低磁場磁気抵抗の英語

磁気抵抗効果素子と磁束ガイドとの磁気的結合が不十分となることによる磁場誘導効率の低下による磁気抵抗変換効率を低下、不良品の発生率信頼性の低下等の問題を解決する。例文帳に追加

To solve the problems such as the decline of the magneto-resistive conversion efficiency according to the decline of magnetic field induction efficiency caused by that the magnetic combination between a magneto-resistive effect element and a magnetic flux guide becomes insufficient, and the deterioration of reliability of the defective products occurring rate. - 特許庁

磁気分路装置は比較的高い透磁性材料からできており、低い磁気抵抗路を与えることにより磁場の方向を変化させる。例文帳に追加

The magnetic shunt apparatus has a relatively high magnetic permeable material, and the direction of a magnetic field is changed, by imparting a lower magnetic resistance path. - 特許庁

微小な磁気検出素子や磁気メモリセルなどにおいて磁場検出あるいはセルに情報を書き込む際に必要なスイッチング磁場を低減することができる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetoresistance effect device capable of reducing a switching magnetic field required when, in a fine magnetic detection device and a magnetic memory cell and the like, a magnetic field is detected or information is written in the magnetic memory cell. - 特許庁

磁気記憶装置への実用化において必須である薄膜構造において、従来知られているものより低磁場で、あるいは、同じ磁場でより大きな磁気抵抗比を示す金属絶縁体転移によるスイッチング現象を利用した磁気抵抗素子を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetoresistance element utilizing switching phenome non by means of metal insulator transition, with which a greater magnetoresistance ratio is shown in a magnetic field lower than or equal to the conventionally known element, in a thin-film structure required for practical use for a magnetic storage device. - 特許庁

出力ΔＲＡを高め、保磁力Ｈｃとゼロ磁場からのシフト量Ｈｉｎを低下させて感度を高め、抵抗半減点の磁場Ｈｕａを大きくしてピン安定性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistive effect element in which the output ΔRA is enhanced, the sensitivity is enhanced by reducing the coercive force Hc and the shift amount Hin from zero magnetic field, and the pin stability is enhanced by increasing the magnetic field Hua at a point where the resistance is reduced by half. - 特許庁

最終的に、電極１および２（１０および１１）の間に、間隔を精密に制御したクラスタを形成して、小さな磁場によりトンネル効果が発現して、電気抵抗が大きく低下する、巨大磁気抵抗（GMR）素子を作製する。例文帳に追加

Finally, a giant magnetoresistance(GMR) element, the electrical resistance of which drops greatly due to tunnel effect caused by a low magnetic field is manufactured, by forming clusters between electrodes 1 and 2 (10 and 11) by precisely controlling the intervals among the clusters. - 特許庁

最終的に、電極１および２（１０および１１）の間に、間隔を精密に制御したクラスタを形成して、小さな磁場によりトンネル効果が発現して、電気抵抗が大きく低下する、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を作製する。例文帳に追加

Lastly, a cluster whose interval is precisely controlled is formed between the electrodes 1 and 2 (10 and 11) to manufacture the giant magneto-resistance(GMR) element which develops tunnel effect with a small magnetic field and greatly decreases in electric resistance. - 特許庁