ゲート決定素子の英語

ＦＥＤでは、ゲート・カソード電極間の電位差Ｖｇｃによってカソード素子からの電子の放出量、すなわち輝度が決定される。例文帳に追加

In an FED (field emission display), the amount of electron emission from a cathode element, or the brightness, is determined by the voltage difference Vgc between a gate and a cathode electrode. - 特許庁

電圧印加部２１は、制御部２２に制御され、制御部２２で決定された大きさのゲート電圧Ｖｇｓをスイッチ素子１０に印加する。例文帳に追加

The voltage application section 21 is controlled by the control section 22 to apply the gate voltage Vgs of the magnitude determined by the control section 22 to the switch element 10. - 特許庁

半導体集積回路にはＭＯＳトランジスタが形成される素子活性領域のゲート長方向の寸法を考慮してＭＯＳトランジスタのレイアウト構造が決定されている。例文帳に追加

The layout structure of the MOS transistor is decided in the semiconductor integrated circuit by considering a size in a gate lengthwise direction of an element active region where the MOS transistor is formed. - 特許庁

次に、２つ以上の経路で共有されないゲートやネットのみを含む、遅延素子集合の集合の部分集合である独立LL集合を決定する。例文帳に追加

Next, an independent LL set which is a subset having sets of delay element sets which include only gate and network not being shared by two or more paths is determined. - 特許庁

また、マスクレイアウトデータから特定のグループのゲート電極と素子領域との重なり部分を抽出し、その重なり部分を拡張してチャネル層に不純物を注入するときのマスクの形状を決定し、そのデータをマスクレイアウトデータに追加する。例文帳に追加

Further, an overlapped portion between a gate electrode and an element area in a specific group is extracted from the mask layout data, the overlapped portion is expanded to determine a mask shape for injecting the impurity into the channel layer, and the determined data are added to the mask layout data. - 特許庁

ＦＥＴ１３をＯＮ状態とする場合、入力信号ＶＩＮに応じて抵抗素子５に定電流源２による定電流Ｉ２を供給し、出力側ミラー対１９によりＦＥＴ１３のゲートを介して流れる電流を決定する。例文帳に追加

When an FET 13 is put in an ON state, constant currents I2 are supplied from a constant current source 2 to a resistance element 5 according to an input signal VIN, and currents running through the gate of an FET 13 are determined by an output side mirror pair 19. - 特許庁

容量素子Ｃと複数のスイッチ素子は、駆動回路１１がＯＬＥＤへ電流を供給する時に、Ｄ−ＴＦＴのゲート端子とソース端子との電圧差を、駆動用トランジスタの電流設定期間におけるドレイン端子の電圧とデータ線から供給される制御電圧とから決定される電圧と、駆動用トランジスタのしきい値電圧とを加えた電圧とする。例文帳に追加

The capacitor element C and the switching elements operate so that, when a current is supplied from the drive circuit 11 to the OLED, a voltage difference between the gate terminal and the source terminal of the D-TFT is a sum of the threshold voltage of the driving transistor and a voltage determined from the voltage of the drain terminal of the driving transistor and the control voltage during a current setting period. - 特許庁

２次側巻線を励磁するスイッチング素子のゲート端子に入力するパルス信号の発振タイミングを、第１〜３のフリップフロップ１０３，１１６，１０２と、第１，２のカウンタ回路１０４，１０５および論理素子群１１８からなる両端電圧可変回路１１７によって決定する機能を備えて構成した。例文帳に追加

The non-contact power supply device has a function that determines the oscillation timing of a pulse signal input to a gate terminal of the switching element that excites the secondary-side winding by using first to third flip-flops 103, 116 and 102, first and second counter circuits 104, 105, and a both-end voltage variable circuit 117 composed of a logic element group 118. - 特許庁