「ドーズ法」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

セル電流の低下を防止することができると共に、拡散層間のリークを低減する素子分離イオン注入のドーズ量を十分高く確保することができるフラットセル型メモリ半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a flat cell-type memory semiconductor device which is capable of preventing a cell current from deteriorating and enhancing implanted element isolation ions in dose so as to reduce a leakage current between diffusion layers enough. - 特許庁

レチクルのメンブレン上へのコンタミ付着による感応基板（ウェハ）へのドーズの変動を補正する電子線露光方法及び露光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for electron beam exposure for correcting variations in dose to a responsive substrate (a wafer) caused by an adhesion of contamination on a membrane by a reticle. - 特許庁

シリコン表面とシリコン化合物層とが露出した被処理体に対して、選択的にシリコンを高い窒化レートと高い窒素ドーズ量でプラズマ窒化処理する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for selectively performing plasma nitriding of silicon at a high nitriding rate with a high nitrogen dosage, for a workpiece having an exposed silicon surface and an exposed silicon compound layer. - 特許庁

本発明の目的は、荷電粒子線の走査に基づいて検出される信号を合成する際に、低ノイズ化と低ドーズ化の両立を実現するための合成信号形成方法、及び装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for forming a synthesized signal which achieves both of reduced noise and reduced dose in synthesizing signals detected based on scanning of charged particle beams, and to provide a device employing such a method. - 特許庁

高いエネルギー及びわずかなドーズ量を用いた注入ステップを追加することによって、ソース及び／又はドレインと基板との間のｐｎ接合部容量が減少した電界効果トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

An injection step using high energy and a small amount of dose is added, thus providing the method for manufacturing the field effect transistor, where the capacity at a p-n junction part between a source and/or the drain and the substrate is reduced. - 特許庁

エクストラドーズド橋などにおけるサドルの出口部で確実にグラウトの漏れを止めることができ、かつ施工性に優れる止水構造と止水方法とを提供する。例文帳に追加

To provide a water seal construction and a method for stopping water capable of definitely stopping the leakage of grout at the outlet portion of a saddle in an extra-doused bridge or the like and of offering excellent workability. - 特許庁

各サブフィールド露光時のドーズ量を一定にし、ＣＤ誤差の発生を低減できる荷電ビーム露光方法及び荷電ビーム露光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and device for exposing charged beams, which reduces generation of CD errors by maintaining the amount of dose at a constant level in exposing each subfield. - 特許庁

低エネルギー条件、かつ低ドーズ条件で、高品質の活性層及び埋め込み酸化膜（ＢＯＸ）を備えたＳＩＭＯＸ基板及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method by which a SIMOX substrate, having a high- quality active layer and an embedded oxide film (BOX), can be manufactured under low-energy, low-dose conditions. - 特許庁

水素注入ドーズおよび／またはアニーリング温度および時間を低減させることによって、費用を削減し、かつ、膜の性質を向上させることができる緩和Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ（０＜ｘ＜１）層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a relaxation Si_1-XGe_X (0<x<1) layer, capable of reducing a cost and improving the properties of a film by reducing the hydrogen injection dose and/or the annealing temperature and the time. - 特許庁

後方散乱による近接効果の影響を考慮しブレーズのピッチ幅に応じてドーズ量で描画することによりブレーズ形状の安定化が可能な電子ビーム描画方法、光学素子用金型の製造方法、光学素子の製造方法及び電子ビーム描画装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an electron beam drawing method, a manufacturing method for a metal mold for an optical element, a manufacturing method for the optical element, and an electron beam drawing device that can stabilize a blaze shape by carrying out drawing with a dosage according to the pitch width of blazes while taking into consideration influence of proximity effect by back scattering. - 特許庁

本発明は、ビーム径の僅かな違いが生じることを防止して、焦点深度内におけるドーズ条件等の細かい変更を要しない電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electron beam lithographic method, a blank with a pattern drawn thereon by the method and an electron beam lithography device which prevents the beam diameter from slightly varying to eliminate the need for minute change about the dose conditions, etc., within the depth of focus. - 特許庁

しきい値電圧調節のためのイオン注入後、スパイクアニーリングによって残留ドーズを調節することにより、しきい値電圧調節のためのドーピング形状を安定化することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a flash memory device that can be stabilized in a doping shape for threshold voltage adjustment by adjusting a residual dose by a spike annealing after ion implantation for the threshold voltage adjustment. - 特許庁

酸素イオン注入の前後いずれかで、所定ドーズ量の水素イオンを注入することにより、低温短時間でアニール処理したとしても、SOI表面等のラフネスを同等以上に改善できるSIMOXウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a SIMOX wafer by which roughness of the SOI surface or the like stays equal or is improved even when annealing treatment is performed at low temperature in a short time, by implanting predetermined doses of hydrogen ions either before or after oxygen ion implantation. - 特許庁

第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量は、同様に、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに充分に至らない量の、または、別法として、ウェハ上で不足状態の飽和堆積をもたらすのに充分であってもよい。例文帳に追加

The second chemically reactive precursor dose amount may likewise be insufficient to result in a maximum saturated ALD deposition rate on the wafer or, alternatively, sufficient to result in a starved saturating deposition on the wafer. - 特許庁

基板のステップ回転を用いることなく、基板の面内に、円形状注入領域と、それを囲んでいて当該円形状注入領域とはドーズ量の異なる外周部注入領域とを形成することができるイオン注入方法等を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation method or the like that can form a circular implantation region and an outer peripheral implantation region surrounding it and having a different dose amount from it inside a surface of a substrate without using step rotation of the substrate. - 特許庁

原版上のパターン配列と被転写基板上のパターン配列が異なる場合にも、被転写基板上小領域内のドーズ量を一様にして近接効果を補正し、パターン線幅制御を行うことのできる露光方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a method of exposing which can control a pattern line width by correcting a proximity effect by making a dose in a small region on a substrate to be transferred uniform even when a pattern array on a master and a pattern array on the substrate to be transferred are different. - 特許庁

ＩＥＥＥ８０２．１１標準に違反しないで音声通話を実行する無線音声端末が音声通話中にアクティブ/ドーズモードを効率的に繰り返して、無線音声端末の使用電力を減少させて通話可能時間を増加させるＷＬＡＮ音声通話の省電力方法及びその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for saving power of WLAN voice speech in which power being used by a wireless voice terminal executing voice speech without violating IEEE802.11 standard is reduced by repeating active/dose mode efficiently during voice speech and telephone conversation time is prolonged. - 特許庁

リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法において、当該リソグラフィ装置の投影システム内の、予測されるエレメントの発熱に起因するＣＤのばらつきを補償するために、単一フィールド内でかつ／又は異なるフィールド間でドーズを補正する。例文帳に追加

In a device manufacturing method using a lithographic apparatus, corrections to the dose are applied, within and/or between fields, to compensate for CD variations due to heating of elements of the projection system of the lithographic apparatus. - 特許庁

窒素イオンを３×１０１３ｃｍ−２以下のドーズ量で半導体基板にイオン注入し、窒素イオンが打ち込まれた半導体基板を４１０℃以上５００℃以下のいずれかの温度でアニール処理してｎ型不純物領域を形成する不純物拡散方法とする。例文帳に追加

This method for diffusing impurities comprises forming an n-type impurity region by ion-implanting nitrogen ions into a semiconductor substrate in a dose amount of 3×1013 cm^-2 or less and by subjecting the nitrogen ions implanted semiconductor substrate to an annealing treatment at a temperature of from 410°C or more to 500°C or less. - 特許庁

印刷されたクリティカルディメンジョンを露光ドーズ量設定値および焦点設定値の関数として測定するために、リソグラフィ投影装置を使用して試験基板に一連の試験パターン２００を印刷する方法が提供される。例文帳に追加

A method is provided, which prints a series of test patterns 200 on a test substrate using a lithography projection apparatus in order to measure a critical dimension printed as a function of a preset value of the amount of exposure dose and a preset value of focal length. - 特許庁

本発明のパターン形成方法は、段差を備えた基板上に形成されたレジスト膜に荷電粒子線を照射する第１のステップと、前記レジスト膜に前記第１のステップよりも高いドーズ量で荷電粒子線を照射する第２のステップと、を相前後して行うことを特徴とする。例文帳に追加

The method for forming a pattern comprises consecutively carrying out a first step of irradiating a resist film formed on a substrate having a level difference with a charged particle beam and a second step of irradiating the resist film with a charged particle beam at a higher dose than the first step. - 特許庁

本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。例文帳に追加

A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured. - 特許庁

半導体ウエハの限界寸法（CD）の変動を測定するステップ、イオン注入プロセス中に２次元モードで前記半導体ウエハを移動するステップ、及び、前記半導体ウエハへの注入ドーズ量は前記CDの変動に基づいて変化されるように前記半導体ウエハの移動速度を制御するステップを含むイオン注入均一のための方法。例文帳に追加

The method for uniformizing the ion implantation process includes a step of measuring the critical dimension (CD) variation in the semiconductor wafer, a step of moving the semiconductor wafer to the ion implantation process in a secondary mode, and a step of controlling the moving speed of the semiconductor wafer so that an implantation dose quantity to the semiconductor wafer is changed on the basis of the variation of the CD. - 特許庁

活性層用ウェーハと支持層用ウェーハを貼り合わせたのち、活性層用ウェーハを薄膜化することからなる貼り合わせウェーハの製造方法において、 活性層用ウェーハに酸素イオンを注入するに際し、該活性層用ウェーハの温度を200℃以下に保持した状態で、ドーズ量：５×10^15〜５×10^16atoms/cm^2の条件で酸素イオンを注入する。例文帳に追加

In the method including thinning of an active layer wafer after laminating the active layer wafer and a supporting layer wafer, when oxygen ion is implanted to the active layer wafer, oxygen ion is implanted with a dose amount of 5×10^15 to 5×10^16 atoms/cm^2 while the temperature of the active layer wafer is maintained at 200°C or lower. - 特許庁

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、チャネル形成部へ閾値調整のためのイオン注入をＳＯＩ層/埋め込み絶縁膜との界面に、加速エネルギーを変えてドーズ量を分割して複数回行うことを特徴とする例文帳に追加

In a channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor, ion implantation for threshold control for the channel forming portion is executed for an interface between an SOI layer and a buried insulation film at plurality of times while changing acceleration energy and dividing a dose quantity. - 特許庁

すなわち、ゲート寸法のモデル式にしたがいゲート電極の下地構造形成時のウエハ処理方向を制御（または素子分離等の下地構造を考慮して露光装置においてレジスト転写形成時にショット毎にドーズ量を制御）することで、エッチング加工後のゲート長をウエハ面内で均一化する。例文帳に追加

Gate length after etching is made uniform in the wafer plane by controlling the wafer processing direction when the underlying structure of the gate electrode is formed according to a model expression of gate dimensions (or controlling dose for every shot at the time of resist transfer formation in an exposure device while taking account of the underlying structure of isolation). - 特許庁