ドーズ法の英語

基板上でのドーズ量を制御するシステム及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a system and method for controlling dose on a substrate. - 特許庁

荷電粒子ビーム描画装置におけるドーズ補正描画方法及び装置例文帳に追加

DOSE CORRECTION DRAWING METHOD AND DEVICE IN CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY APPARATUS - 特許庁

イオン電流に関連した発光分光法／残留ガス分析装置を使用するドーズ計測例文帳に追加

DOSIMETRY USING OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY/RESIDUAL GAS ANALYZER IN CONJUNCTION WITH ION CURRENT - 特許庁

マスクレスリソグラフィシステム及びマスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法例文帳に追加

MASK LESS LITHOGRAPHY SYSTEM AND DOSE CONTROLLING METHOD IN MASK LESS LITHOGRAPHY - 特許庁

アパーチャープレートの孔部がイオンビームによりエッチングされてその開孔面積が大きくなっても、ドーズ量を正確に求めることができるイオン注入におけるドーズ均一性検査装置およびドーズ均一性検査方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a device and a method for inspecting dose uniformity in ion implantation, accurately obtaining the dose even if a hole of an aperture plate is etched by ion beams to enlarge its aperture area. - 特許庁

本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。例文帳に追加

In this method for controlling the dose amount, by measuring a contact angle to water of crystalline Si, the dose amount of ions implanted to a monitor substrate is estimated, so that the dose amount of ions implanted by the ion implantation device can be controlled using the quick and simple method. - 特許庁

本発明は、描画することのできる描画パターンの制限がなく、最低ドーズ停滞時間にて描画を行なったとしてもドーズ量の増大を防止し、３次元構造の回折格子などに必要とされる低ドーズ領域を良好に形成することができる電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for electron-beam lithography by which the increase of a dose is prevented even if when plotting is carried out in the minimum dose stationary time and a low dose region required for a grating, etc., with a three-dimensional structure is satisfactorily formed without the restrictions of plotting patterns to be plotted, and to provide a base material plotted by the same and electron beam lithographic equipment. - 特許庁

基板とイオン注入用ビーム間の相対的な移動を制御して均一のドーズに維持するイオン注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for implanting ions capable of maintaining dose uniformity by controlling relative movement between a substrate and a beam for ion implantation. - 特許庁