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ゲート残りの英語
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英訳・英語 remaining gate
「ゲート残り」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 81件
ゲート電極を分離する際のポリシリコン残りを無くす。例文帳に追加
To eliminate residue of polysilicon when isolating an gate electrode. - 特許庁
ホーンゲートを持つ金型で射出成形を行う際に、ゲート跡残り量を小さくして、後加工としてのゲートカットを不要とする。例文帳に追加
To make a gate cutting as a post-working unnecessary by a method wherein the residual amount of a gate mark is made small in an injection molding with the mold with the horn gate. - 特許庁
ランナー部の切断時にゲート残り量のバラツキを抑制する。例文帳に追加
To restrain dispersion of a gate residual amount in cutting a runner part. - 特許庁
本発明は、ゲート残りやリードフレームへの密着残りを低減すること課題とする。例文帳に追加
To reduce gate remnant and residue adherent to a lead frame. - 特許庁
浮遊ゲート電極5を先に形成するので、エッチング残りを防止でき、しかも、制御ゲート電極9の加工時のアスペクト比を低減できる。例文帳に追加
Since the floating gate electrode 5 is formed earlier, an etching residue can be prevented and an aspect ratio in processing the control gate electrode 9 can be reduced. - 特許庁
次に残りの窒化膜を全面除去して薄いゲート酸化膜を形成することにより、異なった膜厚のゲート酸化膜を得る。例文帳に追加
Then, the remaining nitride film is eliminated on the entire surface and a thin gate oxide film is formed, thus obtaining the gate oxide film with a different film thickness. - 特許庁
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「ゲート残り」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 81件
絶縁層141は、MOSゲート領域上に残り、後続の製造工程の間MOSゲート領域を密閉及び保護する。例文帳に追加
The insulating layer 141 remains on the MOS gate area to shield and protect the MOS gate area during the subsequent manufacturing processes. - 特許庁
ゲート配線形成時において燐を拡散した多結晶シリコンのエッチング残りを抑制する。例文帳に追加
To prevent the etching residue of polycrystalline silicon in which phosphor is diffused when gate wiring is formed. - 特許庁
残りの通風間隙13に、コルゲートフィン15を配置して両側の冷媒流通管12にろう付する。例文帳に追加
A corrugate fin 15 is arranged in the residual ventilation clearance 13, and is brazed to the refrigerant flow pipes 12 on both sides. - 特許庁
ゲート電極パターニング時に非対称トランジスタを形成するための不純物導入用のゲート開口部を微細に形成する際に、ゲート開口部にレジスト残りが生じるのを回避する。例文帳に追加
To finely form a gate opening for introducing impurities for forming unsymmetrical transistors at the time of patterning a gate electrode by preventing the generation of a residual resist in the gate opening. - 特許庁
リプレースメントゲート構造と通常のトランジスタのゲート構造とを備えた半導体装置において、リプレースメントゲート構造形成時の電極除去残りによる配線短絡を防止する。例文帳に追加
To prevent a short circuit of wiring due to electrode elimination residue when a replacement gate structure is formed, in a semiconductor device provided with the replacement gate structure and a gate structure of an ordinary transistor. - 特許庁
軟質性素材による二次射出成形においては、二次射出ゲートの細径部においてゲートが切断され、殆どゲート残りが発生しない状態で成形される。例文帳に追加
In the secondary injection molding due to the soft material, a gate is cut at the fine diameter part of a secondary injection gate and the cap member is molded in a state of generating little gate residue. - 特許庁
樹脂成形品のゲート部を成形品毎に一定の位置で切断することが可能となって、ゲート残り部を有効利用することができるゲート処理成形品を得ることにある。例文帳に追加
To obtain a gate-treated molding which can effectively use a gate residual part by making the gate part of every resin molding be cut at a given position. - 特許庁
ガラスフィラーを含む樹脂で形成された樹脂成形体101のゲート残り103を半球状の凹部4を有するツール7で加熱押圧して熔融させることで、ゲート残り103周辺の熔融樹脂がゲート残り103に覆い被さるように表皮6aとして固化し、熔着ゲート6からガラスフィラーが表面に露出しないようにする。例文帳に追加
The gate residue 103 of the resin molded article 101 formed by the resin containing the glass filler is heated, pressed, and melted by a tool 7 having a hemispherical recess 4, so that the molten resin around the gate residue 103 is solidified as a skin 6a covering the gate residue 103 to prevent the glass filler from being exposed to a surface from a welding gate 6. - 特許庁
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