差部分にでも棚板２６を水平に掛け渡すことができる。例文帳に追加

The shelf board 26 can be bridged horizontally even over the step by screwing a bolt 42 for adjustment of the adjusting system and by making vertical positions of holes 10 for catching, provided on the side frame 1 and the shelf frame 25, agree with each other. - 特許庁

第１の埋め込み層４ａは、延長ドレイン領域２の半導体基板１表面から一定の深さ位置に、それぞれ離反した状態で形成したｐ型不純物領域の群である。例文帳に追加

The first buried layer 4a is the group of p-type impurity regions formed at a given depth position from the surface of the semiconductor substrate 1 of the extended drain region 2 under a condition that the groups are estranged respectively. - 特許庁

溝４Ａに流入した樹脂は、順次間隙δ１を通過して、隣接する溝４Ｂ〜４Ｆに流れ込み、その度に、押し側の壁５によって引き延ばされて、頂上５１とシリンダー１の内壁１１との間の間隙δ１を通過するに際して剪断力を受けて発熱し、溶融度を高める。例文帳に追加

A resin having flowed into a groove 4A flows sequentially through a gap δ1 into adjoining grooves 4B-4F, is extended each time by a push-side wall 5 generating heat due to a shearing force received when passing through the gap δ1 between a wall edge 51 and an inner wall 11 of a cylinder 1, and is molten further. - 特許庁

音源部１と受波素子３との間には、筒状に形成され音源部からの超音波を内部空間に通すことで当該超音波の拡散範囲を狭める筒体６が配設されている。例文帳に追加

A cylinder 6 which is formed into a cylinder shape and narrows the diffusion range of the ultrasonic waves from the sound source unit by making the ultrasonic waves go into an inner space is placed between the sound source part 1 and the wave receiving element 3. - 特許庁