を陥入させるの英語

しかも、入射したテラヘルツ光を欠陥部内で共振させることができるから、テラヘルツ光を検出する感度を高くすることができる。例文帳に追加

Furthermore, since the impinging terahertz light is allowed to resonate within the defect part, detection sensitivity for terahertz light can be increased. - 特許庁

このときのイオン注入も、格子欠陥を低減させるためにチャネリングを起こすように結晶軸方向から行う。例文帳に追加

The ion implantation is performed in the direction of crystal axis to cause channeling for reducing lattice defects. - 特許庁

熱酸化された活性層用ウェーハに軽元素イオンを注入し、表面から0.1〜2μmの深さに欠陥層が形成させる。例文帳に追加

A light element is ion-implanted to a thermally oxidized active layer wafer to form a defective layer at a 0.1-0.2 μm depth from the surface. - 特許庁

有機絶縁材外被３のボイド（欠陥部）４に接着性および流動性に優れる液状のシリコーンゴム組成物６を注入し硬化させる。例文帳に追加

Liquid silicone rubber composition 6 excellent in adhesive property and fluidity is poured into a void (defect) 4 of the organic insulator sheath 3 and cured. - 特許庁

データ処理回路４５は、入力された制御データを格納するためのメモリと、欠陥検査機で得られた欠陥データに基づき、欠陥の位置を含む周囲領域に関する制御データを選択的にメモリに格納させる制御部とを備えている。例文帳に追加

The data processing circuit 45 has: a memory for storing inputted control data; and a control section for selectively storing control data on a peripheral region including the position of defects in a memory, based on the defect data obtained by a defect inspection machine. - 特許庁

板厚の大きい透明な基板の欠陥の検査において、基板の周辺環境から検出光学系に入り込む外乱光ノイズの影響を無くし、欠陥の検出精度を向上させる。例文帳に追加

To eliminate influences of disturbance light noise intruding into a detection optical system from a peripheral environment of a transparent substrate with a large thickness upon inspecting a defect in the substrate, and improve detection accuracy of defects. - 特許庁

走査初期において、凸欠陥２０１の左斜面からの反射光を反射光強度測定器１０８に入射する方向に反射させることにより、この部分で凸欠陥２０１が明るく見える。例文帳に追加

By reflecting reflected light from a left slope of a protruding defect 201 in a direction of incidence onto a reflected light intensity measuring device 108 in a scanning initial period, the protruding defect 201 looks bright at this part. - 特許庁

熱処理によって、半導体基板に導入された不純物を活性化させると共に、素子形成や素子分離絶縁膜１５の形成において無欠陥層１３の表面側に形成された結晶欠陥を、ゲッタリング領域１４に捕獲させる。例文帳に追加

Impurities introduced into a semiconductor substrate are activated by heat treatment, and crystalline defects formed in a surface side of the non-defect layer 13 during formation of the element or insulating film 15 are captured in the gettering region 14. - 特許庁