「ドーズ法」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

イオンドーピング装置及びそれに用いるドーズ量の管理方法例文帳に追加

ION DOPING EQUIPMENT AND CONTROL METHOD OF DOSING AMOUNT TO BE USED FOR SAME - 特許庁

高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法及びレジスト除去装置例文帳に追加

RESIST REMOVING METHOD AND RESIST REMOVING DEVICE OF HIGH DOSE IMPLANTATION PROCESS - 特許庁

基板上でのドーズ量を制御するシステム及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a system and method for controlling dose on a substrate. - 特許庁

荷電粒子ビーム描画装置におけるドーズ補正描画方法及び装置例文帳に追加

DOSE CORRECTION DRAWING METHOD AND DEVICE IN CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY APPARATUS - 特許庁

イオン電流に関連した発光分光法／残留ガス分析装置を使用するドーズ計測例文帳に追加

DOSIMETRY USING OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY/RESIDUAL GAS ANALYZER IN CONJUNCTION WITH ION CURRENT - 特許庁

マスクレスリソグラフィシステム及びマスクレスリソグラフィにおけるドーズ制御方法例文帳に追加

MASK LESS LITHOGRAPHY SYSTEM AND DOSE CONTROLLING METHOD IN MASK LESS LITHOGRAPHY - 特許庁

アパーチャープレートの孔部がイオンビームによりエッチングされてその開孔面積が大きくなっても、ドーズ量を正確に求めることができるイオン注入におけるドーズ均一性検査装置およびドーズ均一性検査方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a device and a method for inspecting dose uniformity in ion implantation, accurately obtaining the dose even if a hole of an aperture plate is etched by ion beams to enlarge its aperture area. - 特許庁

本発明の実施形態に係るドーズ量管理方法においては、結晶性のＳｉの水に対する接触角を測定することにより、モニタ基板に注入されたイオンのドーズ量を推定するため、迅速かつ簡易的な測定方法を用いて、イオン注入装置によって注入されたイオンのドーズ量を管理することができる。例文帳に追加

In this method for controlling the dose amount, by measuring a contact angle to water of crystalline Si, the dose amount of ions implanted to a monitor substrate is estimated, so that the dose amount of ions implanted by the ion implantation device can be controlled using the quick and simple method. - 特許庁

本発明は、描画することのできる描画パターンの制限がなく、最低ドーズ停滞時間にて描画を行なったとしてもドーズ量の増大を防止し、３次元構造の回折格子などに必要とされる低ドーズ領域を良好に形成することができる電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for electron-beam lithography by which the increase of a dose is prevented even if when plotting is carried out in the minimum dose stationary time and a low dose region required for a grating, etc., with a three-dimensional structure is satisfactorily formed without the restrictions of plotting patterns to be plotted, and to provide a base material plotted by the same and electron beam lithographic equipment. - 特許庁

基板とイオン注入用ビーム間の相対的な移動を制御して均一のドーズに維持するイオン注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for implanting ions capable of maintaining dose uniformity by controlling relative movement between a substrate and a beam for ion implantation. - 特許庁

好適には、前記被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンは、電子ビーム露光法を用い、ドーズ量を変化させることによって形成される。例文帳に追加

The stripe mask patterns 104 with different coating widths are formed suitably by changing a dose in an electron beam exposure method. - 特許庁

本発明は、一般に、プラズマプロセス中にイオンドーズ量を監視する方法及び装置を提供する。例文帳に追加

This invention generally provides methods and the apparatus to monitor an ion dose during the plasma processing. - 特許庁

本発明は、一般に、プラズマ処理中に実時間にてイオンドーズを制御する方法及び装置を提供する。例文帳に追加

In general, a method and equipment control ion dose in real time during plasma process. - 特許庁

基板の面内に様々なドーズ量分布を形成することができるイオン注入方法等を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting method or the like in which various dosage distributions in a face of a substrate are formed. - 特許庁

高ドーズイオンが注入されたレジストを良好に除去することができる除去工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production process of a semiconductor device including a process for removing resist into which high dose ions are implanted. - 特許庁

水素のドーズ量の低減化および剥離熱処理温度の高温化が図れる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a laminated substrate capable of reducing the dosage of hydrogen and raising an exfoliation heat treatment temperature. - 特許庁

デバイスパターン小領域を形成する際には、隣接サブフィールドからのドーズのしみ出し量が最大と仮定して寸法補正を行う。例文帳に追加

When the device pattern small region is formed, a size is corrected by assuming that the amount of the exudation of the dose from the adjacent subfield is maximum. - 特許庁

近接効果による最適ドーズ量の変動を適切に補正して、線幅制御性を向上させた露光方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electron projection lithography method which appropriately corrects variations in the optimum dose caused by the proximity effect and has improved line width control. - 特許庁

この発明は、素子特性が均一であり、高ドーズが効果的に実現される半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device having uniform element characteristics in which high dose is realized effectively. - 特許庁

迅速かつ簡易的な測定方法によりイオン注入装置によって注入されるイオンのドーズ量を推定すること。例文帳に追加

To estimate a dose amount of ions implanted by an ion implantation device with a quick and simple measuring method. - 特許庁

ビーム照射効率を向上させるとともにドーズ量の面内均一性を維持できるイオンビームスキャン処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion beam scan processing method with which beam radiation efficiency is improved and in-plane uniformity of dosage can be maintained. - 特許庁

フォーカス異常とドーズ量異常を区別して検出することが可能な表面検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface inspection method capable of detecting a focus abnormality distinctively from a dose amount abnormality. - 特許庁

多重描画を省略したパターンについては、電子線のドーズ量を多くすることなどの方法によって描画の調整をする。例文帳に追加

With respect to a pattern for which multiple plotting is omitted, the plotting is adjusted by increasing the dose quantity of an electron beam, or the like. - 特許庁

少ないドーズ量でＥＵＶ光の反射率を低下させたパターンを形成できるパターン形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a pattern forming method for forming a pattern which decreases reflectivity of EUV light with a less dose amount. - 特許庁

半導体基板のプラズマ処理中に１つ以上の種のドーズ量を監視するための方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide an appartus and methods to monitor the dose of one or more kinds during plasma processing of semiconductor substrates. - 特許庁

ウェハー上のパターンに応じて照射量（ドーズ量）を調整することができる近接効果補正方法を提供する。例文帳に追加

To provide a proximity effect correcting method wherein, responding to the pattern to be formed on a wafer, its exposure amount (does) can be adjusted. - 特許庁

埋め込み酸化膜の信頼性が高く、生産性の高い、低ドーズＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a low-dosed SIMOX wafer which is provided with a buried oxide film of high reliability and superior in productivity. - 特許庁

半導体素子の評価方法、当該半導体素子の作製方法、当該半導体素子を有するデバイスの設計管理システム、当該半導体素子へのドーズ量制御プログラム、当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、及びドーズ量制御装置例文帳に追加

METHODS FOR ESTIMATING AND MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, DESIGN MANAGEMENT SYSTEM OF DEVICE HAVING THE SAME,CONTROL PROGRAM FOR DOSE TO THE SAME, COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM HAVING RECORDED PROGRAM, AND DOSE CONTROL DEVICE - 特許庁

実施形態に係る評価方法は、互いに積層された複数の膜からなる試料について、水素共鳴核反応で発生するガンマ線の強度のイオンドーズに対する依存性のデータを取得するステップと、上記イオンドーズの関数式で上記データをフィッティングするステップと、を含む。例文帳に追加

This evaluation method includes a step for acquiring data of dependency to ion dose having the intensity of gamma rays generated by a hydrogen resonance nuclear reaction, relative to a sample comprising a plurality of membranes laminated mutually, and a step for fitting the data by a function expression of the ion dose. - 特許庁

半導体ウェーハ等の被ドーピング材に対してドーパントを規定のドーズ量より過剰にドーピングしてしまった場合に、そのドーズ量を低減することができるプラズマドーピングにおけるドーピング量削減方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma doping volume reducing method which is capable of reducing a doped work, such as a semiconductor wafer or the like in a doping volume, when the semiconductor wafer has been excessively doped with a dopant, whose dose is more than the specified volume. - 特許庁

本検査方法においては、まず、設定したドーズ量で酸化膜に砒素を注入し、この酸化膜を回収しＩＣＰ−ＭＳにより分析して実際に打ち込まれた砒素の量（注入量）を検出し、ドーズ量と注入量との関係を求める。例文帳に追加

In the inspection method, arsenic is implanted to an oxide film in a set dosage first, the oxide film is recovered and analyzed by an ICP-MS, the quantity (the quantity of an implantation) of actually driven arsenic is detected, and a relationship is obtained between the dosage and the quantity of the implantation. - 特許庁

半導体基板にチャネル領域、ソース領域６、ボディコンタクト領域７、オフセット領域およびドレイン領域９を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域７形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域６およびドレイン領域９形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。例文帳に追加

In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9. - 特許庁

一つの基板の面内に互いにドーズ量の異なる複数の注入領域を形成するものであって、過注入領域を発生させずに済み、かつビーム電流の減少を防止しつつドーズ量の遷移領域の幅を小さくすることができ、しかも制御が簡単であるイオン注入方法等を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation method or the like, by which a plurality of implantation regions having different level of dose each other on the surface of a substrate are formed without forming regions of excess level of dose, and a width of a transient region of dose can be narrowed while preventing the decrease in the beam current, and additionally, the control operation is simple. - 特許庁

ＴＥＧを用いた評価方法、該ＴＥＧを有する半導体装置の作製方法、該ＴＥＧを有する素子基板並びにパネル、及びドーズ量制御プログラム又は当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体例文帳に追加

EVALUATION METHOD USING TEG, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TEG, DEVICE SUBSTRATE HAVING TEG AND PANEL, AND DOSE CONTROL PROGRAM OR COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM STORED WITH PROGRAM - 特許庁

ビーム偏向部における実ビーム電流の減少を解析し、結果からドーズ制御方法を採用したイオン注入装置及びその制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanter and its control method wherein reduction of real beam current in the beam deflection part is analyzed, and a dose control method is adopted from the result. - 特許庁

本発明の一実施形態は、基板を処理する方法であって、プラズマの少なくとも１つの属性とドーズ量との間の相関を生成することを含む方法を提供する。例文帳に追加

One embodiment of this invention is a method for processing substrates, and the invention provides a method including the one for the formation of correlation between at least one attribute of plasma and a dose. - 特許庁

小さなコンタクトホールを結像する場合に、十分なプロセス寛容度（すなわち、最小寸法における所与の公差に対する、使用可能焦点深度および許容露光ドーズの変化の組合せ）を備えた露光方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an exposure method having sufficient process latitude (that is, a combination of usable depth of focus and allowable variance of exposure dose for a given tolerance in the minimum dimension) for imaging of small contact holes. - 特許庁

ウエハの異なる領域に異なるドーズで不純物イオンが注入されるようにする不均一イオン注入装置及び不均一イオン注入方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inhomogenous ion injection device and an inhomogenous ion injection method in which dopant ions are injected with different doses into different regions of a wafer. - 特許庁

イオン注入装置及びイオン注入方法において、マスキング等を行うことなしに、１回のイオン注入プロセスで１枚のウェハ上に複数種類のドーズ量領域を形成することができるようにする。例文帳に追加

To form a dose region of a plurality of species on one wafer in a one time ion implantation process without masking, etc., in an ion implanter and an ion implanting method. - 特許庁

真空度を悪化させないようにイオン注入することで、イオン注入処理中断や誤差の伴うドーズ量補正をすることのないイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting device wherein dose correction attended by interruption of an ion implanting process and errors is not required since ions are injected so as not to deteriorate degree of vacuum. - 特許庁

酸素イオンを注入する工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、前記酸素イオン注入工程の前後いずれかで、水素イオンを、10^15〜10^17／cm^２のドーズ量で注入する工程を有する。例文帳に追加

The method for manufacturing the SIMOX wafer having a process of oxygen ion implantation has a process in which hydrogen ions are implanted by doses of 10^15-10^17/cm^2 either before or after the oxygen ion implantation process. - 特許庁

窒素やフッ素のドーズ量を増やしたとしても、トランジスタのしきい値電圧のばらつき増大を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which an increase in variance in threshold voltage of a transistor can be suppressed even when nitrogen and fluorine are increased in dosage. - 特許庁

呼気中^１４ＣＯ_２を測定することによって、マイクロドーズ臨床試験等における有用な薬物動態特性が得られるような方法及びシステム等を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a system capable of determining pharmacokinetic characteristics useful for micro dose clinical tests, etc., by measuring ^14CO_2 at exhalation. - 特許庁

多種多様な基板に対して適切なドーズ量で、しかも均一に電子ビームを照射して短時間で良好な基板処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide substrate processing device and substrate processing method capable of performing favorable substrate processing in a short time period by radiating electron beams uniformly and in an appropriate dose to various substrates. - 特許庁

高ドーズのイオン注入が行われた基板であっても、その基板の表面に形成されているレジストを速やかに除去することができるレジスト除去方法およびレジスト除去装置を提供する。例文帳に追加

To provide a resist removing method and a resist removing apparatus capable of promptly removing a resist formed on the surface of a substrate, even if high-dose ion implantation has been performed on the substrate. - 特許庁