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ガリウム原子の英語
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英訳・英語 gallium atom
「ガリウム原子」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 43件
基板上に予形成された窒化ガリウム（０００１）表面上に、ガリウム金属クラスタが成長阻害要因として生成されない比率以下で、窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとの供給比を１：２以上としたガリウム原子供給過多状態において窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとを供給することにより、分子線エピタキシャル法で窒化ガリウムを成長させる。例文帳に追加
Gallium nitride is grown by the molecular beam epitaxial method by supplying nitrogen atoms N and gallium atoms Ga under a gallium atom oversupply condition under which the supply ratio of nitrogen atoms N and gallium atoms Ga is set at 1:2 or above at a ratio at which gallium clusters are not formed as a factor to hinder their growth or below onto a gallium nitride (0001) surface preformed on a substrate. - 特許庁
アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。例文帳に追加
A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and group III atoms that include at least gallium atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises a diffusion-promoting material for diffusing interstitial atoms of the group III atoms as an additive. - 特許庁
好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。例文帳に追加
Preferably, the doping concentration of the additive is substantially same as the concentration of interstitial gallium atoms. - 特許庁
ケイ素原子の含有量が0.1質量ppm以下であることを特徴とする、高純度トリアルキルガリウム。例文帳に追加
The high-purity trialkylgallium has a silicon atom content of ≤0.1 mass ppm. - 特許庁
Ｇａ原子とＯ原子と昇華しやすい原子または分子を含む化合物膜（以下酸化ガリウム化合物膜と呼ぶ）を加熱し、酸化ガリウム化合物膜中から昇華しやすい原子または分子を昇華させることで、酸化ガリウムの結合エネルギーよりも低い熱エネルギーにより酸化ガリウムの単結晶を成長させる。例文帳に追加
A compound film (hereinafter referred to as "gallium oxide compound film") containing Ga atoms, O atoms, and atoms or molecules that easily sublimate, is heated to sublimate the atoms or molecules that easily sublimate from inside the gallium oxide compound film, thereby growing a single crystal of gallium oxide with a heat energy that is lower than a binding energy of gallium oxide. - 特許庁
実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ薄膜を形成する。例文帳に追加
By using a sputtering target composed of an ITO sintered compact composed substantially of indium, tin, gallium and oxygen and contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga), an ITO thin film contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga) is formed. - 特許庁
前記半導体薄膜として窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウムホウ素、窒化アルミニウムガリウム、窒化ホウ素ガリウムなどのIII族原子と窒素原子の化合物、窒化ホウ素炭素、ダイヤモンドのいずれを用いる。例文帳に追加
Any of a compound of a group III atom and a nitrogen atom such as aluminum nitride, boron nitride, aluminum boron nitride, aluminum gallium nitride and boron gallium nitride, boron carbon nitride and diamond is used for the semiconductor thin film. - 特許庁
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「ガリウム原子」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 43件
酸化物焼結体は、主としてガリウム、インジウム、および酸素からなり、前記ガリウムを全金属元素に対して６５原子％を超えて１００原子％未満含有し、その密度は５．０ｇ／ｃｍ^3以上である。例文帳に追加
The oxide sintered compact essentially comprises gallium, indium and oxygen, contains more than 65 atom% but less than 100 atom% gallium based on the total amount of metal elements and has density of ≥5.0 g/cm^3. - 特許庁
原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板、及び原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a gallium oxide single crystal substrate having a principal plane flattened in atomic level, and to provide a method for producing the same. - 特許庁
アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。例文帳に追加
A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and one or more group-III atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises lithium, copper, silver, or gold as an additive. - 特許庁
ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。例文帳に追加
The thin film transistor uses an oxide thin film in which gallium is dissolved in indium oxide as a solid solution; the atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.001 to 0.12; the content of indium and gallium to the whole metal atom is ≥80 atom%; and the oxide thin film has a bixbyite structure of In_2O_3. - 特許庁
ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．０５〜０．０８であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。例文帳に追加
An oxide sintered body is characterized in that gallium is solid-solved in indium oxide, the atomic ratio of Ga/(Ga+In) is 0.05-0.08, the content ratio of indium and gallium to the total metal atoms is ≥80 atom%, and the oxide sintered body has an In_2O_3 bixbyite structure. - 特許庁
主としてガリウムおよびインジウムおよび酸素からなる酸化物焼結体、あるいは、主としてガリウムおよび酸素からなる酸化物焼結体であり、ガリウムが全金属原子に対して３５原子％〜１００原子％の割合で含まれ、金属相が含まれず、密度が３．４ｇ／ｃｍ^3以上５．５ｇ／ｃｍ^3以下である酸化物焼結体とする。例文帳に追加
The oxide sintered compact is an oxide sintered compact mainly consisting of gallium, indium, and oxygen or an oxide sintered compact mainly consisting of gallium and oxygen, wherein the compact contains gallium in a proportion of 35 to 100 atom% based on the total metal atoms, contains no metallic phase, and has a density of 3.4 to 5.5 g/cm^3. - 特許庁
これによりケイ素原子の含有量が0.1質量ppm以下であることを特徴とする、高純度トリアルキルガリウムが得られる。例文帳に追加
This yields the high-purity trialkylgallium having a silicon atom content of ≤0.1 mass ppm. - 特許庁
本発明の課題は、ケイ素原子の含有量が0.1質量ppm以下であることを特徴とする、高純度トリアルキルガリウムによって解決される。例文帳に追加
There is provided the highly pure trialkyl gallium characterized in that the content of silicon atoms is ≤0.1 mass ppm. - 特許庁
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