不揮発性有機メモリの英語

成形・加工性に優れ、誘電体層に有機材料を用い、不揮発性のメモリーとして利用できる誘電特性を示す有機材料を用いた情報記録素子を提供する。例文帳に追加

To provide an information recording element having excellent moldability and processability using an organic material for a dielectric layer, and using an organic material that can be used as a nonvolatile memory and showing dielectric characteristics. - 特許庁

成形・加工性に優れた情報記録素子とくに、誘電体層に有機材料を用い、不揮発性のメモリーとして利用できる誘電特性を示す有機材料を用いた情報記録素子を提供する。例文帳に追加

To provide an information recording element excellent in moldability and processability, especially an information recording element wherein an organic material exhibiting dielectric characteristics available as a nonvolatile memory is employed in a dielectric layer. - 特許庁

伝導性粒子のイオン溶液を用いるインシチュ分散方法によって伝導性ナノ粒子を有機物の内部に迅速且つ均一に分散させることが可能な不揮発性有機メモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nonvolatile organic memory device which method allows conductive nanoparticles to rapidly and uniformly disperse in an organic material using in-situ dispersion of an ionic solution of the conductive nanoparticles. - 特許庁

本発明は、プログラムされるデータによって選択されたメモリセルのチャンネルをフローティングさせる段階と、前記選択されたメモリセルと非選択されたメモリセルの間にゲート有機ドレーン漏れが発生するように前記選択された及び非選択されたメモリセルのワードラインを駆動する段階とを具備する不揮発性メモリ装置のプログラム方法を提供する。例文帳に追加

The programming method for a nonvolatile memory device includes: a stage in which a channel of a memory cell selected by programmed data is floated; and a stage in which the word lines of the selected and non-selected memory cells are driven so as to cause gate-induced drain leakage between the selected memory cell and the non-selected memory cell. - 特許庁

上部電極１０と下部電極３０との間にメモリ層２０を含む不揮発性有機メモリ１００を製造するにおいて、上部電極１０と下部電極３０との間の有機物にイオン状態の伝導性粒子を分散させた後、これを有機物内で還元させて伝導性ナノ粒子を形成することにより、メモリ層２０を形成する。例文帳に追加

In manufacturing a nonvolatile organic memory device 100 which includes a memory layer 20 interposed between an upper electrode 10 and a lower electrode 30, ions of the conductive particles are disposed in an organic material between the upper electrode 10 and the lower electrode 30, and then the conductive nanoparticles are formed by reducing the ions of conductive nanoparticles in the organic material, to form the memory layer 20. - 特許庁

本発明による不揮発性メモリセルは、基板上に形成された半導体膜、バッファー膜、有機強誘電体膜及びゲート電極を含むメモリトランジスタと；前記基板上に形成された前記半導体膜、前記バッファー膜、ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を含む駆動トランジスタと；を備える。例文帳に追加

The nonvolatile memory cell comprises: the memory transistor including a semiconductor film formed on a substrate, a buffer film, an organic ferroelectric film, and a gate electrode; and the driving transistor including the buffer film, a gate insulation film, and the gate electrode. - 特許庁

メモリトランジスタと周辺回路領域のトランジスタとでゲート絶縁膜の膜厚が異なる場合でも、メモリトランジスタにおけるゲート酸化膜の有機物汚染を防止できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a non-volatile semiconductor storage device in which the organic substance of a gate oxide film in a memory transistor is prevented from being contaminated even if film thickness differs in a gate insulating film in the memory transistor and a transistor in a peripheral circuit region, and also to provide the manufacturing method of the device. - 特許庁

本発明は、有機分子が新たな種類の末端基を介してシリコン表面に結合した、詳細にはニトリル基の窒素を介してシリコン表面に、あるいは窒化ケイ素表面に結合した不揮発性メモリ素子に関する。例文帳に追加

The invention relates to a nonvolatile memory device, in which an organic molecule is combined with the front surface of silicon via the end group of a new kind; or in particular, the organic molecules are coupled with the front surface of silicon via nitrogen of nitrile group or the front surface of silicon nitride. - 特許庁