元素１０５の英語

ハロゲン元素を含むガス、及び塩基性ガスを基板Ｗ上に供給し、シリコン酸化膜にハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスを化学反応させた凝縮層１０５を生成して、シリコン酸化膜１０４をエッチングする。例文帳に追加

A halogen-containing gas and a basic gas are supplied onto a substrate W to form a condensation layer 105 in which the silicon oxide film is made to chemically react with the halogen-containing gas and the basic gas, and the silicon oxide film 104 is etched. - 特許庁

本発明は基板上に設けられた結晶構造を有する第１の半導体膜１０４上にバリア層１０５と、希ガス元素を含む第２の半導体膜１０６とを形成し、第１の半導体膜１０４に含まれる金属元素を加熱処理によりバリア層１０５を通過させて前記第２の半導体膜１０６に移動させるゲッタリングを行う。例文帳に追加

The method for removing the metal element comprises the steps of forming a barrier layer 105 on a first semiconductor film 104 having a crystal structure provided on a substrate and a second semiconductor film 106 including a rare gas element, passing the metal element included in the film 104 through the layer 105 by heat treating, and conducting gettering for moving the element to the film 106. - 特許庁

プラズマ処理室１０５の下方の排気系に繋がるステンレス鋼製の真空容器内の内壁を、シリカ系皮膜１１９及び高純度アルミナ皮膜１２０でコーティングすることにより、プラズマ処理室１０５から広がってきたプラズマによる金属元素の飛散を抑制する。例文帳に追加

The inner wall in the vacuum vessel, that is connected to the lower exhaust system of a plasma treatment chamber 105 and is made of stainless steel, is coated with a silica-based film 119 and a highly pure alumina film 120, thus suppressing the scatter of a metal element, due to plasma spreading from the plasma treatment chamber 105. - 特許庁

窒素濃度が１×１０^20(／ｃｍ^3)以上およびハロゲン元素が含まれる窒化酸化膜をゲート絶縁膜に用いることを特徴とする絶縁ゲート型トランジスタ。例文帳に追加

This transistor features usage of an oxynitride film having halogens and a nitrogen concentration of 1×1020 (per cm3) or higher as a gate insulating film 105. - 特許庁

非晶質半導体膜１０３内に触媒元素を導入する際、または導入した後、非晶質半導体膜１０３の一部を結晶化させる第１加熱処理を行い、半導体膜１０５を得る。例文帳に追加

In a method for manufacture, when catalyst elements are introduced into an amorphous semiconductor film 103, or after introduction, a first heat treatment for crystallization of a part of the amorphous semiconductor film 103 is performed to obtain a semiconductor film 105. - 特許庁

入射側スラブ導波路コア１０３と、複数のアレイ導波路コア１０５と、出射側スラブ導波路コア１０４とは、屈折率が約１．５１のＳｉＯＮから構成され、かつ、Ｅｒなどの希土類元素が添加されている。例文帳に追加

The incident side slab waveguide core 103, a plurality of array waveguide cores 105 and the emission side slab waveguide core 104 comprise SiON with a refractive index of about 1.51, and moreover rare earth elements such as Er are added. - 特許庁

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護膜で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、例えば結晶性珪素膜中の金属元素をゲッタリングする処理等を施すことができる。例文帳に追加

Using a Te film or a film mainly composed of Ta, having high heat resisting property, as a wiring material, and by covering it with a protective film 105, heating treatment can be performed at the high temperature of 400 to 700°C, and gettering treatment, etc., can be performed on the metal element in a crystallizable silicon film. - 特許庁

多重量子井戸活性層１０５はＩｎＧａＡｓＰからなり、第１クラッド層１０３と、第２クラッド層１０７と、第３クラッド層１０９と、第１電流ブロック層１１２はＶ族元素としてＡｓのみを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる。例文帳に追加

A multi-quantum well active layer 105 is formed of InGaAsP, and a first clad layer 103, a second clad layer 107, a third clad layer 109, and a first current block layer 112 are formed of III-V compound semiconductor containing only As as a V element. - 特許庁