みそのいちじょう４ちょうめの英語

遮光具１は、可撓性の環体１１、及び、環体１１の内側に張設された遮光幕１２を備え、遮光幕１２の周縁部又は環体１１に離隔して設けられ、互いに係止可能で係止時の長さが該離隔距離よりも短くなる２つの係止体３，４を２組備えている。例文帳に追加

This shade 1 includes a flexible annular body 11, a shading curtain 12 stretched inside the annular body 11, and two sets of two locking bodies 3, 4 provided at a space on the peripheral edge part of the shading curtain 12 or the annular body 11, and capable of locking with each other so that the length in locking is smaller than the spacing distance. - 特許庁

恒温恒湿装置１は、第１空間３と、この第１空間３から気体を吸い込み、その温度及び湿度を調整しつつ第１空間３へ気体を還流させる第２空間４と、第１空間３と第２空間４を仕切る仕切壁５を備えた装置本体２と、送風機２０と、第２空間４内に配置された冷却除湿器３０とを備える。例文帳に追加

This thermo-hygrostat 1 includes a first space 3, a second space 4 for sucking a gas from the first space 3 and refluxing the gas to the first space 3 while adjusting its temperature and humidity, a device body 2 comprising a partitioning wall 5 to partition the first space 3 and the second space 4, a blower 20, and a cooling dehumidifier 30 disposed in the second space 4. - 特許庁

候補画像表示手段４は、求めた誤差の小さい特徴データ１２に対応のシーン検索用画像を、選択してその候補画像を誤差の小さい順にある程度の範囲に絞り込み、その縮小画像を画面に順に表示する。例文帳に追加

A candidate picture display means 4 selects the scene retrieval picture corresponding to feature data 12 whose obtained error is small, narrows the candidate picture to the range of a prescribed degree in order from the smallest error and displays the reduced pictures on a screen in order. - 特許庁

シリコン基板１上にＮ＋型のコレクタ埋め込み層２を形成し、Ｎ−型のエピタキシャル層３を成長させた後、Ｎ＋型のコレクタ層４を形成する。例文帳に追加

An N^+ type collector embedded layer 2 is formed on a silicon substrate 1 and after an N^- type epitaxial layer 3 is caused to grow, an N^+ type collector layer 4 is formed. - 特許庁

プローブ４は超磁歪素子５とコンデンサ型マイクロホン６を組み合わせた構成とし、超磁歪素子５により弾性波を発振させ、コンデンサ型マイクロホン６により反射波を受振させ、同反射波のピークを検出することにより杭体１の断面形状等を測定する。例文帳に追加

The probe 4 has a constitution wherein the super-magnetostrictive element 5 and a capacitor type microphone 6 are combined together, oscillates the elastic wave by the super-magnetostrictive element 5, receives the reflected wave by the capacitor type microphone 6, and measures a sectional shape or the like of the pile body 1 by detecting a peak of the reflected wave. - 特許庁

装置は、超伝導導体１と、誘電体２を介して該超伝導導体を囲み、その間が真空断熱され、相互に同心状に構成された２本の金属管４，５からなる、クライオスタットＫＲによって、冷媒を運ぶための空間ＦＲとともに囲まれた超伝導スクリーン３と、からなる超伝導ケーブルＳＫを備える。例文帳に追加

The device includes a superconductive cable SK including a superconductive conductor 1 and a superconductive screen 3 which surround the superconductive conductor through a dielectric 2 and ia surrounded together with a space FR for carrying a coolant by a cryostat KR including two metal tubes 4, 5 which are vacuum-insulated from each other and configured to be concentric to each other. - 特許庁

装置は、超伝導導体１と、誘電体２を介して該超伝導導体を囲み、その間が真空断熱され、相互に同心状に構成された２本の金属管４，５からなる、クライオスタットKRによって、冷媒を運ぶための空間FRとともに囲まれた超伝導スクリーン３と、からなる超伝導ケーブルSKを備える。例文帳に追加

The device is provided with a superconducting cable SK consisting of a superconducting conductor 1 and a superconducting screen 3 which surrounds the superconducting conductor with an interposition of a dielectric 2, and is surrounded with the free space FR for carrying the coolant by the cryostat KR which has two metal tubes 4, 5 structured concentrically with respect to one another and between which vacuum insulation is provided. - 特許庁

さらに、そのガードリング４の内側で埋込層６上のエピタキシャル成長層２の表面側に凹部７が形成され、凹部７に露出するエピタキシャル成長層２の表面上に、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）などの半導体層２とショットキーバリア（ショットキー接合）を形成する金属層３が前述のガードリング４にかかるように設けられている。例文帳に追加

A recessed part 7 is formed on the surface side of the epitaxial growth layer 2 on the embedded layer 6, inside the guard ring 4, and on the surface of the epitaxial growth layer 2 exposed to the recessed part 7, a metal layer 3 which forms a Schottky barrier (Schottky junction) with the semiconductor layer 2, such as molybdenum (Mo) and titanium (Ti), is provided so as to overlap the guard ring 4. - 特許庁