ラウンディングの英語

トレンチの上側コーナー部分を確実にラウンディング形状に形成して、隔離膜の特性を向上させ得る半導体素子の隔離領域の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method for isolation region of a semiconductor element which improves the characteristics of an isolation film by surely forming the upper corner part of a trench into a rounding shape. - 特許庁

レジストのパターニング時におけるコーナーラウンディングの発生を抑制することができ、セルサイズを縮小して高集積化を図ることができる半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To increase the degree of integration of a semiconductor storage device by suppressing the occurrence of corner rounding at resist patterning time and contracting the size of a cell, by setting specific relations between the lengths and channel lengths of driving transistors and those of word transistors. - 特許庁

Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎラウンディングの影響を防ぐためにトランジスタの特性変動量を定量的に考慮した最適な設計基準に基づく設計の検証を可能とする方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for allowing verification of design based on the optimal design standard in quantitative consideration of a feature fluctuation amount of a transistor in order to prevent an influence of Diffusion rounding. - 特許庁

マスクパターンの補正方法に関し、従来よりも広範な線幅のパターンにおけるコーナーラウンディングを簡単な手法により抑制するとともに、括れを低減する。例文帳に追加

To reduce constriction while suppressing corner rounding of a pattern having a line width wider than before by an easy method. - 特許庁

微細化時のコーナーラウンディング現象がもたらすゲート突き出し量確保の阻害を解消しつつも、チップ面積の増大を抑えることができる半導体装置用図形パターンの補正方法および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a correction method for a figure pattern for a semiconductor device and a manufacturing method for a semiconductor device, which can suppress increase in chip area, while resolving the hindrance of securing of gate extruding amount which is brought about by a corner-rounding phenomenon at miniaturization. - 特許庁

その後、化学的機械研磨法による断面研磨の際に発生するラウンディングの影響を断面観察位置が受けることがない程度の厚さを有する透明シール材１０を、断面観察位置に対応する半導体デバイスの表面に接着する。例文帳に追加

Subsequently, a transparent sealing material 10 of such a thickness as the position for observing the cross-section is not subjected to rounding at the time of polishing the cross-section by chemical mechanical polishing is bonded to the surface of the semiconductor device corresponding to the position for observing the cross-section. - 特許庁

その後、化学的機械研磨法による断面研磨の際に発生するラウンディングの影響を断面観察位置が受けることがない程度の厚さを有する透明樹脂１０を、断面観察位置に対応する半導体デバイスの表面に塗布し、硬化する。例文帳に追加

Subsequently, a transparent resin 10 of such a thickness as the position for observing the cross-section is not subjected to rounding at the time of polishing the cross-section by chemical mechanical polishing is applied on the surface of the semiconductor device corresponding to the position for observing the cross-section and the resin is cured eventually. - 特許庁

本発明は半導体素子及びその製造方法に関し、特にゲート電極でサラウンディングチャンネル構造を取り囲むよう素子を設計することにより、電流駆動能力とショートチャンネル效果の改善によってトランジスタの制御能力を向上させ、高速の低電圧半導体素子を形成することができる技術である。例文帳に追加

A semiconductor device includes a device isolated structure which is formed on a semiconductor substrate, and defines an active region; a surrounded channel structure which connects a source region and a drain region, and is separated from the semiconductor substrate under the active region by a predetermined distance; and a gate electrode surrounding the surrounded channel structure. - 特許庁