リング形ゲート構造の英語

所定の下部構造が形成されたシリコン基板１００上にトンネルリング酸化膜層を形成した後、前記トンネルリング酸化膜層上にドットフローティングゲート層を形成する。例文帳に追加

After a tunnel ring oxide film layer is formed on a silicon substrate 100 in which a predetermined lower part structure is formed, a dot floating gate layer is formed on the tunnel ring oxide film layer. - 特許庁

リング状ゲート電極１５は、ゲート酸化膜１４を介してポリシリコン層１５ａと、Ｗシリサイド、Ｔｉシリサイド、Ｃｏシリサイド、Ｎｉシリサイドなどの金属シリサイド１５ｂの２層構造で形成される。例文帳に追加

A ring shaped gate electrode 15 has a double-layer structure wherein a polysilicon layer 15a and a metallic silicide 15b such as W silicide, Ti silicide, Co silicide, Ni silicide, etc. are provided on a gate oxide film 14. - 特許庁

ゲートに近い箇所で、ゲート周辺をリング状に配設して密閉構造とし、局部的かつ有効な冷却を可能とする単独スポット構成の射出成形機における密閉型冷却ブッシュの提供。例文帳に追加

To provide a closed type cooling bush in an injection molding machine having a single spot configuration, which permits local and effective cooling by arranging gate proximity into a ring shape to form a closed structure on a part close to the gate. - 特許庁

一つの実施形態の電力増幅器には、半導体層に形成され、少なくとも１つ以上から構成され、電力増幅動作する第１のグロースリングゲート構造体と、半導体層に形成され、第１のグロースリングゲート構造体を取り囲むように隣接配置され、第１の構造体が電力増幅動作するときに、逆バイアスが印加されて空乏化領域が形成され、第１の構造体を周囲からアイソレートする複数の第２のグロースリングゲート構造体とが設けられる。例文帳に追加

A power amplifier of one embodiment comprises: at least one or more first growth ring gate structure formed in a semiconductor layer to perform power amplification operation; multiple second growth ring gate structures formed in the semiconductor layer to be adjacently positioned to surround the first growth ring gate structure in order to isolate the first structure from the surroundings by forming a depletion region by applying reverse bias when the first structure performs power amplification operation. - 特許庁

カップリング比の増加によるプログラム及び消去速度を増加させることができる、マルチキャパシタ構造を有するフラッシュメモリセルのゲート構造とその形成方法及び誘電体膜形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a gate structure of a flash memory cell which has a multi-capacitor structure capable of increasing programming and erasing rates by an increase in the coupling ratio, a method of forming the same, and a method of forming the dielectrics film for the same. - 特許庁

トレンチ５を形成したセル部の外周部において、セル部でのトレンチ５、チャネル層６、第２のゲート層７と同様な構造を有するガードリング構造体が形成され、かつ、この構造体での第１のゲート層３および第２のゲート層７に対応する部材３ａ，３ｂ，３ｃ，３２，４２は電気的にフローティング状態となっている。例文帳に追加

A guard ring structure having the same structures as the trench 5, the channel layer 6, and the second gate layer 7, is formed at the periphery of a cell having the trench 5 formed therein, and members 3a, 3b, 3c, 32 and 42 in the structure corresponding to the first gate layer 3 and the second gate layer 7 are in electrical floating states. - 特許庁

上下対称構造を有するリングゲートパターン１２２の穴中に一定距離離隔して補助パターン１２４を追加することによって、隣り合うパターン間で生じるレンズ収差によるＣＤが一致しなければならない１対の上下対称構造を有するリングゲートパターン間の臨界寸法変化を減らし、微細化パターンを正確に形成することができる。例文帳に追加

By adding the subsidiary pattern in the hole as separated by a designated distance from the ring gate pattern 122 having a vertical symmetric structure, variation of critical dimensions (CD) in a pair of ring gate patterns having a vertical symmetric structure is reduced, where CD due to lens aberration between adjacent patterns must be the same, and a fine pattern is precisely formed. - 特許庁