意味 | 例文 (31件) |
位置制御成長の英語
追加できません
(登録数上限)
「位置制御成長」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 31件
特に制御パルスの成長のさせ方を基準となる位置を中心に時間軸方向に左右対称に成長させる。例文帳に追加
Particularly, the way of growing the control pulses is to grow them left-right symmetrically in the time-base direction, centering the reference position. - 特許庁
基板上に量子ドット構造の配列を、高い位置制御性と高いサイズ制御性で、自己組織化的に成長させる結晶成長法制御法を提供すること。例文帳に追加
To provide a crystal growth control method for self-organizedly growing an array of quantum dot structure with a high position controllability and high size controllability on a substrate. - 特許庁
結晶成長プロセスの制御の必要条件としての結晶成長速度を測定するために相界面の位置の測定を可能にする、結晶成長時、相界面の位置を測定する方法及び装置を提供する.例文帳に追加
To provide a method and a device for measuring an interface position at crystal growth in order to measure a crystal growth rate as a requirement of the crystal growth process control. - 特許庁
ナノメートルオーダー精度で繊維状カーボンの成長位置を制御することができる繊維状カーボンの形態・位置制御方法を提供し、併せて位置制御された繊維状カーボン素子及びその素子を用いたデバイスを提供する。例文帳に追加
To provide a method for controlling the form/position of fibrous carbon by which the growth position of the fibrous carbon is controlled in accuracy of nanometric order, a position-controlled fibrous carbon element, and a device using the element. - 特許庁
触媒層4の露出面を形成する位置及び方向を変更することにより、この露出面を成長起点として合成されるカーボンナノチューブ1の位置及び成長方向を制御する。例文帳に追加
The positions and growth directions of the carbon nanotubes 1 to be synthesized starting at the exposed surfaces of the catalytic layers 4 are controlled by changing the positions and directions in the exposed surface formation process. - 特許庁
その結果、外部電極3となるめっき膜の成長の終端点を、段差12の位置に高精度に制御することができる。例文帳に追加
As a result, a termination point of the growth of the plating film as the external electrode 3 is highly-accurately controlled in the position of the step 12. - 特許庁
これを利用してラテラル成長の発生場所および方向を制御し、基板の任意の位置に大きな結晶粒径を作製する。例文帳に追加
By using the temperature distribution, the occurrence location and direction of lateral growth are controlled, and the large diameter of the crystal particle is manufactured at an arbitrary position on a substrate. - 特許庁
-
履歴機能過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断診断回数が
増える! -
マイ単語帳便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳文章で
単語を理解!
「位置制御成長」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 31件
この様に結晶成長に特定の方向性を与え、チャネル形成領域に存在しうる結晶粒界の位置や本数を制御する。例文帳に追加
Thus directivity is given the growth of the crystal, and the position and the number of grain boundaries which can exist in a channel forming region is controlled. - 特許庁
半導体薄膜をラテラル成長によって結晶化する際に、得られる大型結晶粒の位置を制御する。例文帳に追加
To control the position of obtained large crystal grains when a semiconductor thin film is crystallized by lateral growth. - 特許庁
メインコントローラ40では,当該結晶成長界面の位置に基づいて各ヒータ30の発熱量が制御され,温度勾配領域の位置が所定の位置に調整される。例文帳に追加
A main controller 40 controls the calorific value of each heater 30 on the basis of the position of the crystal growth interface, and the position of the temperature gradient region is controlled to a prescribed position. - 特許庁
また溶融スラグの排出状況,灰処理量,炉内温度,炉内に付着する灰の成長度合いによって、複数設けた灰の投入ノズルの位置を切り替えたり、灰の投入量を制御する制御装置を設ける。例文帳に追加
A control system is arranged for switching a position of the ash input nozzles arranged in a plurality and controlling an ash input quantity by a discharge state of melting slag, an ash processing quantity, a furnace inside temperature and a growth degree of ash sticking in the furnace. - 特許庁
その成長位置が制御された状態で、基板上で一方向に高密度に配向成長したカーボンナノチューブを製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of producing carbon nanotube oriented and grown with high density in one direction on a substrate in such a state that the growth position is controlled. - 特許庁
ガス流量の制御では、試験的成膜によりウェハ28上に形成された膜厚データに基づいて、ウェハ28上の種々の位置における膜成長速度と所定の目標膜成長速度の間の偏差が計算される。例文帳に追加
In the control of the gas flow rate, deviation between film growing speeds on various positions on a wafer 28 and a predetermined target growing speed is calculated on the basis of data about the thickness of a film formed on the wafer 28 by an experimental film formation. - 特許庁
膜成長の間に形成される境界欠陥の位置を制御するためのリリース層をベース基板に生成且つパターニングし(ステップ1020)、リリース層上に低欠陥密度膜を成長させる(ステップ1060)。例文帳に追加
A release layer for controlling the position of a boundary defect formed during film growing is formed and patterned on the base substrate (step 1020), and the low defect density film is grown on the release layer (step 1060). - 特許庁
画素成長順テーブル321には、各画素の位置情報がメモリ320上のアドレスの昇順に記憶され、制御回路310は、上記昇順で、階調値の重心位置に基づいて画素成長順テーブル321に記憶されている位置情報を取得して、対応する画素の出力階調値を算出する。例文帳に追加
The pixel growth order table 321 contains position information on the respective pixels in the increasing order of addresses in the memory 320, and the control circuit 310 acquires, in the increasing order, the position information stored in the pixel growth order table 321 based upon the position of the center of gravity of the grayscale values to calculate output grayscale values of corresponding pixels. - 特許庁
|
意味 | 例文 (31件) |
|
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
「位置制御成長」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |