プラズマ脱離の英語

（ｂ）プラズマ発生時には、反応ガスイオン９４を凹部２０の側壁に衝突させて、揮発性化合物を雰囲気中に離脱させることができる。例文帳に追加

(b) When the plasma is generated, reaction gas ions 94 are collided to the sidewall of the recess 20 and a volatile compound can be released into an atmosphere. - 特許庁

プラズマ発生より、未反応の吸着ガスの脱離を促進させて、パージガスの導入時間及び排気時間の短縮を図る。例文帳に追加

By the generation of the plasma, the desorption of unreacted adsorption gas is promoted, and the reduction of the introduction of purge gas and the reduction of exhaust time are attained. - 特許庁

試料の脱離時には、先ず静電チャック４をアースと接続し、試料上方に除電用のプラズマを発生させる。例文帳に追加

When the sample is released, the electrostatic chuck 4 is first connected to the earth to generate a cleaning (discharging) plasma on the upper side of the sample. - 特許庁

プラズマによって機能性部材から脱離された被処理成分を電力を供給することなく所定の方向に移動させる。例文帳に追加

To move a component to be treated, which is released from a functional member by plasma, in a prescribed direction without supplying electric power. - 特許庁

小型で、試料の離脱を速やかに行うことのできる試料台を備えたプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus comprising a small sample stage which can quickly mount and dismount a sample thereon and therefrom. - 特許庁

プラズマディスプレイパネル作製の保護層の吸着ガスを効果的に脱離する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a degassing method for plasma display panel manufacturing method using the same, which is capable of effectively degassing absorbed gas in a protective layer of a plasma display panel. - 特許庁

これによって、プラズマＳｉＮ膜２２の成膜時に装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを７００Ｗから９００Ｗさらにそれ以上に上げるほど、後のシンター処理時にプラズマＳｉＮ膜２２から低温で離脱する水素量が多くなってシンター処理が確実に行われる。例文帳に追加

As a result, higher the RF power representing plasma generation energy set to the device side is raised, from 700 W to 900 W or higher, when forming the plasma SiN film 22, the larger the amount of hydrogen leaving from the plasma SiN film 22 will be, at a low temperature processing during later sintering treatment, thereby making the sintering treatment sure. - 特許庁

絶縁膜処理装置３４では，処理容器内を水分を含まない乾燥雰囲気に維持しながら，クリプトンガスからプラズマを生成し，当該プラズマを基板Ｗの表面に衝突させて，ＣＦ絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子を離脱させる。例文帳に追加

The insulating film processing device 34 while forming a water-free dry atmosphere in a processing container produces plasma from krypton gas and causes the plasma to collide against the surface of the substrate W to remove fluorine atoms exposed in the surface of the CF insulating film. - 特許庁